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금속 전구체 및 수산화 이온을 함유하는 용액 상에 기판을 함침하는 단계;상기 용액 상에 제 1 전압을 인가하여 상기 기판 상에 금속 나노입자를 증착하는 단계; 및상기 용액 상에 제 2 전압을 인가하여 상기 기판 상에 금속 산화물 층을 형성하는 단계;를 포함하는,산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 상기 기판 상에 금속 섬(metal island) 형태로 증착되는 것인,산화물 반도체의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 금속 나노입자에 의해 상기 금속 산화물이 003c#111003e# 방향 우선성장하는 것인,산화물 반도체의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 금속 나노입자에 의해 상기 금속 산화물 층의 결정 경계(grain boundary)가 상기 기판 상에 수직으로 형성되는 것인,산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전압은 0
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 전압은 -0
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전압은 1 분 내지 10 분 동안 인가되는 것인,산화물 반도체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 2 전압은 -0
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제 1 항에 있어서, 상기 용액의 pH 는 7 초과인 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 Cu, Au, Pt, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, 및 이들의 조합들로 이루어진 금속을 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 용액은 H2O 및 pH 조절제를 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 ITO, FTO, 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전압은 Pt, Au, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 전극을 통해 인가되는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 13 항에 중 어느 한 항에 따라 제조된, 산화물 반도체
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제 14 항에 따른 산화물 반도체를 광 흡수층으로 사용하는, 광전극 소자
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