| 1 |
1
유도결합 플라즈마(ICP)장치가 결합된 유기금속 화학기상증착(MOCVD)장치의 챔버(chamber) 내에 기판을 제공하는 단계;상기 유기금속 화학기상증착장치의 챔버 내부에 플라즈마 가스를 유입시키고, 상기 유도결합 플라즈마 장치를 이용하여 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계; 및상기 챔버 내에 유기금속 소오스를 분사하여 상기 플라즈마와 반응시켜 상기 기판상에 박막을 증착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 기판 하부에 구비되는 하부전극에 바이어스(bias) 전압을 걸어주는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 유도결합 플라즈마장치는 상기 유기금속 화학기상증착장치의 상기 챔버 외곽의 일정위치에 RF 윈도우를 사이에 두고 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 유기금속 화학기상증착장치의 챔버(chamber) 내에 기판을 제공하는 단계; 후에 상기 기판상에 완충층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 5 |
5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 Si, Al2O3, SiC, GaN 및 AlN으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 유기금속 소오스는 아연(Zn) 소오스인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 아연 소오스는 DEZn(Diethylzinc)인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 플라즈마는 O2 가스를 분사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,증착된 상기 박막은 단결정의 산화아연(ZnO) 박막인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 11 |
11
제 5 항에 있어서, 상기 유도결합 플라즈마(ICP) 장치는 200 내지 600W의 RF 파워를 제공하는 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
제 5 항에 있어서, 상기 챔버 내부의 온도는 560 내지 740℃인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
제 2 항에 있어서, 상기 하부전극에 걸어주는 바이어스 전압은 -80 내지 -120V인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
제 8 항에 있어서,상기 챔버 내에 제공되는 O/Zn 비(ratio)는 60 내지 85인 것을 특징을 하는 박막 제조방법
|
| 18 |
18
제 17 항에 있어서,상기 챔버 내에 제공되는 O/Zn 비(ratio)는 75인 것을 특징을 하는 박막 제조방법
|
| 19 |
19
제 5 항에 있어서,상기 챔버 내부의 공정압력은 10-2Torr인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
|
| 20 |
20
기판을 지지하는 기판지지대와 상기 기판지지대 하부에 설치된 하부전극을 내부에 구비하는 챔버, 상기 챔버의 일정위치에 구비된 플라즈마 가스유입구, 상기 챔버의 일정위치에 구비되어 상기 기판에 유기금속 소오스를 분사하는 유기금속 소오스유입구 및 제1 RF파워를 포함하는 유기금속 화학기상증착(MOCVD)장치; 및상기 유기금속 화학기상증착장치의 상기 챔버 외곽의 일정위치에 결합되어 있으며, 오토매칭시스템, 평판형 유도코일인 안테나, 제2 RF파워 및 RF 윈도우를 포함하는 유도결합 플라즈마(ICP)장치;를 포함하며,상기 유도결합 플라즈마장치는 상기 RF 윈도우를 사이에 두고 상기 유기금속 화학기상증착장치의 상기 챔버에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마장치가 결합된 유기금속 화학기상증착장치
|
| 21 |
21
제 20 항에 있어서, 상기 RF 윈도우는 석영으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마장치가 결합된 유기금속 화학기상증착장치
|
