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기판;상기 기판 상의 채널층;상기 채널층 상의 게이트 유전층; 및상기 게이트 유전층 상의 게이트 전극을 포함하되,상기 게이트 유전층은 전하 공급 유전막 및 압전막을 포함하고,상기 전하 공급 유전막은 금속 산화물 또는 금속 황화물을 포함하고,상기 압전막은 압력 자극을 전기 신호로 변환하는 압전 물질을 포함하고,상기 게이트 전극에 인가되는 신호의 변화에 따라 상기 채널층에 흐르는 전류 흐름의 크기 및 양상이 변하는 시냅스 특성을 나타내는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 채널층은 TiO2, In2O3, SnO2, ZnO, InTiO, SnTiO, ZnTiO, InSnO, ZnSnO 및 InZnO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 압전막은 PZT(PbZrTiO), BST(BaSrTiO), HfO2 및 HfZrO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전하 공급 유전막은 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재되고,상기 압전막은 상기 전하 공급 유전막과 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 압전막은 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재되고,상기 전하 공급 유전막은 상기 압전막과 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 채널층 상의 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하되,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 Al, Ag, Au, Pt, Mo, Ni, TiN, ITO, AlZnO(AZO), GaZnO, AZO/Ag/AZO(OMO 구조) 및 SnO2 중 적어도 어느 하나를 포함하는 시냅스 소자
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제 6 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 게이트 유전층과 상기 기판 사이에 개재되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 게이트 유전층 상에 제공되며, 상기 채널층의 적어도 일부를 덮는 시냅스 소자
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제 7 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 수평적으로 서로 이격되고,상기 채널층은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에서 외부로 노출되는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 산화물, 금속, 화합물 반도체, 유리, 폴리이미드, PET, PEN, TAC 및 금속 호일 중 적어도 어느 하나를 포함하는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극 상의 터치 패널을 더 포함하는 시냅스 소자
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