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반도체 장치

  • 기술번호 : KST2023009636
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는, 2비트의 원본 데이터의 상위 비트에 대응하는 제1 제어 신호 및 상기 원본 데이터의 하위 비트에 대응하는 제2 제어 신호를 출력하는 등화기, 및 제1 전원 전압을 공급하는 제1 전원 노드와 출력 노드 사이에 연결되는 복수의 풀-업 소자들, 및 상기 제1 전원 전압보다 작은 제2 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에 연결되는 복수의 풀-다운 소자들을 포함하며, 상기 등화기와 직렬로 연결되는 드라이버를 포함하며, 상기 복수의 풀-업 소자들과 상기 복수의 풀-다운 소자들 각각은 상기 제1 제어 신호 또는 상기 제2 제어 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되고, 상기 복수의 풀-업 소자들은, 상기 제1 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에서 서로 병렬로 연결되는 제1 풀-업 소자와 제2 풀-업 소자, 및 상기 제1 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에서 서로 직렬로 연결되는 제3 풀-업 소자와 제4 풀-업 소자들을 포함하며, 상기 복수의 풀-다운 소자들은 제2 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에서 서로 병렬로 연결되는 제1 풀-다운 소자와 제2 풀-다운 소자를 포함한다.
Int. CL G11C 7/10 (2021.01.01) G11C 7/22 (2015.01.01) H03K 7/08 (2006.01.01) H03K 19/017 (2006.01.01)
CPC G11C 7/1051(2013.01) G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/222(2013.01) H03K 7/08(2013.01) H03K 19/01721(2013.01)
출원번호/일자 1020220048717 (2022.04.20)
출원인 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0149469 (2023.10.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 채관엽 경기도 수원시 영통구
2 김철우 서울특별시 성북구
3 최윤재 서울특별시 성북구
4 강경근 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2022-0422641-85
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번호 청구항
1 1
2비트의 원본 데이터의 상위 비트에 대응하는 제1 제어 신호 및 상기 원본 데이터의 하위 비트에 대응하는 제2 제어 신호를 출력하는 등화기; 및제1 전원 전압을 공급하는 제1 전원 노드와 출력 노드 사이에 연결되는 복수의 풀-업 소자들, 및 상기 제1 전원 전압보다 작은 제2 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에 연결되는 복수의 풀-다운 소자들을 포함하며, 상기 등화기와 직렬로 연결되는 드라이버; 를 포함하며,상기 복수의 풀-업 소자들과 상기 복수의 풀-다운 소자들 각각은 상기 제1 제어 신호 또는 상기 제2 제어 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되고,상기 복수의 풀-업 소자들은, 상기 제1 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에서 서로 병렬로 연결되는 제1 풀-업 소자와 제2 풀-업 소자, 및 상기 제1 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에서 서로 직렬로 연결되는 제3 풀-업 소자와 제4 풀-업 소자들을 포함하며, 상기 복수의 풀-다운 소자들은 제2 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에서 서로 병렬로 연결되는 제1 풀-다운 소자와 제2 풀-다운 소자를 포함하는, 반도체 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 풀-업 소자들과 상기 복수의 풀-다운 소자들 각각은 NMOS 트랜지스터인, 반도체 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 