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기판의 상부에 놓이는 헤드와;상기 기판과 상기 헤드의 상대적 위치를 변경하는 이동 수단을 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,상기 헤드는,기판 상으로 광을 조사하는 측정 광원;상기 측정 광원의 광경로 상에 놓여 상기 측정 광원으로부터 조사된 빛을 분리하는 제1빔스플리터;상기 제1빔스플리터로부터 전달된 빛을 기판으로 전달하여 제1광경로를 형성하는 제2빔스플리터;상기 제2빔스플리터의 광 경로 상에 놓이며 상기 기판 상으로 집광하는 대물렌즈;상기 제1빔스플리터로부터 전달된 빛을 반사하여 제2광경로를 형성하는 미러;제1광경로로부터 전달된 빛과 상기 제2광경로로부터 전달된 빛의 간섭무늬를 영상 렌즈를 통해 수집하여 상기 기판의 이미지 정보를 획득하는 영상 수집 장치를 포함하는 리소그래피 장치
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제1항에 있어서,상기 제1빔스플리터, 상기 제2빔스플리터 및 상기 영상 렌즈는 상기 측정 광원의 하부에 수평 방향으로 평행하게 놓이고,상기 제1광경로는, 빛이 상기 제1빔스플리터, 상기 제2빔스플리터, 상기 대물렌즈를 통해 상기 기판으로부터 입사된 후 반사되어 다시 상기 대물렌즈, 상기 제2빔스플리터 및 상기 제1빔스플리터를 통해 상기 영상 렌즈로 전달되는 경로이고,상기 제2광경로는,빛이 상기 제1빔스플리터를 통해 상기 미러로부터 반사되어 다시 제1빔스플리터를 통해 상기 영상 렌즈로 전달되는 경로인 리소그래피 장치
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3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1빔스플리터와 상기 제2빔스플리터 사이에 제공되어 상기 제1빔스플리터와 상기 제2빔스플리터 간에 전달되는 빛을 평행하게 보정하는 제1 보정렌즈를 더 포함하는 리소그래피 장치
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4 |
4
제2항에 있어서,상기 제1빔스플리터와 상기 미러 사이에 제공되어 상기 미러로 입사되는 빛의 초점 거리를 변경하여 상기 제1광경로의 빛과 상기 제2광경로의 빛의 평행도를 조절하는 제2보정렌즈를 더 포함하는 리소그래피 장치
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5
제4항에 있어서, 상기 제2보정렌즈의 소재 및 코팅을 변경하여, 상기 제2광경로로부터 전달되는 빛의 광량과 상기 제1광경로로부터 전달되는 빛의 광량이 유사하도록 조절되는 리소그래피 장치
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6 |
6
제4항에 있어서,상기 제2보정렌즈의 투과율은,제2광경로로부터 전달되는 빛의 광량과 상기 제1광경로로부터 전달되는 빛의 광량이 유사하도록 제공되는 리소그래피 장치
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7 |
7
제2항에 있어서,상기 미러는,소정의 곡률을 가지도록 제공되는 리소그래피 장치
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8
제7항에 있어서,상기 곡률은,제2광경로로부터 전달되는 빛과 상기 제1광경로로부터 전달되는 빛의 평행도가 유사하도록 제공되는 리소그래피 장치
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9
제1항에 있어서,제3빔스플리터 및 제4빔스플리터를 더 포함하고,상기 제1빔스플리터 및 상기 미러는 상기 측정 광원의 하부에 수평 방향으로 평행하게 놓이며,상기 제2빔스플리터, 상기 제3빔스플리터, 상기 제4빔스플리터는 및 상기 영상 렌즈는 상기 제1빔스플리터의 하부에 수평 방향으로 평행하게 놓이고,상기 제3빔스플리터는 상기 제1빔스플리터로부터 전달된 빛을 분리하여 상기 제2빔스플리터와 상기 제4빔스플리터로 전달하고,상기 제1광경로는,빛이 상기 제1빔스플리터, 상기 제3빔스플리터, 상기 제2빔스플리터, 상기 대물렌즈를 통해 상기 기판으로부터 입사된 후 반사되어 다시 상기 대물렌즈 상기 제2빔스플리터, 상기 제3빔스플리터 및 상기 제4빔스플리터를 통해 상기 영상 렌즈로 전달되는 경로이고,상기 제2광경로는,빛이 상기 제1빔스플리터, 상기 미러, 상기 제4빔스플리터를 통해 상기 영상 렌즈로 전달되는 경로인 리소그래피 장치
