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탠덤 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2023009299
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 제1 완충충과 제2 완충충의 재질을 선택하고 상기 제1 완충충과 상기 제2 완충충을 순차적으로 적층하여 이중완충층의 표면 거칠기를 감소시켜 일체형 탠덤 태양전지의 쇼트를 방지할 수 있는 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H10K 30/00 (2023.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0725 (2012.01.01) H10K 30/80 (2023.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H10K 30/10(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H10K 30/82(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) Y02E 10/549(2013.01)
출원번호/일자 1020220045284 (2022.04.12)
출원인 서울대학교산학협력단, 숙명여자대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0146358 (2023.10.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.12)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 숙명여자대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 용산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진영 서울특별시 강남구
2 박익재 서울특별시 동작구
3 황선경 서울특별시 관악구
4 박재현 서울특별시 관악구
5 박소정 서울특별시 관악구
6 서세원 경기도 성남시 수정구
7 송정은 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 피씨알 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***, **층(삼성동, 송암빌딩Ⅲ)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0390861-27
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
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번호 청구항
1 1
칼코제나이드계 광흡수층을 포함하는 제1 태양전지; 및상기 제1 태양전지 상에 배치되며, 페로브스카이트계 광흡수층을 포함하는 제2 태양전지;를 포함하며,상기 제1 태양전지에 이중완충층을 포함하는 것이고,상기 이중완충층은 In2S3를 포함하는 제1 완충층과 CdS, ZnSnO, ZnO, ZnSe, SnS2, Cd1-xZnxS (단, x는 0≤x≤1) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 제2 완충층이 순차적으로 구비된 것인 탠덤 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 태양전지는 기판층, 하부전극층, 상기 칼코제나이드계 광흡수층, 상기 이중완충층 및 제1 투명전극층이 순차적으로 구비된 것인 탠덤 태양전지
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제2 태양전지는 정공전달층, 상기 페로브스카이트계 광흡수층, 전자전달층 및 제2 투명전극층이 순차적으로 구비된 것인 탠덤 태양전지
4 4
청구항 1에 있어서,상기 칼코제나이드계 광흡수층은 CIGS(copper indium gallium selenide), CIS(copper indium selenide), CGS(copper gallium selenide), CZTS(Copper zinc tin sulfide), CZTSe(Copper zinc tin selenide), CZTSSe(Copper zinc tin sulfur selenide) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 탠덤 태양전지
5 5
청구항 1에 있어서,상기 칼코제나이드계 광흡수층의 평균 두께 범위가 0
6 6
청구항 1에 있어서,상기 페로브스카이트계 광흡수층은 하기 화학식 1의 유무기 복합 할로겐화물 페로브스카이트계 화합물을 포함하는 것인 탠덤 태양전지:[화학식 1]ABX3상기 A는 CH3NH3, HC(NH2)2, Cs, Rb 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이며,상기 B는 Pb, Sn 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이고,상기 X는 Cl, Br, I 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이다
7 7
청구항 6에 있어서,상기 화학식 1에서,상기 A는 하기의 화학식 2로 표시되는 것이고,상기 B는 하기의 화학식 3으로 표시되는 것이며,상기 X3는 하기의 화학식 4로 표시되는 것인 탠덤 태양전지
8 8
청구항 1에 있어서,상기 페로브스카이트계 광흡수층의 평균 두께 범위가 150 nm 이상 1,000 nm 이하인 것인 탠덤 태양전지
9 9
청구항 1에 있어서,상기 제1 완충층의 평균 두께 범위가 1 nm 이상 50 nm 이하인 것인 탠덤 태양전지
10 10
청구항 1에 있어서,상기 제1 완충층의 평균 표면 거칠기 범위가 2 nm 이상 30 nm 이하인 것인 탠덤 태양전지
11 11
청구항 1에 있어서,상기 제2 완충층의 평균 두께 범위가 1 nm 이상 150 nm 이하인 것인 탠덤 태양전지
12 12
기판층을 구비하는 기판층 구비 단계;상기 기판층 상에 하부전극층을 구비하는 하부전극층 구비 단계;상기 하부전극층 상에 칼코제나이드계 광흡수층을 구비하는 칼코제나이드계 광흡수층 구비 단계;상기 칼코제나이드계 광흡수층 상에 이중완충층을 구비하는 이중완충층 구비 단계;상기 이중완충층 상에 제1 투명전극층을 구비하는 제1 투명전극층 구비 단계; 및상기 제1 투명전극층 상에 제2 태양전지를 구비하는 제2 태양전지 구비 단계를 포함하는 것이며,상기 이중완충층은 In2S3를 포함하는 제1 완충층과 CdS, ZnSnO, ZnO, ZnSe, SnS2, Cd1-xZnxS (단, x는 0≤x≤1) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 제2 완충층이 순차적으로 구비된 것인 탠덤 태양전지의 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 이중완충층을 구비하는 단계는,상기 칼코제나이드계 광흡수층 상에 인듐 전구체를 포함하는 제1 혼합물을 증착하여 상기 제1 완충층을 구비하는 제1 완충층 구비 단계; 및상기 제1 완충층 상에 카드뮴 전구체를 포함하는 제2 혼합물을 포함하는 제2 혼합물을 증착하여 상기 제2 완충층을 구비하는 제2 완충층 구비 단계;를 포함하는 것인 탠덤 태양전지의 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 제1 완충층 구비 단계 및 상기 제2 완충층 구비 단계 각각은 화학용액증착법으로 증착시키는 것인 탠덤 태양전지의 제조방법
15 15
청구항 12에 있어서,상기 제2 태양전지 구비 단계는 상기 제1 투명전극층 상에 정공전달층을 구비하는 정공전달층 구비 단계;상기 정공전달층 상에 페로브스카이트계 광흡수층을 구비하는 페로브스카이트계 광흡수층 구비 단계;상기 페로브스카이트계 광흡수층 상에 전자전달층을 구비하는 전자전달층 구비 단계; 및상기 전자전달층 상에 제2 투명전극층을 구비하는 제2 투명전극층 구비 단계;를 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 미래소재디스커버리지원(R&D) 메타디스오더 소재 개발