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도전성 빔을 갖는 제1 전극과, 상기 도전성 빔의 양측에 배치되며 상기 도전성 빔과의 사이에 인가된 동작 전압에 의한 정전기력에 의해 상기 도전성 빔을 견인하는 제2 및 제3 전극을 포함하며, 상기 도전성 빔은 상기 제2 또는 제3 전극에 견인되어 점착된 후, 상기 정전기력이 제거되어도 점착 상태가 유지되는 스위칭부; 및입력 데이터에 포함된 논리 연산의 종류에 따라 연산 모드를 결정하고, 상기 결정된 상기 연산 모드에 따라 상기 제2 및 제3 전극 중 어느 하나에 상기 동작 전압을 인가하여 상기 도전성 빔의 초기 위치를 세팅하고, 상기 결정된 상기 연산 모드에 따라 상기 제1 내지 제3 전극 중 적어도 하나를 선택하여 상기 입력 데이터에 포함된 논리값에 대응하는 소정의 전압을 인가하는 제어부를 포함하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 입력 데이터는 AND 연산, NAND 연산, NOT 연산, XOR 연산, 및 XNOR 연산 중 어느 하나를 포함하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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3
제2항에 있어서,상기 입력 데이터에 제1 및 제2 논리값의 AND 연산이 포함되면,상기 제어부는,상기 제2 전극에 상기 동작 전압을 인가하여 상기 도전성 빔의 초기 위치를 세팅하고,상기 제1 전극에 상기 동작 전압의 -1/2배의 전압을 상기 제1 논리값의 참값으로 인가하고,상기 제3 전극에 상기 동작 전압의 1/2배의 전압을 상기 제2 논리값의 참값으로 인가하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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4
제2항에 있어서,상기 입력 데이터에 제1 및 제2 논리값의 NAND 연산이 포함되면,상기 제어부는,상기 제3 전극에 상기 동작 전압을 인가하여 상기 도전성 빔의 초기 위치를 세팅하고,상기 제1 전극에 상기 동작 전압의 -1/2배의 전압을 상기 제1 논리값의 참값으로 인가하고,상기 제2 전극에 상기 동작 전압의 1/2배의 전압을 상기 제2 논리값의 참값으로 인가하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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5
제2항에 있어서,상기 입력 데이터에 제1 논리값의 NOT 연산이 포함되면,상기 제어부는,상기 제3 전극에 상기 동작 전압을 인가하여 상기 도전성 빔의 초기 위치를 세팅하고,상기 제1 전극을 접지하고,상기 제2 전극에 상기 동작 전압 이상의 전압을 상기 제1 논리값의 참값으로 인가하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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6
제2항에 있어서,상기 입력 데이터에 제1 및 제2 논리값의 XOR 연산이 포함되면,상기 제어부는,상기 제2 전극에 상기 동작 전압을 인가하여 상기 도전성 빔의 초기 위치를 세팅하고,상기 제1 전극에 상기 동작 전압 이상의 전압을 상기 제1 논리값의 참값으로 인가하고,상기 제3 전극에 상기 동작 전압 이상의 전압을 상기 제2 논리값의 참값으로 인가하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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7
제1항에 있어서,상기 제어부는 상기 제1 내지 제3 전극 중 선택되지 않은 전극에 플로팅(floating) 전압을 인가하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 도전성 빔은 금속, 탄소나노튜브, 그래핀, 및 도전성 폴리머 중 어느 하나를 포함하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 내지 제3 전극은 동일한 도전 물질로 이루어진 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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10
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 도전성 빔 이외의 연결부를 더 포함하는 전기기계적 로직-인-메모리 소자
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