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10
제9항에 있어서, 상기 제2빔스플리터와 상기 제3빔스플리터 사이에 제공되어 상기 제2빔스플리터와 상기 제3빔스플리터 간에 전달되는 빛의 평행도가 동일하도록 조절하는 제3보정렌즈를 더 포함하는 리소그래피 장치
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제9항에 있어서,상기 제4빔스플리터와 상기 미러 사이에 제공되어 상기 제4빔스플리터로 입사되는 빛의 평행도를 조절하는 제4보정렌즈를 더 포함하는 리소그래피 장치
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12
제11항에 있어서,상기 제4보정렌즈의 투과율은,제2광경로로부터 전달되는 빛의 광량과 상기 제1광경로로부터 전달되는 빛의 광량이 유사하도록 제공되는 리소그래피 장치
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13
제1항에 있어서,상기 미러의 반사율은,상기 제1빔스플리터와 상기 미러 사이에 제공되어 상기 제2광경로로부터 전달되는 빛의 광량과 상기 제1광경로로부터 전달되는 빛의 광량이 유사하도록 결정되는 리소그래피 장치
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14
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2빔스플리터로 광을 조사하여 상기 제2빔스플리터를 투과한 광이 상기 기판 상에 패턴을 형성하도록 하는 공정 광원을 더 포함하는 리소그래피 장치
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15
제14항에 있어서,상기 이동 수단을 제어하는 제어기를 더 포함하고,상기 제어기는,상기 이미지 정보를 기반으로 상기 공정 광원의 위치를 결정하는 리소그래피 장치
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16
제15항에 있어서,상기 기판은,경화된 레지스트가 제1패턴을 형성하는 패턴 층과;상기 기판 상에 상기 제1패턴을 덮도록 도포된 경화되지 않은 레지스트 층을 포함하고,상기 제어기는,상기 이미지 정보를 기반으로 상기 제1패턴의 위치를 인식하고,상기 제1패턴 상의 정해진 위치에 상기 경화되지 않은 레지스트 층의 일부를 경화하여 제2패턴을 형성하도록 상기 공정 광원을 제어하는 리소그래피 장치
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17
제16항에 있어서,상기 제1패턴 상에 얼라인 키가 형성되는 리소그래피 장치
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제14항의 리소그래피 장치를 이용하여 리소그래피 공정을 수행하는 방법에 있어서,기판 상에 레지스트를 도포 및 선택적 경화하고 현상하여 제1패턴을 형성하는 제1패턴 형성 단계와;상기 제1패턴을 덮도록 상기 기판 상에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 단계;상기 이미지 정보를 기반으로 제1패턴의 위치를 인식하는 위치 인식 단계; 상기 공정 광원을 통해 상기 제1패턴 상의 정해진 위치에 경화되지 않은 레지스트 층의 일부를 경화하여 제2패턴을 형성하는 제2패턴 형성 단계를 포함하는 리소그래피 방법
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제18항에 있어서,상기 제1패턴 형성 단계는,상기 제1패턴 상에 얼라인 키를 형성하는 과정을 더 포함하는 리소그래피 방법
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제18항에 있어서,상기 공정 광원은 자외선 내지 청색 파장의 빛으로 제공되고, 상기 측정 광원은 공정광원의 파장보다 긴 적색 내지 적외선 파장의 빛으로 제공되는 리소그래피 방법
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