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적어도 하나 이상의 급전부; 적어도 하나 이상의 방사부; 상기 급전부 및 상기 방사부가 배치되며 적층 구조로 이루어진 복수 개의 유전체 기판들; 적층된 상기 복수 개의 유전체 기판들 사이에 배치되는 액정 공동; 및 전원 공급 장치로부터 전원을 공급 받아 상기 방사부를 통해 상기 액정 공동에 전기장을 인가하는 적어도 하나 이상의 DC 바이어스 선로를 포함하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 급전부는, 안테나의 공진 주파수 가변에 따라 광대역 주파수 신호를 전송 및 수신하는 급전 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 급전부는, 광대역 주파수를 급전하도록 H-슬롯(H-slot) 형태로 이루어진 개구 결합 슬롯을 포함하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 방사부는, 안테나의 동작 주파수의 가변 범위 확장 및 소형화를 위해 도전성 금속 패치로 이루어진 미앤더 라인 슬롯을 포함하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 방사부는, 상기 액정 공동의 하측에 배치되는 패치 형태의 제1 방사부; 및 상기 액정 공동의 상측에 배치되는 패치 형태의 제2 방사부를 포함하고, 상기 제1 방사부 및 상기 제2 방사부 간 전위 차이는 상기 액정 공동에 인가되는 전기장의 세기를 변화시켜 액정의 유전 특성이 가변되는 것을 포함하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 액정 공동은, 상기 방사부와 접지면이 위치하는 상기 복수 개의 유전체 기판들 사이에 위치하고, 액정이 주입되어 누설 없이 채워질 수 있는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 액정 공동은, 복수 개의 상기 방사부 사이에 배치되며, 공진 영역의 프린지 필드(Fringe Field)를 고려해 복수 개의 상기 방사부의 패치 대비 넓은 크기로 결정되는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 DC 바이어스 선로는, 상기 방사부에 배치되며, 액정의 유전 특성 가변을 유도하여 상기 액정 공동의 위상을 가변하기 위해, 접지면과의 전위차를 가지도록 안테나의 외부 전원 공급 장치로부터 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제1항에 있어서,상기 DC 바이어스 선로는, 전원 공급 장치로부터 전원을 공급 받아 상기 제1 방사부에 전압을 인가하는 제1 DC 바이어스 선로; 및 전원 공급 장치로부터 전원을 공급 받아 상기 제2 방사부에 전압을 인가하는 제2 DC 바이어스 선로를 포함하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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패치 형태의 제2 방사부와, 전원 공급 장치로부터 전원을 공급 받아 상기 제2 방사부에 전압을 인가하는 제2 DC 바이어스 선로가 구성되는 제1 기판; 상기 제1 기판의 하측에 배치되며, 액정이 주입되는 액정 공동이 구성되는 제2 기판; 상기 제2 기판의 하측에 배치되며, 패치 형태의 제1 방사부와, 전원 공급 장치로부터 전원을 공급 받아 상기 제1 방사부에 전압을 인가하는 제1 DC 바이어스 선로가 구성되는 제3 기판; 및 상기 제3 기판의 하측에 배치되며, 급전부 및 접지면이 구성되고, 상기 급전부에서 상기 제1 방사부로 신호를 전송하기 위한 급전 구조가 포함된 제4 기판을 포함하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 제1 기판, 상기 제2 기판, 상기 제3 기판 및 상기 제4 기판은 적층 구조로 이루어진 복수 개의 유전체 기판들인 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 제2 방사부는, 안테나의 동작 주파수의 가변 범위 확장 및 소형화를 위해 도전성 금속 패치로 이루어진 미앤더 라인 슬롯을 포함하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 제2 DC 바이어스 선로는, 상기 제3 기판의 상기 제1 방사부와 전위차를 주기 위해 상기 제2 방사부에 연결되어 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 액정 공동은, 상기 제1 방사부 및 상기 제2 방사부를 포함하는 유전체 기판 사이에 위치하고, 액정이 주입되어 누설 없이 채워질 수 있는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 액정 공동은, 상기 제1 기판의 상기 제2 방사부의 하측에 배치되며, 공진 영역의 프린지 필드(Fringe Field)를 고려해 상기 제2 방사부의 패치 대비 넓은 크기로 결정되는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 제3 기판 간 전위 차이는 상기 제2 기판의 상기 액정 공동에 인가되는 전기장의 세기를 변화시켜 액정의 유전 특성이 가변되는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 제1 DC 바이어스 선로는, 상기 제3 기판의 상기 제1 방사부에 배치되며, 액정의 유전 특성 가변을 유도하여 상기 액정 공동의 위상을 가변하기 위해 상기 접지면과의 전위차를 가지도록 안테나의 외부 전원 공급 장치로부터 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 급전부는, 안테나의 공진 주파수 가변에 따라 광대역 주파수 신호를 전송 및 수신하는 개구 결합 슬롯을 포함하는 급전 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제18항에 있어서,상기 개구 결합 슬롯은, 광대역 주파수를 급전하도록 H-슬롯(H-slot) 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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제10항에 있어서,상기 제4 기판은, 마이크로스트립 라인의 급전을 위한 동축선과 마이크로스트립 라인 간 트랜지션(Transition) 구조를 포함하고, 상기 트랜지션 구조에는 도전성 비아가 복수 개 배치되는 것을 특징으로 하는, 액정 기반 마이크로스트립 패치 안테나
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