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삼원소 화합물 또는 사원소 화합물을 포함하는 반도체 화합물을 포함하는 양자점; 및하기 화학식 1로 표시된 스캐빈저(scavenger)를 포함한, 양자점 조성물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중,M+는 알칼리 금속의 1가 양이온이고,X는 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 또는 탈륨(Tl)이고,R1 내지 R3은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C7-C60아릴알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -N(Q1)(Q2), -B(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1) 또는 -P(=O)(Q1)(Q2)이고,상기 R10a는, 중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 또는 니트로기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11), -P(=O)(Q11)(Q12), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, C2-C60헤테로아릴알킬기, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21), -P(=O)(Q21)(Q22), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C7-C60아릴알킬기, 또는 C2-C60헤테로아릴알킬기; 또는-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), 또는 -P(=O)(Q31)(Q32);이고, 상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; C1-C60알킬기; C2-C60알케닐기; C2-C60알키닐기; C1-C60알콕시기; 또는 중수소, -F, 시아노기, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹; C7-C60아릴알킬기; 또는 C2-C60헤테로아릴알킬기;이다
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제1항에 있어서,상기 반도체 화합물은 삼원소 또는 사원소 II-VI족 반도체 화합물;을 포함한, 양자점 조성물
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제1항에 있어서,상기 반도체 화합물은 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, InGaS3, InGaSe3, AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 양자점 조성물
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제1항에 있어서,상기 반도체 화합물은 삼원소 화합물을 포함한, 양자점 조성물
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제1항에 있어서,상기 양자점은 코어(core) 및 코어의 일부 이상을 덮는 쉘를 포함한, 양자점 조성물
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제1항에 있어서,상기 화학식 1 중,상기 알칼리 금속은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 또는 세슘(Cs)인, 양자점 조성물
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제1항에 있어서,상기 화학식 1 중,상기 R1 내지 R3은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기; 또는수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기인, 양자점 조성물
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제1항에 있어서,상기 스캐빈저(scavenger)의 함량은 상기 양자점 조성물 100 중량부에 대하여, 0
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제1항에 있어서,상기 양자점 표면에 배치된 리간드를 더 포함한, 양자점 조성물
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제9항에 있어서,상기 리간드는 정공 수송성 리간드, 전자 수송성 리간드 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 양자점 조성물
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제9항에 있어서리간드 제거제를 더 포함한, 양자점 조성물
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제9항에 있어서,상기 양자점 조성물은 상기 리간드 및 상기 리간드 제거제 간의 반응으로부터 유래된 잔류물을 더 포함한, 양자점 조성물
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제1전극;상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 발광층을 포함한 중간층;을 포함하고,상기 발광층은 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 양자점 조성물을 포함한, 발광 소자
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제13항에 있어서,상기 발광층은 청색광을 방출한, 발광 소자
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제14항에 있어서,상기 청색광은 460nm 내지 490nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는, 발광 소자
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제13항에 있어서,상기 제1전극이 애노드이고,상기 제2전극이 캐소드이고,상기 중간층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 영역을 더 포함하고,상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 발광 소자
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제16항에 있어서,상기 전자 수송 영역은 전자 수송층을 포함하고,상기 전자 수송층은 하기 화학식 2로 표시된 금속산화물을 포함한, 발광 소자
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제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함한, 전자 장치
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제18항에 있어서,박막 트랜지스터를 더 포함하고,상기 박막 트랜지스터는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 발광 소자의 제1전극이 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나와 전기적으로 연결된, 전자 장치
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제18항에 있어서,컬러 필터, 양자점 색변환층, 터치스크린층, 편광층 또는 이의 임의의 조합을 더 포함한, 전자 장치
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