| 1 |
1
제1 전극; 및바디부 및 상기 바디부에 연결된 캔틸레버를 포함하는 제2 전극;을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 인가되는 전압에 의해 발생하는 정전기력에 의하여 상기 캔틸레버의 일단이 상기 제1 전극과 접촉하거나,상기 바디부의 양단에 인가되는 전압에 의해 발생하는 열에 의하여 상기 캔틸레버의 일단이 상기 제1 전극으로부터 분리되는 스위치 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 바디부는 오목 형상을 가지는 스위치 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 캔틸레버의 일단의 하부에 배치되고,상기 정전기력에 의하여 상기 캔틸레버의 일단이 하방 이동하여 상기 제1 전극과 접촉하는 스위치 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 정전기력에 의하여 접촉된 상기 제1 전극과 상기 캔틸레버 사이의 점착력은 상기 캔틸레버의 복원력보다 큰 스위치 소자
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 열에 의한 상기 바디부의 열팽창력과 상기 복원력의 합은 상기 점착력보다 큰 스위치 소자
|
| 6 |
6
제1 전극; 및제2-1 전극, 제2-2 전극 및 엔지니어드 빔을 포함하는 제2 전극;을 포함하고,상기 엔지니어드 빔은 상기 제2-1 전극의 오목 형상의 바디부 및 상기 제2-2 오목 형상의 바디부 사이에 연결되고, 상기 제2-1 전극의 바디부와 상기 제2-2 전극의 바디부 사이에 흐르는 전류에 의하여 발생하는 열에 따른 열팽창에 기초하여, 상기 엔지니어드 빔이 상기 제1 전극과 접촉하거나,상기 제2-1 전극의 바디부의 양단에 흐르는 전류에 의하여 발생하는 열에 따른 열팽창과, 상기 제2-2 전극의 바디부의 양단에 흐르는 전류에 의하여 발생하는 열에 따른 열팽창에 기초하여, 상기 엔지니어드 빔이 상기 제1 전극으로부터 분리되는 스위치 소자
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 엔지니어드 빔은 상기 제2-1 전극 및 상기 제2-2 전극 사이에 흐르는 전류에 의하여, 하방으로 열팽창이 발생하는 접촉부;를 포함하는 스위치 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 접촉부의 상면으로부터 돌출되며 소정 면적을 갖는 딤플부;를 포함하는 스위치 소자
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 접촉부는 상기 엔지니어드 빔에 구비된 단차부 사이에 배치되는 스위치 소자
|
| 10 |
10
제6항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 엔지니어드 빔의 중심부의 하부에 배치되고,상기 열에 의하여, 상기 제2-1 전극과 상기 제2-2 전극을 연결하는 엔지니어드 빔의 중심부가 하방 이동하여 상기 제1 전극과 접촉하는 스위치 소자
|
| 11 |
11
제1 전극;상기 제1 전극의 상부에 배치된 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나에 인가되는 전압에 의해 발생하는 정전기력 또는 열에 따라 프로그램 상태 또는 이레이즈 상태로 동작하는 메모리 장치
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가된 전압에 의하여 발생된 정전기력에 기초하여, 상기 제2 전극에 구비된 캔틸레버의 일단과 상기 제1 전극이 접촉되어 프로그램 상태로 동작하고,상기 제2 전극의 바디부의 양단에 인가된 전압에 의하여 발생된 열에 기초하여, 상기 캔틸레버의 일단이 상기 제1 전극으로부터 분리되어 이레이즈 상태로 동작하는 메모리 장치
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 제2 전극은, 제2-1 전극, 제2-2 전극 및 엔지니어드 빔을 포함하되, 상기 엔지니어드 빔은 상기 제2-1 전극의 바디부 및 상기 제2-2 바디부 사이에 연결되고, 상기 제2-1 전극의 바디부와 상기 제2-2 전극의 바디부 사이에 흐르는 전류에 의하여 발생하는 열에 따른 열팽창에 기초하여, 상기 엔지니어드 빔이 상기 제1 전극과 접촉하여 프로그램 상태로 동작하고,상기 제2-1 전극의 바디부의 양단에 흐르는 전류에 의하여 발생하는 열에 따른 열팽창과, 상기 제2-2 전극의 바디부의 양단에 흐르는 전류에 의하여 발생하는 열에 따른 열팽창에 기초하여, 상기 엔지니어드 빔이 상기 제1 전극으로부터 분리되어 이레이즈 상태로 동작하는 메모리 장치
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 엔지니어드 빔은 상기 제2-1 전극 및 상기 제2-2 전극 사이에 흐르는 전류에 의하여, 하방으로 열팽창이 발생하는 접촉부;를 포함하는 메모리 장치
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 접촉부의 접촉면으로부터 돌출되며, 소정 면적을 갖는 딤플부;를 포함하는 메모리 장치
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 접촉부는 상기 엔지니어드 빔에 구비된 단차부 사이에 배치되는 메모리 장치
|
| 17 |
17
제14항에 있어서,상기 접촉부가 배치되는 평면은 상기 엔지니어드 빔의 양단이 위치하는 평면보다 낮게 위치하는 메모리 장치
|
