| 1 |
1
탄소 일부에 불소가 도핑된 불소 도핑 탄소체; 및상기 불소 도핑 탄소체 상에 고정된 효소;를 포함하는 불소 도핑 탄소-효소 복합체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 탄소체는 그래핀, 산화그래핀, 탄소 나노튜브, 다중 벽 탄소 나노튜브, 플러렌 및 그라파이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 불소 도핑 탄소-효소 복합체
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 효소는 트립신, 키모트립신, 펩신, 리파아제, 당산화효소, 양고추냉이 과산화효소, 티록시네이즈, 탄산무수화효소, 포름알데히드 탈수소효소, 포름산 탈수소효소, 알콜 탈수소효소, 콜레스테롤 탈수소효소, 아실레이즈, 락토네이즈, 프로테이즈, 퍼옥시데이즈, 아미노펩티데이즈, 포스파테이즈, 트렌스아미네이즈, 세린-엔도펩티데이즈, 시스테인-엔도펩티데이즈 및 메탈로엔도펩티데이즈로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 효소를 포함하는 불소 도핑 탄소-효소 복합체
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 불소 도핑 탄소체는 X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 스펙트럼에서 결합에너지 685
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 불소 도핑 탄소체는 라만스펙트럼에서 파장 1350±10㎝-1에서의 제1피크(A)와 1580±10㎝-1에서의 제2피크(B) 간이 비율(A/B)이 0
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 X선 광전자 분광법(XPS)에 의한 스펙트럼에서 결합에너지 687
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 불소 도핑 탄소체는 라만스펙트럼에서 파장 1350±10㎝-1에서의 제1피크(A)와 1580±10㎝-1에서의 제2피크(B) 간이 비율(A/B)이 0
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 불소 도핑 탄소체는 1
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 불소 도핑 탄소체는 접촉각이 155
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,불소 도핑 탄소-효소 복합체 내 효소 로딩량(L)에 대비한 하기 감도 평가방법에 따른 감도(S)의 비율(S/L)이 17
|
| 11 |
11
(1) 플라즈마 발생부로부터 생성된 소스 플라즈마에서 분리시킨 중성 불소 라디칼 이온을 포함하는 프로세스 플라즈마를 플라즈마 발생부와 공간적으로 분리된 다운스트림에 위치하는 반응부에 공급하여 상기 반응부 내 위치한 탄소체를 불소 도핑시켜서 불소 도핑 탄소체를 제조하는 단계; 및(2) 불소 도핑 탄소체 상에 효소를 고정시키는 단계;를 포함하는 불소 도핑 탄소-효소 복합체 제조방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,(1) 단계는 플라즈마 발생부가 위치하는 플라즈마 챔버 압력 118 ~ 120 mTorr, 파워 8 ~ 12 W, 소스 가스 유량 8 ~ 12 sccm의 조건으로 중성 불소 라디칼 이온을 포함하는 소스플라즈마가 생성되는 불소 도핑 탄소-효소 복합체 제조방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,(1) 단계에서 반응부로 공급된 밀도 제어된 중성 불소 라디칼 이온을 함유한 프로세스 플라즈마를 상기 탄소체에 처리하는 시간은 0 초과 ~ 5분 또는 45 ~ 60분인 불소 도핑 탄소-효소 복합체 제조방법
|
| 14 |
14
제11항에 있어서,상기 효소는 흡착을 통해 고정되는 불소 도핑 탄소-효소 복합체 제조방법
|
| 15 |
15
전극; 및제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 불소 도핑 탄소-효소 복합체를 포함하는 센서층;을 포함하는 효소 전극
|
| 16 |
16
제15항에 따른 효소 전극;을 포함하는 바이오 센서
|
| 17 |
17
흡착을 통해서 효소가 고정되는 표면을 제공하기 위한 것으로서, 일부 탄소에 불소가 도핑된 효소 고정용 불소 도핑 탄소체
|
