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질화갈륨 채널층을 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 질화갈륨 채널층 상에 형성되는 AlGaN 장벽층;상기 AlGaN 장벽층 상에 배치된 절연층;상기 절연층 상에 배치되고, 반데르발스 결합을 기반으로 한 층상 구조를 가지며, 1
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제 1 항에 있어서,상기 절연층과 상기 강유전성 반도체층 사이에 형성되고, 인듐 옥사이드(InOx) 및 비스무스 옥사이드 중 어느 하나의 물질을 포함하는 중간층;을 더 포함하고,상기 강유전성 반도체층은,상기 중간층의 상면에 접하도록 형성되는 고전자 이동도 트랜지스터 소자
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제 2 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층은,알파-인듐 셀레나이드(α- In2Se3) 및 비스무스 옥시셀레나이드(Bi2OSe2) 중 선택되는 어느 하나의 물질을 포함하는 고전자 이동도 트랜지스터 소자
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제 3 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층은,1
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제 4 항에 있어서,상기 중간층은,상기 강유전성 반도체층의 자연산화 과정에서 1 내지 5 nm 범위의 두께로 생성되는 고전자 이동도 트랜지스터 소자
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제 5 항에 있어서,상기 게이트 전극에 펄스 전압을 인가하고, 상기 펄스 전압의 지속 시간에 따라 상기 고전자 이동도 트랜지스터 소자의 문턱 전압을 제어하는 펄스 전압 인가부;를 더 포함하는 고전자 이동도 트랜지스터 소자
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제 6 항에 있어서,상기 강유전성 반도체층은,상기 펄스 전압에 의해 상기 강유전성 반도체층 내의 분극 바운드 전하의 정렬 방향이 제어되어 전하 밀도의 고갈효과를 유도하는 고전자 이동도 트랜지스터 소자
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제 7 항에 있어서,상기 중간층은,상기 펄스 전압에 의해 상기 강유전성 반도체층 내 분극 바운드 전하와 모바일 전하가 상기 중간층 방향을 향해 정렬될 때, 상기 모바일 전하를 포획하는 전하 트래핑 사이트의 역할을 하여 상기 전하 밀도의 고갈효과를 강화함으로써, 문턱 전압 변조의 강화를 유도하는 재구성 가능한 고전자 이동도 트랜지스터 소자
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 재구성 가능한 고전자 이동도 트랜지스터 소자의 문턱 전압 제어 방법으로서,펄스 전압 인가부에 의해 상기 게이트 전극에 펄스 전압을 인가하되, 상기 펄스 전압의 지속 시간에 따라 전달 컨덕턴스의 변화량이 전달 컨덕턴스 초기값의 10% 이내로 유지되도록 상기 고전자 이동도 트랜지스터 소자의 문턱 전압을 제어하는 단계;를 포함하는 재구성 가능한 고전자 이동도 트랜지스터 소자의 문턱 전압 제어 방법
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제 9 항에 있어서,상기 문턱 전압을 제어하는 단계는:목표 문턱 전압에 비례하는 상기 펄스 전압의 지속 시간을 산출하는 단계; 및상기 펄스 전압을 상기 지속 시간 동안 지속시켜 상기 고전자 이동도 트랜지스터 소자의 문턱 전압을 상기 목표 문턱 전압으로 제어하는 단계;를 포함하는 재구성 가능한 고전자 이동도 트랜지스터 소자의 문턱 전압 제어 방법
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