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하기 화학식 (1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 플루오렌 기반의 자외선 영역 선택적 흡수 염료: (1)상기 화학식 (1)에서,π는 치환 또는 비치환의 C4-C10 아릴, 또는 치환 또는 비치환의 C3-C10 헤테로아릴이고,앵커링 그룹(anchoring group)은 cyanoacrylic acid 앵커, Catechol 앵커, Pyridyl 앵커, Phosphonate 앵커, 2-Hydroxylbenzonitrile 앵커, Pyridine-N-oxide 앵커, Hydroxamate 앵커 및 Sulfonate 앵커로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이며,치환기는 할로겐 원소, 히드록시, C1-C10 알킬, 및 C1-C10 알콕시로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이며; 및헤테로 원자는 N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이다
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제 1 항에 있어서,상기 π는 치환 또는 비치환의 C6 아릴, 또는 치환 또는 비치환의 C5 헤테로 아릴이며, 여기서 치환기는 C1-C3 알킬이고, 헤테로 원자는 N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플루오렌 기반의 자외선 영역 선택적 흡수 염료
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제 1 항에 있어서,상기 π는 C6 아릴, 또는 C4 헤테로 아릴이며, 여기서 헤테로 원자는 O 및 S로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플루오렌 기반의 자외선 영역 선택적 흡수 염료
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제 1 항에 있어서,상기 앵커링 그룹은 cyanoacrylic acid 앵커인 것을 특징으로 하는 플루오렌 기반의 자외선 영역 선택적 흡수 염료
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제 1 항에 있어서,상기 화학식(1)의 염료는 화학식 (1-1) 내지 화학식 (1-3)으로 이루어진 군에선 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플루오렌 기반의 자외선 영역 선택적 흡수 염료: 화학식 (1-1) 화학식 (1-2) 화학식 (1-3)
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제 1 항에 따른 화학식 (1)의 자외선 영역 선택적 흡수 염료의 제조방법으로,플루오렌 할로겐화물과 A-π-CHO의 소노가시라(Sonogashira) 커플링 반응을 수행 후, 노베나겔(Knoevenagel) 축합반응을 통해 말단에 앵커링 그룹(anchoring group)를 결합하는 단계(상기에서, A는 할로겐 원소; 또는 -OS(O)2CF3, -OS(O)2-아릴, OS(O)2CH3, -B(OH)2, -BF4Na 또는 -BF4K이고, π, 앵커링 그룹은 제1항에서 정의한 바와 같다);를 포함하는 것을 특징으로 하는 플루오렌 기반의 자외선 영역 선택적 흡수 염료의 제조방법
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제 1 항에 따른 자외선 영역 선택적 흡수 염료를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지
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