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페로브스카이트; 및상기 페로브스카이트에 도핑되고, 히드록시기를 갖는 키랄성 도펀트;를포함하는 페로브스카이트 복합체
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제1항에 있어서,상기 키랄성 도판트가 아래 구조식 1 및 아래 구조식 2로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체:[구조식 1][구조식 2]상기 구조식 1 및 2에서,R1 및 R2는 서로 같거나 다르고, 각각 수소원자 또는 C1 내지 C5 알킬기이고, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다르고, 각각 C6 내지 C30의 아릴기이고,Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 C6 내지 C30의 아릴기이다
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트가 3차원 페로브스카이트인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체
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제3항에 있어서,상기 3차원 페로브스카이트가 아래 구조식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체:[구조식 3]ABX3상기 구조식 3에서, A는 세슘(Cs), 메틸암모늄(MA), 포름아미디늄(FA) 또는 이들의 조합이고,B는 납(Pb), 주석(Sn), 안티모니(Sb), 저마늄(Ge), 은(Ag), 비스무트(Bi), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 실리콘(Si) 또는 이들의 조합이고, X는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I) 또는 이들의 조합이다
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제3항에 있어서,상기 키랄성 도판트가 상기 3차원 페로브스카이트 결정과 이웃하는 3차원 페로브스카이트 결정 사이에 존재함으로써 상기 3차원 페로브스카이트 복합체가 키랄성을 갖는 것인 페로브스카이트 복합체
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트가 2차원 페로브스카이트인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체
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제6항에 있어서,상기 2차원 페로브스카이트가 아래 구조식 4 내지 7로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체:[구조식 4]ABX3[구조식 5]A2BX4[구조식 6]A3BX6[구조식 7]A3B2X7상기 구조식 4 내지 7에서,A는 S-메틸벤질암모늄, R-메틸벤질암모늄, S-부틸암모늄, R-부틸암모늄, S-나프틸에틸암모늄, R-나프틸에틸암모늄 또는 이들의 조합이고,B는 납(Pb), 주석(Sn), 안티모니(Sb), 저마늄(Ge), 은(Ag), 비스무트(Bi), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 실리콘(Si) 또는 이들의 조합이고, X는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I) 또는 이들의 조합이다
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제6항에 있어서,상기 키랄성 유기화합물이 상기 2차원 페로브스카이트의 유기 양이온과 혼합하여 존재함으로써 상기 2차원 페로브스카이트 복합체의 키랄성이 발현되거나 증폭되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 복합체가 상기 페로브스카이트 100 중량부를 기준으로 상기 키랄성 도판트 2 내지 60 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 복합체는 원편광 이색성을 나타내는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체
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(a) 금속 양이온 및 할로겐 원자를 포함하는 제1 전구체를 포함하는 용액을 도포 후 건조시켜 제1 전구체 박막을 제조하는 단계;(b) 세슘원자 및 유기 양이온 중 1종 이상, 및 할로겐 원자를 포함하는 제2 전구체와 키랄성 도판트를 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 및(c) 상기 제1 전구체 박막 상에 상기 혼합용액을 도포하고 반응시켜 페로브스카이트 복합체를 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 페로브스카이트 복합체는 페로브스카이트; 및 상기 페로브스카이트에 도핑되고, 히드록시기를 갖는 키랄성 도판트;를 포함하고,상기 유기 양이온이 메틸암모늄(MA) 및 포름아미디늄(FA)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 페로브스카이트는 3차원 페로브스카이트인 것인, 페로브스카이트 복합체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 3차원 페로브스카이트가 아래 구조식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체의 제조방법:[구조식 3]ABX3상기 구조식 3에서, A는 세슘(Cs), 메틸암모늄(MA), 포름아미디늄(FA) 또는 이들의 조합이고,B는 납(Pb), 주석(Sn), 안티모니(Sb), 저마늄(Ge), 은(Ag), 비스무트(Bi), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 실리콘(Si) 또는 이들의 조합이고, X는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I) 또는 이들의 조합이다
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제11항에 있어서,상기 단계 (a)의 건조가 60 내지 120 ℃의 온도에서 수행되고,상기 단계 (b)의 혼합이 20 내지 80 ℃의 온도에서 수행되고,상기 단계 (c)의 반응이 80 내지 135 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 단계 (c)의 혼합용액이 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide, DMF), 및 아이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 용매를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체의 제조방법
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(1) 금속 양이온 및 할로겐 원자를 포함하는 제1 전구체 및 유기 양이온 및 할로겐 원자를 포함하는 제2 전구체를 포함하는 페로브스카이트 전구체 용액을 제조하는 단계; 및(2) 상기 페로브스카이트 전구체 용액에 키랄성 도판트를 첨가 후 반응시켜 페로브스카이트 복합체를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 페로브스카이트 복합체는 페로브스카이트; 및 상기 페로브스카이트에 도핑되고, 히드록시기를 포함하는 키랄성 도판트;를 포함하고,상기 유기 양이온이 S-메틸벤질암모늄, R-메틸벤질암모늄, S-부틸암모늄, R-부틸암모늄, S-나프틸에틸암모늄, R-나프틸에틸암모늄 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 페로브스카이트가 2차원 페로브스카이트인 것인, 페로브스카이트 복합체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 2차원 페로브스카이트가 아래 구조식 4 내지 7로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체의 제조방법:[구조식 4]ABX3[구조식 5]A2BX4[구조식 6]A3BX6[구조식 7]A3B2X7상기 구조식 4 내지 7에서,A는 S-메틸벤질암모늄, R-메틸벤질암모늄, S-부틸암모늄, R-부틸암모늄, S-나프틸에틸암모늄, R-나프틸에틸암모늄 또는 이들의 조합이고,B는 납(Pb), 주석(Sn), 안티모니(Sb), 저마늄(Ge), 은(Ag), 비스무트(Bi), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 실리콘(Si) 또는 이들의 조합이고, X는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I) 또는 이들의 조합이다
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제15항에 있어서,상기 단계 (2)가(2-1) 상기 페로브스카이트 전구체 용액에 키랄성 도판트를 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 및(2-2) 상기 혼합용액을 도포 후 반응시켜 상기 페로브스카이트 복합체를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 단계 (2-1)의 혼합이 20 내지 80 ℃의 온도에서 수행되고,상기 단계 (2-2)의 반응이 70 내지 150 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 복합체의 제조방법
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