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레이셔메트리 거동을 갖는 수은 선택적 형광 감응성화학센서

  • 기술번호 : KST2015182197
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물에 의해, 수은이온(Hg2+)이 선택적으로 검출되는 수은 선택적 형광감응성 화학센서에 관한 것이다.본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물의 부가적인 결합자리에 아미노파이렌을 형광 감응부위로 도입하여 신규한 형광감응성 화합물을 제조하고, 상기 형광감응성 화합물이 수은이온(Hg2+) 검출에 있어서, 다른 금속에 영향을 받지 않고, 낮은 농도에서도 형광감응하고, 과량의 물을 포함하는 용액하에서도 마이크로몰 단위로 신속히 검출하는 수은이온(Hg2+)에 대한 선택적인 온-오프 형태의 형광 특이성을 지닌 스위치형태의 수은 선택적 형광감응성 화학센서를 제공하므로, 환경 및 의학 분야에 유용하게 활용될 것이다. (상기에서, R은 이고, n은 0 내지 1이다.) 수은, 형광감응성 화학센서, 아미노파이렌, 레이셔메트리
Int. CL G01N 21/64 (2006.01.01) C07C 235/06 (2006.01.01) C07D 273/08 (2006.01.01) C07C 235/24 (2006.01.01) C07C 235/16 (2006.01.01) C07C 323/60 (2006.01.01) C09B 57/00 (2006.01.01)
CPC G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01)
출원번호/일자 1020070035639 (2007.04.11)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0862606-0000 (2008.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081009) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장석규 대한민국 경기 과천시
2 김준수 대한민국 서울 강남구
3 최명길 대한민국 경기 광주시
4 송기철 대한민국 인천 남동구
5 안상두 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신동준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0277893-07
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0280231-74
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2007.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0351181-22
4 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2007.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0350870-04
5 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2007.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0350871-49
6 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2007.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0351153-54
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0001356-49
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0186666-18
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0388950-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0388949-70
12 등록결정서
Decision to grant
2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0503966-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물에 의해, 수은이온(Hg2+)이 선택적으로 검출되며, 하기 반응식 1에 의하여 수행되어 레이셔메트리 거동을 갖는 것을 특징으로 하는 수은 선택적 형광 감응성 화학센서
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 수은 선택적 형광감응성 화학센서가 메탄올:물의 혼합비율이 1: 1 내지 2 부피비 조건하에서 온-오프형의 형광 특이성을 지닌 것을 특징으로 하는 상기 레이셔메트리 거동을 갖는 수은 선택적 형광 감응성 화학센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 수은이온(Hg2+)이 10-6 몰단위로 검출되는 것을 특징으로 하는 상기 레이셔메트리 거동을 갖는 수은 선택적 형광 감응성 화학센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 2로 표시되는 3,6-다이옥사옥탄다이아미드의 파이렌 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 레이셔메트리 거동을 갖는 수은 선택적 형광 감응성 화학센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3으로 표시되는 3,6-다이옥사옥탄다이아미드의 메틸파이렌 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 레이셔메트리 거동을 갖는 수은 선택적 형광 감응성 화학센서
7 7
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 7로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 레이셔메트리 거동을 갖는 수은 선택적 형광 감응성 화학센서
8 8
하기 화학식 1로 표시되는 형광감응성 화합물
9 9
1) 옥탄디오닉산(3)을 옥살릴 클로라이드((COCl)2)가 함유된 유기용액에 첨가하여 반응용액을 제조하고, 2) 상기 반응용액에 아미노파이렌계 화합물(2)이 상기 옥탄디오닉산(3)에 대하여, 2
10 10
제9항에 있어서, 상기 단계 2)의 반응이후, 물과 다이클로로메탄 유기용매로 수세하여 유기층을 얻고, 상기 유기층에서 용매를 제거하고, 다이클로로메탄 및 메탄올의 용매조합으로 실시하는 재결정공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 상기 형광감응성 화합물의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 단계 1)의 옥살릴 클로라이드가 옥탄디오닉산(3)에 대하여, 3 내지 5 당량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 상기 형광감응성 화합물의 제조방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 단계 1) 및 단계 2)의 유기용액이 극성을 띄는 소수성 유기용매에 용해되는 것을 특징으로 하는 상기 형광감응성 화합물의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07964721 US 미국 FAMILY
2 US20080255346 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008255346 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7964721 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.