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이미지반전에 의한 자가 정렬 기반 정밀 DNA 광학 합성

  • 기술번호 : KST2023009328
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 DNA 합성 과정에서 불충분한 빛에 의해 발생되는 오류를 감소시킬 수 있는 기술로 원하는 DNA 합성 영역을 제외한 나머지 영역에서 먼저 DNA를 탈보호 및 캡핑시키고, 이후 원하는 DNA 합성 영역에서 DNA를 탈보호 및 커플링시키면 원치 않는 DNA의 탈보호를 막을 수 있고, 결과적으로 DNA 합성 오류를 줄일 수 있다.
Int. CL B01J 19/00 (2018.01.01) B01J 19/12 (2006.01.01) C07H 21/04 (2006.01.01) C12N 15/10 (2017.01.01)
CPC B01J 19/0046(2013.01) B01J 19/123(2013.01) C07H 21/04(2013.01) C12N 15/10(2013.01) B01J 2219/00711(2013.01) B01J 2219/00722(2013.01) B01J 2219/00605(2013.01)
출원번호/일자 1020230048609 (2023.04.13)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0147017 (2023.10.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220045903   |   2022.04.13
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2023.04.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천홍구 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2023.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2023-0415716-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) DNA 합성 기판의 반전 조사 영역에 빛을 조사하여 반전 조사 영역에 위치한 DNA를 탈보호 시키는 단계;(b) DNA 합성 기판에 캡핑 물질을 공급하여 반전 조사 영역에 위치한 DNA의 말단을 캡핑시키는 단계;(c) DNA 합성 기판의 조사 영역에 빛을 조사하여 조사 영역에 위치한 DNA를 탈보호 시키는 단계; 및(d) 합성하고자 하는 뉴클레오티드 용액을 공급하는 단계;를 포함하고,상기 반전 조사 영역과 조사 영역은 테두리가 중첩되는, DNA 합성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 및 (c)에서 빛의 조사는 0
3 3
(a) DNA 합성 기판에 DNA 합성 위치 선택 물질을 공급하는 단계;(b) DNA 합성 기판의 반전 조사 영역에 빛을 조사하여 반전 조사 영역에 위치한 DNA를 탈보호 시키는 단계;(c) DNA 합성 기판에 캡핑 물질을 공급하여 반전 조사 영역에 위치한 DNA의 말단을 캡핑시키는 단계;(d) DNA 합성 기판에 DNA 합성 위치 선택 물질을 재공급하는 단계;(e) DNA 합성 기판의 조사 영역에 빛을 조사하여 조사 영역에 위치한 DNA를 탈보호 시키는 단계; 및(f) 합성하고자 하는 뉴클레오티드 용액을 공급하는 단계;를 포함하고,상기 반전 조사 영역과 조사 영역은 테두리가 중첩되는, DNA 합성 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 (b) 및 (e)에서 빛의 조사는 0
5 5
제3항에 있어서, 상기 (a) 및 (d)에서 DNA 합성 위치 선택 물질은 수소 이온 발생 물질, 수산화 이온 발생 물질 또는 2가 양이온 제공 물질인, DNA 합성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 수소 이온 발생 물질은 하이드로퀴논인, DNA 합성 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 수산화 이온 발생 물질은 퀴논인, DNA 합성 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 2가 양이온 제공 물질은 DMNP-EDTA인, DNA 합성 방법
9 9
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 방법은 뉴클레오티드 용액을 공급하는 단계 이후 DNA 합성 기판을 세척하는 단계를 추가로 포함하는, DNA 합성 방법
10 10
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 DNA 합성 기판의 반전 조사 영역에 빛을 조사하는 것은 i) 반전 조사 영역과 일치되게 빛을 조사하거나, 또는 ii) 반전 조사 영역에서 수평 또는 수직으로 이동한 영역에 빛을 조사하는 것인, DNA 합성 방법
11 11
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 캡핑 물질은 무수 아세트산 (acetic anhydride) 또는 N-메틸이미다졸 (N-methylimidazole)인, DNA 합성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.