| 1 |
1
제1 주파수의 초음파 신호를 출력하는 제1 트랜스듀서 셀(transducer cell); 및상기 제1 트랜스듀서 셀과 전기적으로 연결되어 상기 제1 트랜스듀서 셀과 동일한 전압으로 구동 가능하며, 상기 제1 주파수보다 높은 제2 주파수의 초음파 신호를 출력하는 제2 트랜스듀서 셀을 포함하는, 초음파 트랜스듀서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제2 트랜스듀서 셀은,상기 제2 트랜스듀서 셀의 캐비티 내부에 위치하여 상기 캐비티의 높이를 감소시키는 제2 나노 포스트를 포함하는, 초음파 트랜스듀서
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 트랜스듀서 셀은,기판;상기 기판 위에 형성된 제1 나노 포스트;상기 제1 나노 포스트를 덮는 멤브레인; 및상기 기판, 상기 제1 나노 포스트, 및 상기 멤브레인으로 둘러싸인 캐비티(cavity)를 포함하는, 초음파 트랜스듀서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제2 트랜스듀서 셀은,기판;상기 기판 위에 형성된 제1 나노 포스트;상기 제1 나노 포스트를 덮는 멤브레인;상기 기판, 상기 제1 나노 포스트, 및 상기 멤브레인으로 둘러싸인 캐비티; 및상기 캐비티 내부에 위치하며, 상기 멤브레인의 하부에 상기 멤브레인과 평행하게 형성되어 상기 멤브레인의 하부의 일부분을 노출시키거나 또는 상기 기판의 상부에 상기 기판과 평행하게 형성되어 상기 기판의 상부의 일부분을 노출시키는 제2 나노 포스트를 포함하는, 초음파 트랜스듀서
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제1 트랜스듀서 셀의 멤브레인의 직경은 상기 제2 트랜스듀서 셀의 멤브레인의 직경보다 더 큰 것인,초음파 트랜스듀서
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 제1 트랜스듀서 셀의 제1 나노 포스트의 높이와 상기 제2 트랜스듀서 셀의 제1 나노 포스트의 높이는 동일한 것인,초음파 트랜스듀서
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제1 트랜스듀서 셀의 풀인 전압 및 상기 제2 트랜스듀서 셀의 풀인 전압(pull in voltage)은 동일하고,상기 제1 트랜스듀서 셀 및 상기 제2 트랜스듀서 셀에 상기 풀인 전압 이상의 전압이 동시에 인가된 경우에 응답하여, 상기 제1 트랜스듀서 셀 및 상기 제2 트랜스듀서 셀은 동시에 붕괴 모드(collapse mode)로 동작하는,초음파 트랜스듀서
|
| 8 |
8
제1 웨이퍼를 패터닝하여, 제1 트랜스듀서 셀 및 제2 트랜스듀서 셀을 구성하는 제1 나노 포스트를 형성하는 동작;제2 웨이퍼를 패터닝하여 상기 제2 트랜스듀서 셀의 캐비티 내부에 위치하는 제2 나노 포스트를 형성하는 동작; 및패터닝된 제1 웨이퍼와 패터닝된 제2 웨이퍼를 본딩하여, 제1 주파수의 초음파 신호를 출력하는 상기 제1 트랜스듀서 셀 및 상기 제1 트랜스듀서 셀과 전기적으로 연결되어 상기 제1 트랜스듀서 셀과 동일한 전압으로 구동 가능하며 상기 제1 주파수보다 높은 제2 주파수의 초음파 신호를 출력하는 상기 제2 트랜스듀서 셀을 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 제1 나노 포스트를 형성하는 동작은,상기 제1 웨이퍼를 습식 산화시킴으로써 산화막을 생성하는 동작;상기 산화막 위에 포토레지스트 층을 형성하는 동작;상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 동작; 및패터닝된 포토레지스트 층에 기초하여 상기 산화막을 식각함으로써 제1 나노 포스트를 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 제2 나노 