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1
광 공진기에 있어서,제1 부재; 및제2 부재;를 포함하고,상기 제1 부재 및 상기 제2 부재는 각각 HCG(high contrast grating) 격자 구조를 가지고,상기 제1 부재의 굴절률과 상기 제2 부재의 굴절률이 동일한, 광 공진기
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2
제1항에 있어서, 상기 제1 부재의 폭 및 상기 제2 부재의 폭이 동일한, 광 공진기
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3
제1항에 있어서,상기 제2 부재의 중심으로부터 상기 격자 중심까지의 거리 는 0인, 광 공진기
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4
제1항에 있어서,상기 제1 부재의 면적과 상기 제2 부재의 면적이 상이한, 광 공진기
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5
제1항에 있어서,상기 제1 부재의 면적과 상기 제2 부재의 면적이 동일한, 광 공진기
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6
제1항에 있어서,상기 제1 부재의 중심으로부터 격자 중심까지의 거리와 상기 제2 부재의 중심으로부터 상기 격자 중심까지의 거리는 상이한, 광 공진기
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7 |
7
제1항에 있어서, 상기 제1 부재의 폭 및 상기 제2 부재의 폭이 상이한, 광 공진기
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8
광 공진기에 있어서,제1 부재; 및제2 부재;를 포함하고,상기 제1 부재 및 상기 제2 부재는 각각 격자 구조를 가지되,상기 제2 부재는 HCG(high contrast grating) 격자 구조를 가지고, 상기 제1 부재의 굴절률과 상기 제2 부재의 굴절률이 상이한, 광 공진기
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9 |
9
제8항에 있어서,상기 제2 부재의 굴절률은 3보다 높은, 광 공진기
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10
제8항에 있어서,상기 제2 부재의 두께가 상기 제1 부재의 두께보다 두꺼운 광 공진기
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제8항에 있어서,상기 제2 부재의 중심으로부터 상기 격자 중심까지의 거리가 0이고, 상기 제1 부재의 굴절률이 상기 제2 부재의 굴절률보다 낮은, 광 공진기
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12
제8항에 있어서, 상기 제1 부재의 중심으로부터 격자 중심까지의 거리와 상기 제2 부재의 중심으로부터 상기 격자 중심까지의 거리는 상이한, 광 공진기
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13
제8항에 있어서, 상기 제1 부재의 폭이 상기 제2 부재의 폭보다 좁은, 광 공진기
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14
제8항에 있어서,상기 제1 부재의 굴절률은 2보다 낮은, 광 공진기
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15
제8항에 있어서, 상기 제1 부재의 면적과 상기 제2 부재의 면적이 상이한, 광 공진기
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제8항에 있어서,상기 제1 부재의 두께가 상기 제2 부재의 두께보다 얇은, 광 공진기
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제8항에 있어서, 상기 제1 부재는 SiO2 또는 TiO2를 포함하는, 광 공진기
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제8항에 있어서, 상기 제2 부재는 실리콘, InP, InGaAs 및 Ge를 포함하는, 광 공진기
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