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저온 원자층 증착법을 이용하여 기판에 비정질 TiO2 박막을 형성하는 방법에 있어서,공정 챔버 내에 마련된 상기 기판에 Ti 전구체를 공급하여 흡착시키는 단계;상기 Ti 전구체가 흡착되지 않은 상기 기판에 상기 Ti 전구체를 노출시켜 상기 기판에 Ti 전구체막을 형성하는 단계;상기 Ti 전구체막에 O2 전구체를 공급하여 반응시키는 단계; 및상기 O2 전구체와 반응하지 않은 상기 Ti 전구체막에 상기 O2 전구체를 노출시켜 반응시킴으로써 상기 기판에 상기 TiO2 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 비정질 TiO2 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 저온 원자층 증착법은 200℃ 이하의 온도에서 수행되는 비정질 TiO2 박막의 형성 방법
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제 2 항에 있어서,상기 저온 원자층 증착법은 상온 이상 100℃ 이하의 온도에서 수행되는 비정질 TiO2 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 Ti 전구체를 노출시키는 단계는 상기 공정 챔버의 배출구(outlet)가 닫힌 상태에서 상기 공정 챔버 내에 있는 상기 Ti 전구체가 상기 기판에 노출됨으로써 수행되는 비정질 TiO2 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 O2 전구체를 노출시키는 단계는 상기 공정 챔버의 배출구가 닫힌 상태에서 상기 공정 챔버 내에 있는 상기 O2 전구체가 상기 상기 Ti 전구체막에 노출됨으로써 수행되는 비정질 TiO2 박막의 형성 방법
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기판에 상기 기판을 노출시키는 홀들을 포함하는 몰드를 형성하는 단계; 및저온 원자층 증착법을 이용하여 상기 몰드의 홀들을 채우도록 비정질 TiO2 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 비정질 TiO2 박막을 형성하는 단계는, 상기 홀들을 통해 노출된 상기 기판에 Ti 전구체를 공급하여 흡착시키는 단계;상기 Ti 전구체가 흡착되지 않은 상기 기판에 상기 Ti 전구체를 노출시켜 상기 기판에 Ti 전구체막을 형성하는 단계;상기 Ti 전구체막에 O2 전구체를 공급하여 반응시키는 단계; 및상기 O2 전구체와 반응하지 않은 상기 Ti 전구체막에 상기 O2 전구체를 노출시켜 반응시킴으로써 상기 기판에 상기 TiO2 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 저온 원자층 증착법은 200℃ 이하의 온도에서 수행되는 광학 구조물의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 홀들을 채우도록 상기 TiO2 박막을 형성한 다음, 상기 TiO2 박막에 평탄화 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 몰드는 유기물을 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 몰드는 포토레지스트(photoresist)를 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 몰드를 형성하는 단계는,상기 기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트층을 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 상기 홀들을 포함하는 상기 몰드를 형성하는 단계;를 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 몰드는 SOG(Spin-On-Glass) 소재를 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 몰드를 형성하는 단계는,상기 기판에 SOG 물질층 및 포토레지스트층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 포토리소그래피 공정으로 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 포토레지스트층을 식각 마스크로 이용하여 상기 SOG 물질층을 식각함으로써 상기 홀들을 포함하는 상기 몰드를 형성하는 단계;를 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 기판은 글라스 또는 실리콘을 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 기판은 이미지센서 웨이퍼 및 상기 이미지센서 웨이퍼에 마련된 스페이서층을 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 스페이서층은 SOG 소재 및 LTO(Low Temperature Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 광학 구조물의 제조방법
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기판; 및 상기 기판에 마련되는 제1 메타렌즈 어레이;를 포함하고,상기 제1 메타렌즈 어레이는, 유기물을 포함하며 상기 기판을 노출시키는 홀들이 형성되어 있는 몰드 및 상기 홀들을 채우도록 마련된 비정질 TiO2 박막을 포함하는 광학 구조물
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제 17 항에 있어서,상기 비정질 TiO2 박막은 200℃ 이하의 온도에서 수행되는 저온 원자층 증착법에 의해 형성되는 광학 구조물
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제 17 항에 있어서,상기 몰드는 포토레지스트를 포함하는 광학 구조물
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제 17 항에 있어서,상기 몰드는 SOG(Spin-On-Glass) 소재를 포함하는 광학 구조물
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제 17 항에 있어서,상기 기판은 글라스 또는 실리콘을 포함하는 광학 구조물
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제 17 항에 있어서,상기 광학 구조물은 이미지 센서를 포함하는 광학 구조물
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제 22 항에 있어서,상기 기판은 이미지센서 웨이퍼 및 상기 이미지센서 웨이퍼에 마련된 스페이서층을 포함하는 광학 구조물
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제 22 항에 있어서,상기 광학 구조물은 상기 제1 메타렌즈 어레이에 적층된 제2 메타렌즈 어레이를 더 포함하는 광학 구조물
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