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성장영역과 비성장영역으로 구분된 기판을 준비하는 제 1 단계; 반응챔버에 기판을 장착한 상태에서, 반응챔버 내에 기상의 증착억제재를 공급하여 기판의 비성장영역에 증착억제재를 코팅하는 제 2 단계; 반응챔버 내에 주석전구체와 황전구체를 순차적으로 공급하여 기판의 성장영역에 일황화주석(SnS)을 형성시키는 제 3 단계; 및 반응챔버 내에 황전구체를 공급함과 함께 플라즈마 여기시켜 일황화주석(SnS)을 이황화주석(SnS2)으로 변환시키는 제 4 단계;를 포함하여 이루어지며, 제 2 단계와 제 3 단계가 복수번 반복 실시된 후에 제 4 단계가 진행되며, 기판의 성장영역은 SiO2으로 이루어지고, 기판의 비성장영역은 Al2O3으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 영역선택적 원자층증착을 이용한 이황화박막 제조방법
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성장영역과 비성장영역으로 구분된 기판을 준비하는 제 A 단계; 반응챔버에 기판을 장착한 상태에서, 반응챔버 내에 주석전구체와 황전구체를 순차적으로 공급하여 기판의 성장영역에 일황화주석(SnS)을 형성시키는 제 B 단계;반응챔버 내에 기상의 증착억제재를 공급하여 기판의 비성장영역에 증착억제재를 코팅하는 제 C 단계; 및 반응챔버 내에 황전구체를 공급함과 함께 플라즈마 여기시켜 일황화주석(SnS)을 이황화주석(SnS2)으로 변환시키는 제 D 단계;를 포함하여 이루어지며, 제 B 단계와 제 C 단계가 복수번 반복 실시된 후에 제 D 단계가 진행되며, 기판의 성장영역은 SiO2으로 이루어지고, 기판의 비성장영역은 Al2O3으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 영역선택적 원자층증착을 이용한 이황화박막 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기상의 증착억제재는 아세틸아세톤(Acetylacetone), 아닐린(Aniline), 다이에틸렌트리아민(DETA) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 영역선택적 원자층증착을 이용한 이황화박막 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 주석전구체는 Bis((1-dimethylamino-2-methyl-2-propoxy)tin(II), bis(N,N′-diisopropylacetamidinato)tin-(II), N, N′-di-t-butyl-2-methylpropane-1,2-diamido tin(II) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 영역선택적 원자층증착을 이용한 이황화박막 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 황전구체는 황화수소(H2S)인 것을 특징으로 하는 영역선택적 원자층증착을 이용한 이황화박막 제조방법
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