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기판;상기 기판 상에 형성되고, 상호 이격된 복수의 광흡수체를 포함하는 광흡수부; 및상기 기판 상에 형성되고, 상기 복수의 광흡수체를 상호 이격시키는 절연부를 포함하는, 광전기화학전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수부가 산화구리(Cu2O), 실리콘(Si) 함유 산화구리(CuO), 산화구리철(CuFeO2), 산화구리비스무트(CuBi2O4), 구리인듐황(CuInS2), 구리갈륨황(CuGaS2), 갈륨비소(GaAs), 산화철(Fe2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화티타늄(TiO2) 및 산화비스무트바나듐(BiVO4)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 광전기화학전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 절연부가 금속 산화물, 금속 질화물 및 비전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 광전기화학전지용 전극
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제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물이 이산화지르코늄(ZrO2), 이산화타이타늄 (TiO2), 산화알루미늄(Al2O3) 및 이산화규소(SiO2)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 광전기화학전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 광흡수부 및 상기 절연부 상에 형성되는 패시베이션층을 더 포함하고,상기 패시베이션층이 이산화티타늄(TiO2), 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화아연(ZnO), 산화갈륨(Ga2O3) 및 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 광전기화학전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 광흡수체 간의 이격 거리(d)가 20 내지 500 nm인, 광전기화학전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 광흡수체 간의 이격 거리(d)에 대한 상기 광흡수체의 폭(w)의 비율(w/d)이 1:0
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(A) 기판 상에 상호 이격된 복수의 고분자 비드를 정렬시키는 단계;(B) 상기 복수의 고분자 비드가 정렬된 기판 상에 절연물질을 코팅하는 단계;(C) 상기 절연물질이 코팅된 기판에서 상기 복수의 고분자 비드를 제거하여 절연부를 형성하는 단계; 및(D) 상기 절연부가 형성된 기판에 전기도금을 수행하여 상호 이격된 복수의 광흡수체를 포함하는 광흡수부를 형성하는 단계를 포함하는, 광전기화학전지용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 단계 (A)는,(A-1) 기판을 복수의 고분자 원료 비드를 포함하는 용액에 투입하는 단계;(A-2) 상기 기판 상에 상기 복수의 고분자 원료 비드가 자가조립(self-assembly)된 단일층을 형성하는 단계; 및(A-3) 상기 단일층을 이루는 상기 복수의 고분자 원료 비드를 건식 식각하는 단계를 포함하는, 광전기화학전지용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 단계 (B)에서 상기 절연물질의 코팅이 물리적 증착(PVD)으로 이루어지는, 광전기화학전지용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 단계 (B)에서 상기 절연물질이 상기 단계 (A)에서 정렬된 고분자 비드의 반경보다 작은 두께로 코팅되는, 광전기화학전지용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 단계 (C)는,(C-1) 상기 절연물질이 코팅된 기판을 유기 용매에 투입하는 단계; 및(C-2) 상기 유기 용매에 투입된 기판에 초음파를 인가하여 상기 복수의 고분자 비드를 분리하는 단계를 포함하는, 광전기화학전지용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 단계 (D)에서 전기도금이 25 내지 35 ℃에서 10 내지 40 분 동안 이루어지는, 광전기화학전지용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,(E) 상기 단계 (D)를 거친 후 상기 광흡수부 및 상기 절연부 상에 부식억제물질을 원자층 증착하여 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 광전기화학전지용 전극의 제조방법
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전해액;산화 반응이 일어나는 상대전극(counter electrode); 및환원 반응이 일어나는 전극을 포함하고,상기 전극이 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 상호 이격된 복수의 광흡수체를 포함하는 광흡수부; 및 상기 기판 상에 형성되고, 상기 복수의 광흡수체를 상호 이격시키는 절연부를 포함하는, 광전기화학전지
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