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고분자 수지 층; 및 상기 고분자 수지 층 상에 적층된 탄소 나노 소재 층;을 포함하며,상기 탄소 나노 소재는 전자빔에 의하여 도핑된 탄소 나노 소재인, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 고분자 수지는 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 페닐(phenyl), 아릴(allyl), 벤질(benzyl), 알켄(alkene), 알카인(alkyne), 아렌(arene), 페놀(phenol), 벤조일(benzoyl), 할로젠화 알킬(alkyl halide), 알코올(alchol), 에터(ethere), 알데하이드(aldehyde), 케톤(ketone), 카르복시산(carboxylic Aicd), 에스테르(ester), 아마이드(-amide), 아민(-amine), 이민(imine) 사이올(-thiol), 설파이드(-sulfide), 나이트릴(-nitrile), 펄옥사이드(peroxide) 등으로 구성된 화합물에서 구성된 군에서 선택되는 하나이상의 화학 구조를 갖는, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 고분자 수지는 폴리이미드(PI), 투명폴리이미드(cPI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 및 폴리카보네이트(PC)로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 것으로부터 유래된 것인, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 탄소 나노 소재는 탄소섬유, 그래핀, 탄소나노튜브, 흑연, 탄소양자점, 그래핀 나노 플레이트(GNP, graphene nanoplatelets), 그래핀 산화물(graphene oxide), 무정형 카본, 및 카본 블랙으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 도핑된 탄소 나노 소재는 고분자 수지층으로부터 전하전송메커니즘(charge transfer mechanism)을 통하여 전자를 빼앗기거나 전달 받아 (electron-withdrawing or donating) P 또는 N 타입 구조/특성을 갖는, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 탄소 나노 소재 기반 구조체는 10 - 500 ohm/sq 범위의 면저항 범위을 갖는, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 탄소 나노 소재 기반 구조체는 면저항의 불균일도가 20% 이내인 면저항 균일도를 갖는, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 탄소 나노 소재 기반 구조체는 80% 이상의 투과도를 갖는, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항에 있어서,상기 탄소 나노 소재 기반 구조체는 5×10-1 g/m2-day 이하의 수분 투과도를 갖는, 탄소 나노 소재 기반 구조체
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 탄소 나노 소재 기반 구조체를 포함하는, 유연 투명 전극
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고분자 수지 층 상에 탄소 나노 소재 층을 적층시키는 단계; 및상기 탄소 나노 소재 층 상에 전자 빔을 조사하는 단계;를 포함하는, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 전자 빔 조사 단계에서 고분자 수지의 화학 구조가 변화하고, 상기 화학 구조 변화로부터 유래한 라디칼, 이온, 또는 전자가 상기 탄소 나노 소재를 도핑시켜 전하 농도를 높이는, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 전자 빔 조사 단계는 아르곤, 질소, 및 헬륨 가스 중 하나 이상을 포함하는 기체 분위기 하에 수행되는, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 전자 빔 조사 단계에서 점형 또는 선형 전자 빔을 조사하는, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 전자 빔 조사 단계에서 3000 kGy 이하의 흡수량으로 전자빔을 조사하는, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 전자 빔 조사 단계에서 200-1600 kGy 범위의 흡수량으로 전자빔을 조사하는, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 전자 빔 조사 전/후의 탄소 나노 소재 기반 구조체의 가시광선 투과율 감소율은 10% 이하인, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 전자 빔 조사 전/후의 탄소 나노 소재 기반 구조체의 면저항 감소율은 50% 이상인, 탄소 나노 소재 기반 구조체 제조 방법
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