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LED 반도체 기판을 준비하는 단계; 및 상기 LED 반도체 기판의 표면에 복수개의 픽셀 영역을 집속이온빔을 이용하여 패터닝하는 단계; 를 포함하고,상기 패터닝하는 단계는,상기 픽셀 영역을 제외한 상기 표면의 적어도 일부분에 집속이온빔으로 이온을 주입하여 결함을 갖는 이온주입 영역을 형성하는 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 패터닝하는 단계에서 상기 픽셀 영역은,상기 집속이온빔에 의한 결함-프리인 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 패터닝하는 단계에서 상기 픽셀 영역은,상기 패터닝하는 단계 이전의 상기 LED 반도체 기판의 표면 특성을 유지하는 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 패터닝하는 단계에서 상기 이온주입 영역은, 광학적 비활성, 전기적 비활성 또는 이 둘을 갖는 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 픽셀 영역은, 선, 원, 도트, 타원형, 및 다각형 중 적어도 하나 이상의 형태를 갖는 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 픽셀 영역은, 규칙적으로 또는 랜덤하게 배열되고,상기 픽셀 영역은, 300 nm 내지 100 ㎛의 피치로 배열된 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 이온주입 영역은, 상기 표면의 전체 면적 중 1 % 내지 70 %인 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 픽셀 영역의 크기는, 300 nm 내지 100 ㎛인 것인, 마이크로 LED의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 집속이온빔의 이온은, He+, Au+, Si+, Ne+, Ga+
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제1항에 있어서,상기 집속이온빔은, 0
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제1항에 있어서,상기 LED 반도체 기판은,기판;상기 기판 상에 형성된 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층;을 포함하는 것인,마이크로 LED의 패터닝 방법
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LED 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 LED 반도체 기판의 표면에 복수개의 픽셀 영역을 집속이온빔을 이용하여 패터닝하는 단계; 및 상기 LED 반도체 기판 중 적어도 일부분에 LED 구동을 위한 금속 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 픽셀 영역을 제외한 상기 표면의 적어도 일부분에 집속이온빔으로 이온을 주입하여 결함을 갖는 이온주입 영역을 형성하는 것인, 마이크로 LED의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속 전극을 형성하는 단계는, 상기 픽셀 영역 상에 LED 구동을 위한 금속 전극을 형성하는 것인, 상기 LED 반도체
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제12항에 있어서,상기 금속 전극을 형성하는 단계는,상기 픽셀 영역 상에 전류 분산층을 형성하는 단계; 및상기 전류 분산층 상에 금속 박막층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 마이크로 LED의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 금속 전극을 형성하는 단계는,상기 LED 반도체 기판을 식각하여 반도체층을 노출시키는 단계; 및 상기 반도체층 상에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 마이크로 LED의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 금속 전극을 형성하는 단계는, 상기 LED 반도체 기판에서 상기 픽셀 영역이 형성된 면의 반대면에 금속 전극을 형성하고, 상기 금속 전극을 형성하는 단계는, 상기 LED 반도체 기판에서 반도체층과 기판을 분리하는 단계; 상기 반도체층을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 상기 반도체층 상에 금속 전극을 형성하는 단계; 을 포함하는 것인,마이크로 LED의 제조방법
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LED 반도체 기판; 상기 기판의 표면에 형성된 복수개의 픽셀 영역; 및상기 픽셀 영역을 제외한 상기 표면의 적어도 일부분은 집속이온빔에 의한 이온주입 영역;을 포함하고,상기 픽셀 영역은, 상기 픽셀 영역에 해당되는 LED 반도체 기판 표면 상에 형성된 전류 분산층; 및 상기 전류 분산층 상에 형성된 금속 박막층을 포함하는 발광체 구조;를 포함하는, 마이크로 LED
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제17항에 있어서,상기 복수개의 픽섹 영역은, 상기 발광체 구조에 의한 적색, 녹색 및 청색 발광 영역을 갖는 서브 픽셀 단위로 구동되는 것인, 마이크로 LED
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제17항의 마이크로 LED를 포함하는, 마이크로 LED 디스플레이
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