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제1 메탈층에 형성되는 제1 신호 전극, 제2 신호 전극 및 적어도 두 개의 접지 전극들을 포함하고, 두 개의 실리콘 광도파로가 형성되는 위상천이기;상기 제1 메탈층과 다른 제2 메탈층에 형성되는 접지부; 및상기 제2 메탈층에 형성되고, 일부 영역이 상기 접지부와 전기적으로 연결되며, 상기 접지부와 전기적으로 분리된 다른 일부 영역을 통해 상기 제1 신호 전극 및 상기 제2 신호 전극과 전기적으로 연결되는 패드부를 포함하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제1항에 있어서,상기 패드부는,상기 일부 영역에 형성되어 상기 접지부와 전기적으로 연결되는 접지 패드부;상기 접지부와 전기적으로 분리된 상기 제2 메탈층의 제1 영역에 형성되는 제1 신호 패드부;상기 접지부와 전기적으로 분리된 상기 제2 메탈층의 제2 영역에 형성되는 제2 신호 패드부;상기 제1 신호 패드부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 메탈층에 형성되어 상기 제1 신호 전극과 연결되는 제1 신호 트랜지션부; 및상기 제2 신호 패드부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 메탈층에 형성되어 상기 제2 신호 전극과 연결되는 제2 신호 트랜지션부를 포함하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제2항에 있어서,상기 제1 신호 트랜지션부와 상기 제2 신호 트랜지션부 각각은,상기 제1 신호 전극과 상기 제2 신호 전극 방향으로 폭이 변경되는 형상으로 형성되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 신호 전극과 상기 제2 신호 전극 각각은,제1 전극 포트를 통해 입력되는 제1 전압을 각각의 종단에 연결된 저항을 통해 입력 받고, 상기 패드부를 통해 전기적으로 연결되는 드라이버의 구동 전압을 제공하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제4항에 있어서,상기 적어도 두 개의 접지 전극들 중 어느 하나의 접지 전극은,제2 전극 포트를 통해 입력되는 제2 전압을 입력 받고, 상기 제2 전압과 상기 구동 전압을 이용하여 상기 실리콘 광도파로의 전압을 인가하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제5항에 있어서,상기 실리콘 광도파로는,PN 접합 실리콘 광도파로이며,상기 실리콘 광도파로의 전압은,상기 제2 전압의 조절을 통해 독립적으로 조절되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제2항에 있어서,상기 접지 패드부는,상기 패드부와 상기 위상천이기의 특성 임피던스와 RF 인덱스 불연속성을 최소화하기 위하여, 상기 제1 신호 트랜지션부 및 상기 제2 신호 트랜지션부와 오버래핑되는 영역이 조절되어 형성되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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8
제1항에 있어서,상기 적어도 두 개의 접지 전극들 사이에 형성되는 적어도 하나 이상의 메탈 브리지를 더 포함하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제8항에 있어서,상기 메탈 브리지는,상기 제2 메탈층에 형성되고, 양단이 비아(Via)를 통해 상기 제1 메탈층에 형성된 상기 적어도 두 개의 접지 전극들 각각에 전기적으로 연결되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제8항에 있어서,상기 위상천이기는,상기 메탈 브리지의 폭 조절을 통해 커패시턴스가 독립적으로 조절되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제1항에 있어서,상기 접지 전극과 상기 접지부 사이에 형성되는 커패시터를 더 포함하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제2항에 있어서,상기 접지 패드부는,상기 제1 신호 패드부와 상기 제2 신호 패드부의 적어도 일측면을 둘러싸도록 형성되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제1 메탈층에 형성되는 제1 신호 전극, 제2 신호 전극 및 적어도 두 개의 접지 전극들을 포함하는 위상천이기;상기 제1 메탈층과 다른 제2 메탈층에 형성되고, 일부 영역이 접지와 전기적으로 연결되며, 상기 접지와 전기적으로 분리된 다른 일부 영역을 통해 상기 제1 신호 전극 및 상기 제2 신호 전극과 전기적으로 연결되는 패드부; 및상기 적어도 두 개의 접지 전극들 사이에 형성되는 적어도 하나 이상의 메탈 브리지를 포함하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제13항에 있어서,상기 패드부는,상기 일부 영역에 형성되어 상기 접지와 전기적으로 연결되는 접지 패드부;상기 접지 패드부와 전기적으로 분리된 상기 제2 메탈층의 제1 영역에 형성되는 제1 신호 패드부;상기 접지 패드부와 전기적으로 분리된 상기 제2 메탈층의 제2 영역에 형성되는 제2 신호 패드부;상기 제1 신호 패드부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 메탈층에 형성되어 상기 제1 신호 전극과 연결되는 제1 신호 트랜지션부; 및상기 제2 신호 패드부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 메탈층에 형성되어 상기 제2 신호 전극과 연결되는 제2 신호 트랜지션부를 포함하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제13항에 있어서,상기 제1 신호 전극과 상기 제2 신호 전극 각각은,제1 전극 포트를 통해 입력되는 제1 전압을 각각의 종단에 연결된 저항을 통해 입력 받고, 상기 패드부를 통해 전기적으로 연결되는 드라이버의 구동 전압을 제공하며,상기 적어도 두 개의 접지 전극들 중 어느 하나의 접지 전극은,제2 전극 포트를 통해 입력되는 제2 전압을 입력 받고, 상기 제2 전압과 상기 구동 전압을 이용하여 상기 실리콘 광도파로의 전압을 인가하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제14항에 있어서,상기 접지 패드부는,상기 패드부와 상기 위상천이기의 특성 임피던스와 RF 인덱스 불연속성을 최소화하기 위하여, 상기 제1 신호 트랜지션부 및 상기 제2 신호 트랜지션부와 오버래핑되는 영역이 조절되어 형성되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제13항에 있어서,상기 메탈 브리지는,상기 제2 메탈층에 형성되고, 양단이 비아(Via)를 통해 상기 제1 메탈층에 형성된 상기 적어도 두 개의 접지 전극들 각각에 전기적으로 연결되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제13항에 있어서,상기 위상천이기는,상기 메탈 브리지의 폭 조절을 통해 커패시턴스가 독립적으로 조절되는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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제13항에 있어서,상기 접지 전극과 상기 접지 사이에 형성되는 커패시터를 더 포함하는, 2개 메탈층을 갖는 실리콘 포토닉스 기반 광변조 장치
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