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마이크로비드;상기 마이크로비드 상에 배치되는 금속 나노입자;상기 마이크로비드 및 금속 나노입자를 덮고 있는 쉘; 및상기 쉘 상에 배치되는 양자점;을 포함하는 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는 상기 마이크로비드 상에 위성 입자 구조로 배치되는 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자의 입경은 10nm 이상, 43nm 이하인 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는 금(Au), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 쉘의 두께는 3nm 이상, 12nm 이하인 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 쉘은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 나노 구조체
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마이크로비드의 표면을 처리하는 단계;상기 마이크로비드 상에 금속 나노입자를 부착하여 마이크로비드-금속 나노입자를 형성하는 단계;상기 마이크로비드-금속 나노입자 상에 쉘을 형성하는 단계;상기 쉘 상에 양자점을 부착하는 단계;를 포함하는 나노 구조체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 마이크로비드의 표면을 처리하는 단계는,상기 마이크로비드의 표면을 알데히드기로 기능화하는 단계;를 포함하는 나노 구조체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 마이크로비드의 표면을 처리하는 단계는,상기 마이크로비드의 표면을 아미노기로 기능화하고, 알데히드기로 더 기능화하는 단계;를 포함하는 나노 구조체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 마이크로비드-금속 나노입자를 형성하는 단계,금속 전구체 및 3차 아민 용액을 혼합하여 금속 암모니아 용액을 형성하는 단계; 및상기 마이크로비드와 상기 금속 암모니아 용액을 혼합하여 교반하는 단계;를 포함하는 나노 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속 전구체는 질산금(AgNO3), 질산은(AuNO3) 및 질산알루미늄(AlNO3)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 나노 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 마이크로비드와 상기 금속 암모니아 용액을 교반하는 시간은 60분 이상, 140분 이하인 나노 구조체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 마이크로비드-금속 나노입자 상에 쉘을 형성하는 단계는,상기 마이크로비드-금속 나노입자 수용액 및 금속 알콕시드 용액을 혼합하여 교반하는 단계;를 포함하는 나노 구조체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 금속 알콕시드 용액은,상기 마이크로비드-금속 나노입자 수용액 100 부피비에 대하여 15 ~ 85 부피비로 포함하는 나노 구조체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 쉘 상에 양자점을 부착하는 단계는,상기 쉘의 표면을 아민기로 기능화하는 단계;를 포함하는 나노 구조체의 제조방법
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기판;상기 기판 상에 배치되는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 배치되고, 나노 구조체를 포함하는 광변환층;을 포함하고,상기 나노 구조체가,마이크로비드;상기 마이크로비드 상에 배치되는 금속 나노입자;상기 마이크로비드 및 금속 나노입자를 덮고 있는 쉘; 및상기 쉘 상에 배치되는 양자점;을 포함하는 표시 장치
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제16항에 있어서,상기 금속 나노입자는 상기 마이크로비드 상에 위성 입자 구조로 배치되는 표시 장치
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제16항에 있어서,상기 금속 나노입자의 입경은 10nm 이상, 43nm 이하인 표시 장치
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제16항에 있어서,상기 금속 나노입자는 금(Au), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 표시 장치
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제16항에 있어서,상기 쉘의 두께는 3nm 이상, 12nm 이하인 표시 장치
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제16항에 있어서,상기 쉘은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 표시 장치
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제16항에 있어서,상기 광변환층은 상기 나노 구조체가 열경화형 또는 광경화형 수지에 분산되는 표시 장치
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제16항에 있어서,상기 광변환층 상에 컬러 필터층을 추가로 포함하는 표시 장치
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