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임플란트의 어버트먼트 부분의 표면에 제1 펄스레이저를 조사하여 제1 패턴으로 배열되는 제1 가공부를 형성함으로써 상기 어버트먼트 부분을 소수 처리하는 단계를 포함하고,상기 제1 패턴은 도트패턴, 라인패턴 및 그리드 패턴 중의 적어도 하나를 포함하고,상기 제1 가공부의 제1 패턴은 제2 펄스레이저에 의해 상기 임플란트의 픽스쳐 부분에 형성된 제2 가공부의 제2 패턴과 상이하고,상기 제1 가공부는 상기 제2 가공부보다 소수성을 가지도록 형성되는, 임플란트 어버트먼트의 소수성 표면처리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 소수 처리하는 단계는, 1W 내지 10W의 출력을 가지는 상기 제1 펄스레이저를 상기 어버트먼트 부분에 상기 제1 패턴으로 조사하는 과정을 1회 내지 10회 반복하여 수행하는 단계를 포함하고,상기 소수 처리하는 단계에서 상기 제1 펄스레이저의 가공속도는 1 mm/s 내지 10 mm/s으로 설정되는, 임플란트 어버트먼트의 소수성 표면처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 제1 가공부는 제1 홈부를 포함하고,제1 홈부의 폭에 대한 제1 홈부의 피치의 비율은 4 이하이고,상기 제1 홈부의 폭에 대한 제1 홈부의 깊이의 비율은 1 이상이고,상기 제1 홈부의 피치의 값은 70 ㎛ 내지 100 ㎛이고,상기 제2 가공부는 제2 홈부를 포함하고,제2 홈부의 폭에 대한 제2 홈부의 피치의 비율은 4 초과이고,상기 제2 홈부의 폭에 대한 제2 홈부의 깊이의 비율은 1 미만인, 임플란트 어버트먼트의 소수성 표면처리 방법
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청구항 3에 있어서,상기 제1 펄스레이저는 330 nm 내지 360 nm 파장의 자외선 대역 펨토초 레이저 광인 임플란트 어버트먼트의 소수성 표면처리 방법
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청구항 3에 있어서,상기 임플란트를 상기 픽스쳐 부분과 상기 어버트먼트 부분으로 구획하는 단계; 및상기 임플란트의 상기 픽스쳐 부분의 표면에 상기 제2 펄스레이저를 조사하여 상기 제2 패턴을 가지는 상기 제2 가공부를 형성함으로써 상기 픽스쳐 부분을 친수 처리하는 단계를 더 포함하는, 임플란트 어버트먼트의 소수성 표면처리 방법
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청구항 5에 있어서,상기 친수 처리하는 단계의 수행 후, 상기 픽스쳐 부분의 표면에 제3 펄스레이저를 조사하여 상기 제2 패턴과 상이한 제3 패턴의 제3 가공부를 형성함으로써 상기 픽스쳐의 부분의 표면조도를 향상시키는 단계를 더 포함하는, 임플란트 어버트먼트의 소수성 표면처리 방법
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픽스쳐 부분과 어버트먼트 부분을 포함하는 임플란트로서,상기 어버트먼트 부분의 표면은 제1 펄스레이저를 조사하여 제1 패턴으로 형성되는 제1 가공부를 포함하고,상기 픽스쳐 부분의 표면은 제2 펄스레이저를 조사하여 제2 패턴으로 형성되는 제2 가공부를 포함하고,상기 제1 패턴은 도트 패턴, 라인 패턴 및 그리드 패턴 중의 적어도 하나를 포함하고,상기 제1 가공부의 상기 제1 패턴은 상기 제2 가공부의 제2 패턴과 상이하고, 상기 제1 가공부는 상기 제2 가공부보다 소수성을 가지도록 형성되는, 임플란트
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청구항 7에 있어서,상기 어버트먼트 부분은 상기 제1 가공부에 의해 물에 대한 접촉각이 90° 이상인 소수성을 가지는, 임플란트
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청구항 8에 있어서,상기 픽스쳐 부분의 표면은 제3 펄스 레이저를 조사하여 상기 제2 패턴과 상이한 제3 패턴으로 형성되는 제3 가공부를 더 포함하고,상기 제3 가공부는 상기 제2 가공부와 중첩되게 형성되는, 임플란트
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청구항 9에 있어서,상기 제1 가공부는 상기 제1 패턴으로 배열되는 제1 홈부를 포함하고,상기 제1 홈부의 폭에 대한 제1 홈부의 피치의 비율을 4 이하이고,상기 제1 홈부의 폭에 대한 제1 홈부의 깊이의 비율은 1 이상이고,상기 제1 홈부의 피치의 값은 70 ㎛ 내지 100 ㎛이고,상기 제2 가공부는 제2 홈부를 포함하고,상기 제2 홈부의 폭에 대한 제2 홈부의 피치의 비율은 4 초과이고,상기 제2 홈부의 폭에 대한 제2 홈부의 깊이의 비율은 1 미만인, 임플란트
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