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Double PIFA 구조의 광대역 RFID 태그안테나

  • 기술번호 : KST2014011541
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나에 관한 것으로서, 단부가 단락되도록 꺾인 전송선로로 근접 결합 급전 구조를 이용하여 급전부를 형성시킴으로써, 임피던스의 정합이 용이하고, Double-PIFA(Planar Inverted-F Antenna)구조의 방사부는 1/8 파장의 크기로 금속위에 방사 패치층이 형성됨으로써 금속부착이 가능하고 소형화가 가능한 구조이며, 입력 리액턴스 특성은 급전부의 길이 또는 주 급전부와 부 급전부 사이의 폭을 조절함으로써, 입력 저항 특성은 급전부와 방사 패치 사이의 거리를 조절함으로써 용이하게 조정가능하고, 금속 표면에 부착되더라도 공진 주파수가 일정하여 산업화가 가능하며, 북미의 RFID 주파수 대역인 902MHz~928MHz에서 동작하는 광대역 RFID 태그 안테나를 제공하기 위한 것으로서, 그 기술적 구성은 하부에 형성된 PIFA(Planer Inverted-F Antenna) 하부 방사 패치층과, 상기 하부 방사 패치층의 상부면에 적층되는 PIFA(Planer Inverted-F Antenna) 상부 방사 패치층으로 이루어지는 더블 방사 패치층; 상기 하부 방사 패치층의 타면에 형성된 접지층; 상기 하부 방사 패치층과 동일한 면에 평행하도록 형성시켜 RF 전력을 상기 각 방사 패치층으로 공급하는 급전부; 상기 급전부의 일측에 구비되는 태그칩; 상기 각 방사 패치층의 일측 및 상기 급전부의 일측을 접지면과 단락시키는 단락부; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Double-PIFA, RFID, 태그 안테나, 패치, 급접 결합 급전 구조
Int. CL H01Q 9/04 (2006.01) H01Q 5/00 (2006.01) H01Q 1/24 (2006.01)
CPC H01Q 9/0421(2013.01) H01Q 9/0421(2013.01) H01Q 9/0421(2013.01) H01Q 9/0421(2013.01)
출원번호/일자 1020070025407 (2007.03.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0886132-0000 (2009.02.23)
공개번호/일자 10-2008-0084133 (2008.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20090227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명로훈 대한민국 대전 유성구
2 임상호 대한민국 인천 부평구
3 오영철 대한민국 서울 광진구
4 임호 대한민국 대전 유성구
5 배기웅 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0208655-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006570-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0092151-91
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0278739-97
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0278741-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0439242-31
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0742251-25
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0742253-16
10 등록결정서
Decision to grant
2009.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0078836-63
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
접지층;상기 접지층 상부에 이격되어 형성되는 하부 방사 패치층;상기 하부 방사 패치층 상부에 이격되어 형성되는 상부 방사 패치층;상기 하부 방사 패치층과 동일 평면상에 평행하게 이격되어 형성되고, 전자기장을 발생시켜 상기 상부 방사 패치층 및 하부 방사 패치층을 급전시키는 급전부;상기 급전부의 일단에 구비되는 태그칩; 및상기 상부 방사 패치층의 일측 단부, 상기 하부 방사 패치층의 타측 단부 및 상기 급전부의 타단에 각각 형성되어 상기 접지층과 연결시키는 단락부;를 포함하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
2 2
제1항에 있어서,상기 급전부는상기 하부 방사 패치층과 근접하게 형성된 주 급전부; 및상기 주 급전부로부터 절곡되어 상기 주 급전부와 동일 평면상에 이격되어 평행하게 형성되는 부 급전부;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
3 3
제1항에 있어서,상기 각 방사 패치층의 길이 또는 폭 또는 상기 단락부의 중심부에서부터 상기 각 방사 패치층의 일측 단부의 끝단까지의 거리(Dm)에 따라 상기 태그 안테나의 공진 주파수가 조정되는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
4 4
제1항에 있어서,상기 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나는 상기 급전부와 하부 방사 패치층 간의 거리(FPD)에 따라 입력 저항이 조절되는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
5 5
제1항에 있어서,상기 급전부는 근접 결합 급전 구조로 형성되어 상기 태그칩의 커패시턴스를 상쇄시키는 리액턴스를 생성하는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
6 6
제2항에 있어서,상기 주 급전부의 길이에 따라 입력 리액턴스가 조절되는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
7 7
제2항에 있어서,상기 급전부는 상기 주 급전부와 부 급전부를 흐르는 전류가 반대 방향으로 흐르도록 'ㄷ' 자 형태로 꺽여진 형상으로 형성되어, 상기 주 급전부와 부 급전부에 반대 방향의 전류가 흘러 상기 각 방사 패치층으로 유도되는 상호 유도량이 상쇄되는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
8 8
제1항에 있어서,λg를 안테나에 흐르는 신호의 파장(guided wavelength)이라고 할때, 상기 각 방사 패치층의 길이는 λg/8 인 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
9 9
제1항에 있어서,상기 단락부는 금속판인 단락면 또는 하나 이상의 단락핀으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
10 10
제1항에 있어서,상기 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나는 상기 접지층과 하부 방사 패치층 사이에 형성되는 일정 유전 상수를 가지는 하부 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
11 11
제10항에 있어서,상기 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나는 상기 상부 방사 패치층과 하부 방사 패치층 사이에 형성되는 일정 유전 상수를 가지는 상부 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
12 12
제11항에 있어서,상기 하부 유전체층 또는 상부 유전체층에는 상기 단락부가 결합되는 관통 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.