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제1 접합(junction) 영역 및 제2 접합 영역을 포함하고,상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역 사이에 공백(gap) 영역을 포함하며,상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역 중 어느 하나의 접합 영역과 상기 공백 영역은 제1 인터페이스(IS-1), 제2 인터페이스(IS-2) 및 제3 인터페이스(IS-3)를 이루고,광이 입사하는 경우에, 상기 제1 인터페이스(IS-1)에서의 광 전류 생성 값과 상기 제3 인터페이스(IS-3)에서의 광 전류 생성 값의 차이에 기반하여 상기 입사하는 광의 컬러를 검출하는 것을 특징으로 하는 컬러 광센서
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제1항에 있어서,상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역 중 어느 하나의 접합 영역은,BOX(buried oxide) 층;상기 BOX(buried oxide) 층 상에 위치하는 디바이스층;상기 디바이스층 상에 위치하는 삽입층; 및상기 삽입층 상에 위치하는 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서
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제1항에 있어서,상기 공백 영역은,BOX(buried oxide) 층;상기 BOX(buried oxide) 층 상에 위치하는 디바이스층;상기 디바이스층 상에 위치하는 표면 처리 산화물층; 및상기 표면 처리 산화물층의 일부분에 위치하는 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서
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4
제1항에 있어서,상기 제1 인터페이스(IS-1)는 상기 어느 하나의 접합 영역에 포함되는 삽입층과 디바이스층 간에 인터페이스이고,상기 제2 인터페이스(IS-2)는 상기 어느 하나의 접합 영역 및 상기 공백 영역에 포함되는 BOX(buried oxide) 층과 상기 디바이스층 간에 인터페이스이며,상기 제3 인터페이스(IS-3)는 상기 공백 영역에 포함되는 표면 처리 산화물층과 상기 디바이스층 간에 인터페이스인 것을 특징으로 하는컬러 광센서
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제4항에 있어서,상기 디바이스층의 두께는, 0
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제5항에 있어서,상기 컬러 광센서는, 상기 디바이스층의 두께가 상기 0
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제1항에 있어서,상기 제1 인터페이스(IS-1)는, 상기 어느 하나의 접합 영역에 포함되는 삽입층과 디바이스층에서 상기 삽입층이 상기 삽입층 상의 그래핀층과 상기 디바이스층 사이에 터널링 장벽에 작용하는 산화물 전압에 의한 다수 캐리어에 대한 쇼트키 장벽 높이(Schottky Barrier Height, SBH)의 광유도 변조(modulation)를 허용하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서
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8
제1항에 있어서,상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역 각각의 측면 부분에서 금속 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서
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9
제8항에 있어서,상기 컬러 광센서는, 상기 금속 전극을 통해 인가되는 전압이 0보다 클 경우 상기 제1 접합 영역이 역방향 바이어스 되고, 상기 제2 접합 영역이 순방향 바이어스가되며, 상기 금속 전극을 통해 인가되는 전압이 0보다 작을 경우 상기 제1 접합 영역이 순방향 바이어스 되고, 상기 제2 접합 영역이 역방향 바이어스가되며, 상기 순방향 바이어스에서는 쇼트키 장벽 높이(Schottky Barrier Height, SBH)가 증가하고, 상기 역방향 바이어스에서는 쇼트키 장벽 높이가 감소하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서
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제1항에 있어서,상기 어느 하나의 접합 영역은, 상기 제1 접합 영역이 순방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 역방향 바이어스 인 경우와 상기 제1 접합 영역이 역방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 순방향 바이어스 인 경우 각각에서 상기 제1 인터페이스(IS-1)에 기반하여 상기 입사하는 광의 파장에 따른 제1 광 전류를 생성하고,상기 공백 영역은, 상기 제1 접합 영역이 순방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 역방향 바이어스 인 경우와 상기 제1 접합 영역이 역방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 순방향 바이어스 인 경우 각각에서 상기 제3 인터페이스(IS-3)에 기반하여 상기 입사하는 광의 파장에 따른 제2 광 전류를 생성하며,상기 컬러 광센서는 상기 입사하는 광의 파장에 따라 상기 제1 광전류에 비하여 상기 제2 광전류가 감소되고, 상기 입사하는 광의 파장에 따라 상기 제1 광전류와 상기 제2 광전류 간의 차이가 존재함에 따라 상기 입사하는 광의 컬러를 검출하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서