등화기는, 상기 상위 비트에서 적어도 하나의 이전 사이클의 값을 현재 주기의 값과 비교하여 제1 OR 신호 및 제1 AND 신호를 출력하고, 상기 하위 비트에서 적어도 하나의 직전 주기의 값을 현재 주기의 값과 비교하여 제2 OR 신호 및 제2 AND 신호를 출력하는 펄스 생성기, 및 상기 제1 OR 신호, 상기 제1 AND 신호, 상기 제2 OR 신호, 및 상기 제2 AND 신호에 기초하여 상기 제1 제어 신호와 상기 제2 제어 신호를 출력하는 펄스 폭 변조기를 포함하는, 반도체 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 펄스 생성기는, 상기 제1 OR 신호를 출력하는 제1 OR 게이트와 상기 제1 AND 신호를 출력하는 제1 AND 게이트를 포함하는 제1 펄스 생성기, 및 상기 제2 OR 신호를 출력하는 제2 OR 게이트와 상기 제2 AND 신호를 출력하는 제2 AND 게이트를 포함하는 제2 펄스 생성기를 포함하는, 반도체 장치
5 5
제3항에 있어서,상기 펄스 폭 변조기는, 상기 상위 비트를 입력받는 입력단과 상기 제1 제어 신호를 출력하는 출력단을 갖는 버퍼 회로, 제3 전원 전압을 공급하는 제3 전원 노드와 상기 출력단 사이에 연결되는 제1 풀-업 변조 소자와 제2 풀-업 변조 소자, 및 제3 전원 전압보다 작은 제4 전원 전압을 공급하는 제4 전원 노드와 상기 출력단 사이에 연결되는 제1 풀-다운 변조 소자와 제2 풀-다운 변조 소자를 포함하는, 반도체 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 제1 풀-업 변조 소자와 상기 제2 풀-업 변조 소자 각각은 PMOS 트랜지스터이며, 상기 제1 풀-다운 변조 소자와 상기 제2 풀-다운 변조 소자 각각은 NMOS 트랜지스터인, 반도체 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 제1 풀-업 변조 소자는 상기 제1 OR 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되고, 상기 제2 풀-업 변조 소자는 상기 제2 OR 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되며, 상기 제1 풀-다운 변조 소자는 상기 제1 AND 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되고, 상기 제2 풀-다운 변조 소자는 상기 제2 AND 신호에 의해 턴-온 및 턴-오프되는, 반도체 장치
8 8
제1 전원 전압을 공급하는 제1 전원 노드와 출력 노드 사이에 서로 병렬로 연결되는 제1 풀-업 소자와 제2 풀-업 소자;상기 제1 전원 전압보다 작은 제2 전원 전압을 공급하는 제2 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에 서로 병렬로 연결되는 제1 풀-다운 소자와 제2 풀-다운 소자; 및상기 제1 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에 연결되는 풀-업 보상 회로; 를 포함하며,상기 풀-업 보상 회로는 상기 제1 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에 서로 직렬로 연결되는 제3 풀-업 소자 및 제4 풀-업 소자를 포함하는, 반도체 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 풀-업 보상 회로는 상기 제1 전원 노드와 상기 출력 노드 사이에 서로 직렬로 연결되는 제5 풀-업 소자 및 제6 풀-업 소자를 더 포함하고,상기 제5 풀-업 소자는 상기 제1 풀-업 소자 및 상기 제3 풀-업 소자와 동시에 턴-온 및 턴-오프되며, 상기 제6 풀-업 소자는 상기 제2 풀-업 소자 및 상기 제4 풀-업 소자와 동시에 턴-온 및 턴-오프되는, 반도체 장치
10 10
데이터 패턴을 수신하여 직렬화된 N 비트의 데이터를 출력하는 직렬화기;상기 N 비트의 데이터에 포함되는 비트들 각각을 참조하여, 상기 비트들 중 적어도 하나의 펄스 폭을 조절한 N 개의 제어 신호들을 출력하는 등화기; 및상기 N 개의 제어 신호들에 의해 턴-온 및 턴-오프되는 복수의 풀-업 소자들 및 복수의 풀-다운 소자들을 포함하며, 상기 복수의 풀-업 소자들 및 상기 복수의 풀-다운 소자들 각각은 NMOS 트랜지스터인 드라이버; 를 포함하며,상기 복수의 풀-업 소자들의 개수는 상기 복수의 풀-다운 소자들의 개수보다 많고, 상기 복수의 풀-업 소자들 중 적어도 일부는 서로 직렬로 연결되는, 반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.