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단일 반도체 기판을 구비하고, 웨이퍼 패터닝(Wafer pattening)을 통해 상기 단일 반도체 기판의 일면에 발광부와 수광부가 수직적으로 형성되어 일체형 웨이퍼 구조를 갖는 수발광부; 및 상기 수발광부와 결합하여 단일 칩 소자로 동작하도록, 수직적 본딩을 통해 상기 수발광부와 결합되는 제어 회로 웨이퍼를 포함하고, 상기 제어 회로 웨이퍼는 상기 발광부 및 상기 수광부와 각각 연결되어 상기 발광부와 상기 수광부의 서로 다른 수발광 동작을 각각 제어하고,상기 발광부와 수광부는,상기 단일 반도체 기판의 일면에 수직적으로 형성되되, 서로 동축(co-axial) 구조 또는 비동축 구조로 형성되고,상기 수발광부는 상기 발광부에서 생성된 빛이 상기 수광부를 통과하지 않고 출력되도록 웨이퍼 패터닝된, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제1항에 있어서,상기 단일 반도체 기판에서 상기 발광부가 에피택셜 성장(epitaxial growth)한 후 연속적인 공정을 통해 상기 성장된 발광부 위에 상기 수광부가 형성되는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제1항에 있어서,상기 단일 반도체 기판에서 상기 수광부가 에피택셜 성장(epitaxial growth)한 후 연속적인 공정을 통해 상기 성장된 수광부 위에 상기 발광부가 형성되는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제어 회로 웨이퍼는, 상기 단일 반도체 기판의 타면에 수직적 본딩을 통해 상기 수발광부와 결합되어 단일 칩 소자로 동작하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제5항에 있어서, 상기 제어 회로 웨이퍼는 상기 발광부 및 상기 수광부와 각각 온 칩-비아(on chip via) 구조를 통해 연결되는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제5항에 있어서,상기 제어 회로 웨이퍼는 상기 발광부 및 상기 수광부와 각각 온 칩-와이어링(on chip wiring) 구조를 통해 연결되는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제어 회로 웨이퍼는, 상기 발광부 및 상기 수광부와 플립 칩(Flip chip) 형태로 뒤집혀서 결합되는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제8항에 있어서,상기 제어 회로 웨이퍼는, 상기 발광부 및 상기 수광부와 솔더 볼(Solder ball)을 이용하여 전기적으로 연결되는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제1항에 있어서, 수직적 본딩을 통해 상기 수발광부 위에 결합되는 렌즈를 더 포함하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제어 회로 웨이퍼는, 순차적 구동, 비순차적 구동, 군(group) 설정, 행 구동 및 열 구동 중에서 어느 하나의 제어 방식에 따라 스캔되도록 상기 수광부의 수발광 동작을 제어하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자
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단일 반도체 기판을 형성하고, 웨이퍼 패터닝(Wafer pattening)을 통해 상기 단일 반도체 기판의 일면에 발광부와 수광부가 수직적으로 형성되어 일체형 웨이퍼 구조를 갖는 수발광부를 형성하는 단계; 상기 수발광부와 결합하여 단일 칩 소자로 동작하도록, 수직적 본딩을 통해 상기 수발광부와 제어 회로 웨이퍼를 결합하는 단계; 및 상기 발광부와 상기 수광부의 서로 다른 수발광 동작을 각각 제어하기 위해, 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 상기 제어 회로 웨이퍼와 연결하는 단계를 포함하고,상기 수발광부를 형성하는 단계는, 상기 발광부와 수광부를 상기 단일 반도체 기판의 일면에 수직적으로 형성하되, 서로 동축(co-axial) 구조 또는 비동축 구조로 형성하고,상기 발광부에서 생성된 빛이 상기 수광부를 통과하지 않고 출력되도록 웨이퍼 패터닝하여 수발광부를 형성하는 단계를 포함하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 수발광부를 형성하는 단계는, 상기 단일 반도체 기판에서 상기 발광부를 에피택셜 성장(epitaxial growth)한 후 연속적인 공정을 통해 상기 성장된 발광부 위에 상기 수광부를 형성하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 수발광부를 형성하는 단계는, 상기 단일 반도체 기판에서 상기 수광부를 에피택셜 성장(epitaxial growth)한 후 연속적인 공정을 통해 상기 성장된 수광부 위에 상기 발광부를 형성하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 제어 회로 웨이퍼는, 상기 단일 반도체 기판의 타면에 수직적 본딩을 통해 상기 수발광부와 결합되어 단일 칩 소자로 동작하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 제어 회로 웨이퍼와 연결하는 단계는, 상기 제어 회로 웨이퍼를 상기 발광부 및 상기 수광부와 각각 온 칩-비아(on chip via) 구조를 통해 연결하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 제어 회로 웨이퍼와 연결하는 단계는, 상기 제어 회로 웨이퍼를 상기 발광부 및 상기 수광부와 각각 온 칩-와이어링(on chip wiring) 구조를 통해 연결하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 제어 회로 웨이퍼와 연결하는 단계는, 상기 제어 회로 웨이퍼를 뒤집어서 상기 발광부 및 상기 수광부와 플립 칩(Flip chip) 형태로 결합하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 제어 회로 웨이퍼와 연결하는 단계는, 상기 제어 회로 웨이퍼를 상기 발광부 및 상기 수광부와 솔더 볼(Solder ball)을 이용하여 전기적으로 연결하는, 제어 회로 웨이퍼와 결합된 일체형 수발광 소자의 제조 방법
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