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텔루륨화은 코어; 및 황화은 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자
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제1항에 있어서,상기 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자는 근적외선, 단적외선 또는 중적외선을 포함하는 확장된 단적외선(Extended SWIR) 영역에서 광발광 특성을 가지는 것을 특징으로 하는, 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자
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제2항에 있어서,상기 확장된 단적외선(Extended SWIR) 영역은 1
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제1항에 있어서,상기 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자의 평균 직경은 1 nm 내지 25 nm인 것을 특징으로 하는, 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자
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(a) 은 전구체를 포함하는 용액에 텔루륨 전구체를 주입하여 텔루륨화은 콜로이드 양자점 나노결정을 제조하는 단계; 및(b) 상기 텔루륨화은 콜로이드 양자점 나노결정 상에 황화은 쉘을 성장시키는 단계를 포함하는 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 (a) 단계에서 은 전구체를 포함하는 용액에 티올 화합물을 추가한 것을 특징으로 하는, 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 (a) 단계에서 은 전구체를 포함하는 용액의 온도는 70℃ 내지 150℃인 것을 특징으로 하는, 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 (a) 단계에서 텔루륨 전구체의 주입은 1 분 내지 60 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 텔루륨화은 콜로이드 양자점 나노결정에 있어서, Ag 및 Te의 몰비는 2 초과 내지 5 이하인 것을 특징으로 하는, 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자의 제조방법
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10
제5항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 성장은 연속 이온 층 흡착 및 반응(SILAR) 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는, 코어-쉘 구조 콜로이드 양자점 나노입자의 제조방법
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