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a) 제1웨이퍼 및 단결정 박막을 포함하는 제2웨이퍼를 접합하되, 상기 단결정 박막이 제1웨이퍼의 상부면과 접하는 접합 구조체 형성 단계;b) 상기 접합 구조체의 가장자리 접합부에 엣지 보호막을 형성하는 단계; 및c) 상기 엣지 보호막이 형성된 접합 구조체에 포함된 상기 단결정 박막을 제외한 제2웨이퍼의 하부면을 식각하는 단계;를 포함하는 단결정 박막의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 제2웨이퍼는 엣지 제외 영역(Edge-exclusion)을 포함하는 것인, 단결정 박막의 전사방법
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제2항에 있어서,상기 a) 단계에서 형성된 접합 구조체의 가장자리 접합부는 상기 엣지 제외 영역으로부터 기인한 보이드를 포함하는 단결정 박막의 전사방법
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제3항에 있어서,상기 b) 단계의 엣지 보호막은 상기 보이드에 형성되는 것인 단결정 박막의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 제1웨이퍼 및 제2웨이퍼는 각각 제1웨이퍼 및 상기 제2웨이퍼에 포함되는 단결정 박막 상에 위치하는 실리콘 산화물 층을 더 포함하는 단결정 박막의 전사방법
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제5항에 있어서,상기 제1웨이퍼 및 제2웨이퍼의 접합은 산화물-산화물 본딩에 의해 접합되는 것인, 단결정 박막의 전사방법
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제5항에 있어서,상기 엣지 보호막은 SOG(spin on glass) 용액을 도포 및 산화분위기 하에서 열처리하여 형성되는 단결정 박막의 전사방법
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제7항에 있어서,상기 SOG 용액의 도포는 브러쉬 도포법을 이용하여 수행되는 단결정 박막의 전사방법
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제7항에 있어서,상기 열처리는 350 내지 500 ℃의 온도에서 수행되는 단결정 박막의 전사방법
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제7항에 있어서,상기 도포 및 열처리는 적어도 2회 이상 반복 수행되는 단결정 박막의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 c) 단계의 식각은 에칭액을 이용한 습식 공정을 통해 수행되는 것인 단결정 박막의 전사방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 박막은 단결정 반도체 막인 단결정 박막의 전사방법
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 단결정 박막의 전사방법을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 반도체 소자의 제조방법은 모놀리식 3차원(M3D) 적층 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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