포스트를 형성하는 동작은,상기 제2 웨이퍼를 습식 산화시킴으로써 제1 산화막 및 제2 산화막을 포함하는 산화막을 형성하는 동작;상기 제1 산화막 위에 제1 포토레지스트 층을 형성하는 동작;상기 제1 포토레지스트 층을 패터닝하는 동작; 및패터닝된 제1 포토레지스트 층에 기초하여 상기 제1 산화막을 식각하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 제2 나노 포스트를 형성하는 동작은,상기 제2 산화막 위에 제2 포토레지스트 층을 형성하는 동작;상기 제2 포토레지스트 층을 패터닝하는 동작; 및패터닝된 제2 포토레지스트 층에 기초하여 상기 제2 산화막을 식각함으로써 얼라인 마크(align mark)를 형성하는 동작을 더 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 제2 트랜스듀서 셀을 형성하는 동작은,상기 패터닝된 제1 웨이퍼의 얼라인 마크 및 상기 패터닝된 제2 웨이퍼의 얼라인 마크에 기초하여 상기 패터닝된 제1 웨이퍼와 상기 패터닝된 제2 웨이퍼를 본딩하는 동작;상기 패터닝된 제2 웨이퍼를 식각하여 멤브레인을 형성하는 동작; 및상기 멤브레인 위에 전극을 배치하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 13 |
13
제1 웨이퍼를 패터닝하여 제2 트랜스듀서 셀의 캐비티 내부에 위치하는 제2 나노 포스트를 형성하는 동작;제2 웨이퍼를 패터닝하여, 제1 트랜스듀서 셀 및 상기 제2 트랜스듀서 셀을 구성하는 제1 나노 포스트를 형성하는 동작; 및패터닝된 제1 웨이퍼와 패터닝된 제2 웨이퍼를 본딩하여, 제1 주파수의 초음파 신호를 출력하는 상기 제1 트랜스듀서 셀 및 상기 제1 트랜스듀서 셀과 전기적으로 연결되어 상기 제1 트랜스듀서 셀과 동일한 전압으로 구동 가능하며 상기 제1 주파수보다 높은 제2 주파수의 초음파 신호를 출력하는 상기 제2 트랜스듀서 셀을 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 제2 나노 포스트를 형성하는 동작은,상기 제1 웨이퍼를 습식 산화시킴으로써 산화막을 생성하는 동작;상기 산화막 위에 포토레지스트 층을 형성하는 동작;상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 동작; 및패터닝된 포토레지스트 층에 기초하여 상기 산화막을 식각함으로써 상기 제2 나노 포스트를 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 제1 나노 포스트를 형성하는 동작은,상기 제2 웨이퍼를 습식 산화시킴으로써 제1 산화막 및 제2 산화막을 포함하는 산화막을 형성하는 동작;상기 제1 산화막 위에 제1 포토레지스트 층을 형성하는 동작;상기 제1 포토레지스트 층을 패터닝하는 동작; 및패터닝된 제1 포토레지스트 층에 기초하여 상기 제1 산화막을 식각하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 제1 나노 포스트를 형성하는 동작은,상기 제2 산화막 위에 제2 포토레지스트 층을 형성하는 동작;상기 제2 포토레지스트 층을 패터닝하는 동작; 및패터닝된 제2 포토레지스트 층에 기초하여 상기 제2 산화막을 식각함으로써 얼라인 마크(align mark)를 형성하는 동작을 더 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,상기 제2 트랜스듀서 셀을 형성하는 동작은,상기 패터닝된 제1 웨이퍼의 얼라인 마크 및 상기 패터닝된 제2 웨이퍼의 얼라인 마크에 기초하여 상기 패터닝된 제1 웨이퍼와 상기 패터닝된 제2 웨이퍼를 본딩하는 동작;상기 패터닝된 제2 웨이퍼를 식각하여 멤브레인을 형성하는 동작; 및상기 멤브레인 위에 전극을 배치하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
