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플라즈마 공정 모니터링 방법, 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 플라즈마 발생 장치

  • 기술번호 : KST2023006504
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 플라즈마가 발생되는 챔버, 챔버 내부에 배치되는 적어도 하나의 센서, 상기 센서에 서로 다른 주파수를 가지는 3개 이상의 정현파 전압을 인가하는 전압 인가부,상기 센서에 흐르는 출력 전류를 측정하는 측정 회로부 및 상기 정현파 전압에 대한 정보 및 상기 출력 전류에 대한 정보를 기초로 상기 챔버 내부에 있는 유전체의 두께를 산출하는 데이터 처리부를 포함할 수 있다.
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32642(2013.01) H01J 2237/3321(2013.01)
출원번호/일자 1020220021010 (2022.02.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0123791 (2023.08.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.02.17)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진욱 서울특별시 성동구
2 서범준 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 해움특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** ,동관 ****호 ****호, ****호, ****호 (역삼동, 한신인터밸리**빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-0181174-22
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마가 발생되는 챔버;챔버 내부에 배치되는 적어도 하나의 센서;상기 센서에 서로 다른 주파수를 가지는 3개 이상의 정현파 전압을 인가하는 전압 인가부;상기 센서에 흐르는 출력 전류를 측정하는 측정 회로부; 및상기 정현파 전압에 대한 정보 및 상기 출력 전류에 대한 정보를 기초로 상기 챔버 내부에 있는 유전체의 두께를 산출하는 데이터 처리부;를 포함하는, 플라즈마 발생 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 데이터 처리부는,상기 유전체가 증착되어 발생되는 유전체 캐패시터, 상기 플라즈마에 인접하게 발생되는 쉬스 영역의 쉬스 캐패시터 및 쉬스 저항의 회로 구성으로 등가 회로 모델을 이용하여, 상기 유전체의 두께를 산출하는, 플라즈마 발생 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 3개 이상의 정현파 전압은,서로 다른 주파수를 가지는 제1정현파, 제2정현파 및 제3정현파를 포함하는, 플라즈마 발생 장치
4 4
제 3항에 있어서,상기 전압 인가부는,상기 제1정현파, 상기 제2정현파 및 상기 제3정현파를 동시에 인가하거나, 시간 차이를 두고 인가하는, 플라즈마 발생 장치
5 5
제 4항에 있어서,상기 데이터 처리부는,상기 제1정현파, 상기 제2정현파 및 상기 제3정현파를 인가하였을 때, 각각 측정되는 전류의 크기 및 상기 등가 회로 모델의 임피던스 정보를 기초로 상기 유전체의 두께를 산출하는, 플라즈마 발생 장치
6 6
제 2항에 있어서,상기 데이터 처리부는,상기 유전체에 발생되는 프린징 효과(fringing effect)를 고려하여 산출된 정보를 기초로 상기 유전체의 두께를 다시 산출하는, 플라즈마 발생 장치
7 7
제 2항에 있어서,상기 데이터 처리부는,상기 정현파 전압에 대한 정보 및 상기 출력 전류에 대한 정보를 기초로 상기 챔버 내부에 있는 엣지 링(edge ring)의 두께를 산출하는, 플라즈마 발생 장치
8 8
제7 항에 있어서,산출된 상기 엣지 링의 두께와 미리 설정된 기준 두께와의 차이를 계산한 후, 상기 차이가 미리 설정된 범위를 벗어나는 경우, 상기 차이만큼 상기 엣지 링을 상부로 이동시키는 제어부;를 더 포함하는, 플라즈마 발생 장치
9 9
플라즈마가 생성되는 챔버 내부에 배치되는 적어도 하나의 센서에 서로 다른 주파수를 가지는 3개 이상의 정현파 전압을 인가하는 전압 인가부;상기 센서에 흐르는 출력 전류를 측정하는 측정 회로부; 및상기 정현파 전압에 대한 정보 및 상기 출력 전류에 대한 정보를 기초로 상기 챔버 내부에 있는 유전체의 두께를 산출하는 데이터 처리부;를 포함하는, 플라즈마 공정 모니터링 장치
10 10
제 9 항에 있어서,상기 데이터 처리부는,상기 유전체가 증착되어 발생되는 유전체 캐패시터, 상기 플라즈마에 인접하게 발생되는 쉬스 영역의 쉬스 캐패시터 및 쉬스 저항의 회로 구성으로 등가 회로 모델을 이용하여, 상기 유전체의 두께를 산출하는, 플라즈마 공정 모니터링 장치
11 11
제 10 항에 있어서,상기 3개 이상의 정현파 전압은, 서로 다른 주파수를 가지는 제1정현파, 제2정현파 및 제3정현파를 포함하고, 상기 전압 인가부는, 상기 제1정현파, 상기 제2정현파 및 상기 제3정현파를 동시에 인가하거나, 시간 차이를 두고 인가하는, 플라즈마 발생 장치
12 12
제 10항에 있어서,상기 데이터 처리부는,상기 유전체에 발생되는 프린징 효과(fringing effect)를 고려하여 산출된 정보를 기초로 상기 유전체의 두께를 다시 산출하는, 플라즈마 공정 모니터링 장치
13 13
제 10항에 있어서,상기 데이터 처리부는,상기 정현파 전압에 대한 정보 및 상기 출력 전류에 대한 정보를 기초로 상기 챔버 내부에 있는 유전체의 두께를 산출하는, 플라즈마 공정 모니터링 장치
14 14
제13항에 있어서,산출된 상기 엣지 링의 두께와 미리 설정된 기준 두께와의 차이를 계산한 후, 상기 차이가 미리 설정된 범위를 벗어나는 경우, 상기 차이만큼 상기 엣지 링을 상부로 이동시키는 제어부;를 더 포함하는, 플라즈마 공정 모니터링 장치
15 15
플라즈마가 생성되는 챔버 내부에 배치되는 적어도 하나의 센서에 서로 다른 주파수를 가지는 3개 이상의 정현파 전압을 인가하는 전압 인간 단계;상기 센서에 흐르는 출력 전류를 측정하는 전류 측정 단계; 및상기 정현파 전압에 대한 정보 및 상기 출력 전류에 대한 정보를 기초로 상기 챔버 내부에 있는 유전체의 두께를 산출하는 데이터 처리 단계;를 포함하는, 플라즈마 공정 모니터링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.