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제1 접합(junction) 영역 및 제2 접합 영역을 포함하고, 상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역 사이에 공백(gap) 영역을 포함하며, 상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역 중 어느 하나의 접합 영역과 상기 공백 영역은 제1 인터페이스(IS-1), 제2 인터페이스(IS-2) 및 제3 인터페이스(IS-3)를 이루고, 광이 입사하는 경우에, 상기 제1 인터페이스(IS-1)에서의 광 전류 생성 값과 상기 제3 인터페이스에서의 광 전류 생성 값의 차이에 기반하여 상기 입사하는 광의 컬러를 검출하는 컬러 광센서의 제조 방법에 있어서,포토리소그래피 공정용 마스크를 이용하여 표면 처리 산화물층에서 상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역에 해당하는 부분들을 에칭하는 단계;상기 에칭된 부분들에 수소와 산소를 이용한 CVD(chemical vapor deposition) 기법의 패시베이션에 의해 삽입층을 형성하는 단계;스퍼터링 공정을 이용하여 상기 표면 처리 산화물층 상에서 상기 공백 영역이 아니면서 상기 제1 접합 영역 및 상기 제2 접합 영역 각각의 측면 부분에 금속 전극을 형성하는 단계; 및 상기 표면 처리 산화물층, 상기 삽입층 및 상기 금속 전극 상에 그래핀을 전사하여 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러 광센서의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 인터페이스(IS-1)는 상기 어느 하나의 접합 영역에 포함되는 삽입층과 디바이스층 간에 인터페이스이고,상기 제2 인터페이스(IS-2)는 상기 어느 하나의 접합 영역 및 상기 공백 영역에 포함되는 BOX(buried oxide) 층과 상기 디바이스층 간에 인터페이스이며,상기 제3 인터페이스(IS-3)는 상기 공백 영역에 포함되는 표면 처리 산화물층과 상기 디바이스층 간에 인터페이스인 것을 특징으로 하는컬러 광센서의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 디바이스층의 두께는, 0
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제13항에 있어서,상기 컬러 광센서는, 상기 디바이스층의 두께가 상기 0
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제11항에 있어서,상기 제1 인터페이스(IS-1)는, 상기 어느 하나의 접합 영역에 포함되는 삽입층과 디바이스층에서 상기 삽입층이 상기 삽입층 상의 그래핀층과 상기 디바이스층 사이에 터널링 장벽에 작용하는 산화물 전압에 의한 다수 캐리어에 대한 쇼트키 장벽 높이(Schottky Barrier Height, SBH)의 광유도 변조(modulation)를 허용하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 컬러 광센서는, 금속 전극을 통해 인가되는 전압이 0보다 클 경우 상기 제1 접합 영역이 역방향 바이어스 되고, 상기 제2 접합 영역이 순방향 바이어스가되며, 상기 금속 전극을 통해 인가되는 전압이 0보다 작을 경우 상기 제1 접합 영역이 순방향 바이어스 되고, 상기 제2 접합 영역이 역방향 바이어스가되며, 상기 순방향 바이어스에서는 쇼트키 장벽 높이(Schottky Barrier Height, SBH)가 증가하고, 상기 역방향 바이어스에서는 쇼트키 장벽 높이가 감소하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 어느 하나의 접합 영역은, 상기 제1 접합 영역이 순방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 역방향 바이어스 인 경우와 상기 제1 접합 영역이 역방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 순방향 바이어스 인 경우 각각에서 상기 제1 인터페이스(IS-1)에 기반하여 상기 입사하는 광의 파장에 따른 제1 광 전류를 생성하고,상기 공백 영역은, 상기 제1 접합 영역이 순방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 역방향 바이어스 인 경우와 상기 제1 접합 영역이 역방향 바이어스 이고, 상기 제2 접합 영역이 순방향 바이어스 인 경우 각각에서 상기 제3 인터페이스(IS-3)에 기반하여 상기 입사하는 광의 파장에 따른 제2 광 전류를 생성하며,상기 컬러 광센서는 상기 입사하는 광의 파장에 따라 상기 제1 광전류에 비하여 상기 제2 광전류가 감소되고, 상기 입사하는 광의 파장에 따라 상기 제1 광전류와 상기 제2 광전류 간의 차이가 존재함에 따라 상기 입사하는 광의 컬러를 검출하는 것을 특징으로 하는컬러 광센서의 제조 방법
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