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근자외선 또는 청색 광의 일부를 흡수하여 460 내지 780 nm의 가시광선으로 변환시키는 형광체로서,표면층의 일부가 불소와 결합된, 형광체
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제1항에 있어서,상기 형광체가 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, (Sr,Ba)2SiO4:Eu, β-SiAlON:Eu, Ca-α-SiAlON:Eu, Li-αSiAlON:Eu, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, Ca14Zn6Al10O35:Mn4+, K2SiF6:Mn4+ 및 (Sr,Ba)2Si5N8:Eu로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 형광체
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제2항에 있어서,상기 형광체가 Ca14Zn6Al10O35:Mn4+ 또는 K2SiF6:Mn4+인, 형광체
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제1항에 있어서,상기 형광체가 총 원자함량을 기준으로 0 초과 내지 10 % 미만의 불소를 포함하는, 형광체
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제1항에 있어서,상기 형광체의 표면층의 일부가 플라즈마 표면처리를 통해 불소와 결합된, 형광체
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 형광체를 포함하는, 백색 발광다이오드
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제6항에 있어서,근자외선 또는 청색 광을 발광하는 발광다이오드; 및상기 발광다이오드 상에 형성된 상기 형광체의 코팅층을 포함하는, 백색 발광다이오드
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8
제6항의 백색 발광다이오드를 포함하는, 발광 장치
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제6항의 백색 발광다이오드를 포함하는, 조명 장치
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10
제6항의 백색 발광다이오드를 포함하는, 백라이트유닛
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플루오르화 탄소 가스를 이용하여 형광체의 표면을 플라즈마 처리하는 것을 포함하는,제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 형광체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 플라즈마 처리가 0
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제11항에 있어서,상기 플루오르화 탄소 가스가 CF4, C4F8 또는 이들의 혼합물이고, 상기 플라즈마 처리시 반응챔버에 1 내지 100 ㎤/분의 양으로 유입되는, 형광체의 제조방법
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