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탄소전극; 및 상기 전극의 일면에 코팅된 0
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제1항에 있어서,상기 이온은 바나듐 이온인 것인, 전극
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제1항에 있어서,상기 탄소전극은 탄소종이(carbon paper), 탄소펠트(carbon felt), 또는 탄소섬유(carbon fabric)인 것인, 전극
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제1항에 있어서,상기 고분자 멤브레인은 폴리벤즈이미다졸(polybenzimidazole; PBI)-기반 고분자, 양이온성 작용기를 포함하는 음이온 교환 막(anion exchange membrane; AEM) 소재, 음이온성 작용기를 포함하는 양성자 교환 막(proton exchange membrane; PEM) 소재, 또는 이들의 혼합물인 것인, 전극
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제4항에 있어서,상기 폴리벤즈이미다졸(PBI)-기반 고분자는 메타-PBI, 파라-PBI, ab-PBI, 2OH-PBI, O-PBI, PBI-OO, PBI-HFA(4,4'-(hexafluoroisopropylidene)bis(benzoic acid)), PBI-OH, 술폰화된 파라-PBI, 피리딘 개질된 PBI, 불소화된 PBI, 메시틸(mesityl)-PBI, 터페닐(terphenyl)-PBI, 헥사메틸-p-터페닐 PBI, 또는 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물, 또는 공중합체(co-polymer)인 것인, 전극
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고분자 멤브레인과 탄소전극을 면대면으로 중첩시켜 핫프레스하여 고분자 코팅층을 도입(laminating)하는 제1단계를 포함하는, 이온-선택적 차단성을 갖는 전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 고분자 멤브레인은 폴리벤즈이미다졸(polybenzimidazole; PBI)-기반 고분자 멤브레인인 것인, 제조방법
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제6항에 있어서,상기 고분자 멤브레인은 1 내지 15 M 농도의 인산 또는 1 내지 12 M 농도의 염기성 용액으로 선도핑하여 준비한 것인, 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 핫프레스는 0 내지 300℃의 온도, 및 0
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제6항에 있어서, 제1단계 이후, 2 내지 3 M 농도의 황산 용액으로 처리하여 평형화하는 제2단계를 추가로 포함하는 것인, 제조방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 전극을 하나 이상 구비한 레독스 흐름 전지
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제11항에 있어서,상기 캐소드 전해질로 V(IV)/V(V) 레독스 커플을, 애노드 전해질로 V(II)/V(III) 레독스 커플을 사용하는 전바나듐계 레독스 전지인 것인, 레독스 흐름 전지
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제11항에 있어서,상기 캐소드 전해질로 Fe(II)/Fe(III) 레독스 커플을, 음극 전해질로 V(II)/V(III) 레독스 커플을 사용하는 기타 금속계 레독스 전지인 것인, 레독스 흐름 전지
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14
제11항에 있어서,양 전극 사이에 위치한 고분자 멤브레인을 추가로 포함하는 것인, 레독스 흐름 전지
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 전극을 구비한 전기화학 시스템
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