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III-V족 화합물반도체 나노구조를 포함하는 용액을 기판 상에 도포하는 단계;상기 용액에 전기장 또는 자기장을 인가하는 단계;상기 기판 상에 III-V족 화합물반도체 나노구조를 인가된 전기장 또는 자기장과 같은 방향 또는 수직인 방향으로 방향성을 갖도록 정렬시키는 단계 및상기 III-V족 화합물반도체 나노구조 양단에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 III-V족 화합물반도체 나노구조는 나노와이어 (Nanowire), 나노로드 (Nanorod), 나노컬럼 (Nanocolumn) 또는 나노휘스커 (Nanowhisker) 로서, 종횡비가 1이 아닌 비대칭적인 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 III-V족 화합물반도체 나노구조는 질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN), 질화인듐갈륨 (InGaN), 질화알루미늄인듐갈륨 (AlInGaN), 갈륨비소 (GaAs), 알루미늄비소 (AlAs), 인듐비소 (InAs), 알루미늄갈륨비소 (AlGaAs), 인듐갈륨비소 (InGaAs), 인듐알루미늄갈륨비소 (InAlGaAs), 인화갈륨 (GaP), 인화인듐 (InP), 인화인듐갈륨 (InGaP), 인화알루미늄갈륨 (AlGaP), 인화알루미늄갈륨비소 (AlGaAsP), 인화인듐알루미늄갈륨비소 (InAlGaAsP), 인화인듐갈륨비소 (InGaAsP) 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 III-V족 화합물반도체 나노구조의 길이는 100 nm ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 금속포일, 고분자, 반도체, 또는 절연체인 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 금속포일 기판은 구리 (Cu), 알루미늄 (Al), 티타늄 (Ti), 니켈 (Ni), 철 (Fe), 몰리브덴 (Mo), 백금 (Pt), 또는 텅스텐 (W)을 포함하고, 두께가 10 nm~ 10 cm인 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 고분자 기판은 폴리에틸렌 테리프탈레이트 (PET), 폴리디메틸실록산 (PDMS), 폴리에틸렌네아-프탈레이트 (PEN), 폴리에테르에테르케톤 (PEEK), 폴리카보네이트 (PC), 폴리아릴레이트 (PAR) 또는 폴리이미드 (PI)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 (Si), 저마늄 (Ge), 질화갈륨 (GaN), 인화갈륨 (GaP), 갈륨비소 (GaAs), 인화인듐 (InP) 또는 탄화규소 (SiC)을 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 절연체 기판은 수정 (SiO2), 사파이어 (Al2O3), 유리 (Glass) 또는 질화규소 (SiN)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 패턴이 식각된 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 기판은 습식 식각 (Wet etching) 또는 스퍼터 식각 (Sputter etching), 반응성 이온 식각 (Reactive ion etching) 또는 플라즈마 식각 (Plasma etching)의 건식 식각 (Dry etching)의 방법으로 패턴이 식각되는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 패턴의 길이는 상기 III-V족 화합물반도체 나노구조의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 패턴의 형태는 원형, 타원형, 정사각형, 직사각형, 사다리꼴, 마름모 또는 삼각형인 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, III-V족 화합물반도체 나노구조를 포함하는 용액을 기판 상에 도포하는 단계 이전에 패턴을 갖는 마스크를 기판 상에 위치시키는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 패턴의 길이는 상기 III-V족 화합물반도체 나노구조의 길이와 동일하거나 그보다 긴 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 전기장 또는 자기장을 인가하여 III-V족 화합물반도체 나노구조를 정렬시킨 후 마스크를 제거하는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 마스크를 제거한 후에 전기장 또는 자기장을 인가하여 III-V족 화합물반도체 나노구조를 정렬시키는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, III-V족 화합물반도체 나노구조를 포함하는 용액을 기판 상에 도포하는 단계 이전에 마스크를 기판 상에 증착시키는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 18항에 있어서, 상기 마스크의 증착은 스테퍼 (Stepper), 스퍼터 (Sputter), 전자빔 리소그래피 (E-beam lithography) 또는 포토리소그래피 (Photolithography)의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 14항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 패턴이 식각된 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 용액에 전기장 또는 자기장을 인가하는 단계에서는 외부에서 전압 또는 전류를 공급하여 전기장 또는 자기장을 발생시키는 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 용액에 전기장 또는 자기장을 인가하는 단계에서는 직접 전기장 또는 자기장을 발생시키는 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 III-V족 화합물반도체 나노구조 양단에 전극을 형성하는 단계에서는 스테퍼 (Stepper), 스퍼터 (Sputter), 전자빔 리소그래피 (E-beam lithography) 또는 포토리소그래피 (Photolithography)의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 전극은 은 (Ag), 금 (Au), 백금 (Pt), 세슘 (Ce), 구리 (Cu), 철 (Fe), 니켈 (Ni), 텅스텐 (W), 지르코늄 (Zr), 티타늄 (Ti), 납 (Pb) 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 전자소자는 다이오드 (Diode), 트랜지스터 (Transistor) 또는 사이리스터 (Thyristor)의 전자 및 전기회로를 구성할 때 사용되는 전자 부품인 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 광소자는 발광 다이오드 (Light-emitting diode), 레이저 다이오드 (Laser Diode), 태양전지 (Solar cell) 또는 광 검출기 (Photo-detector) 의 발광 및 수광소자인 것을 특징으로 하는, 전자소자 또는 광소자의 제조방법
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