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PEDOT 리치 도메인(rich domain); 및 상기 PEDOT 리치 도메인과 상 분리된 PSS 리치 도메인;을 포함하는 전도성 고분자 소재를 포함하고,다공성 구조를 포함하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 PEDOT 리치 도메인 및 PSS 리치 도메인 중 적어도 일부는 나노 물질을 포함하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 소재는, 순수한 PEDOT의 라만 스펙트럼 대비 퀴노이드(Quinoid)의 평균 강도(intensity)가 증가하고 벤조이드(Benzoid)의 평균 강도(intensity)가 감소된 라만 스펙트럼 특성을 보이는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제3항에 있어서,상기 퀴노이드(Quinoid)의 최대 피크 강도 / 상기 벤조이드(Benzoid)의 최대 피크 강도의 비율은 1
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 소재는, 순수한 PEDOT:PSS 소재의 XPS 분석 결과 대비, PSS의 최대 피크 강도(maximum peak intensity) 값은 감소하고 PEDOT의 최대 피크 강도 값은 증가한 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 소재는, XPS 분석 결과에 있어서, PSS의 최대 피크 강도 보다 PEDOT의 최대 피크 강도가 더 큰 값을 나타내는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 소재는 XPS 분석 결과에 있어서, PEDOT의 최대 피크 강도 / PSS의 최대 피크 강도의 비율이 1
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제1항에 있어서,상기 PEDOT 리치 도메인의 평균 직경 크기는 30 nm를 초과하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 다공성 구조의 평균 직경은 30 ㎛를 초과하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 소재는,300 S/cm 이상의 전기전도성 특성을 가지는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 소재는, 영률 값이 90 MPa 이하인 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 소재는, 20% 이하의 인장 스트레인 조건 하에서 저항 변화 값이 5% 이내인 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재
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기판; 및 제1항의 전도성 고분자 소재를 포함하도록 제조된 전극;을 포함하는,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재 전극을 포함하는 디바이스
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제13항에 있어서,상기 전극은 선형 패턴을 포함하고,상기 선형 패턴의 선폭은 10 ㎛ 이하인 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재 전극을 포함하는 디바이스
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제13항에 있어서,상기 전극은 수용액, 전해질 또는 둘 다에 침지된 조건에서 이방성(Anisotropic) 특성을 가지는 스웰링 거동을 보이는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재 전극을 포함하는 디바이스
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제13항에 있어서,상기 디바이스는 에너지 소자 또는 웨어러블 센서이고, 상기 웨어러블 센서는, 뇌 신호, 신경 자극 신호 및 전기생리학적 신호 중 하나 이상을 포함하는 생체 신호 확인을 목적으로 하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재 전극을 포함하는 디바이스
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베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판에 전도성 고분자를 포함하는 용액을 도포하는 단계;상기 용액이 도포된 베이스 기판을 건조하는 단계;레이저를 조사하여 상기 전도성 고분자의 상 분리를 유도하는 단계; 및수용액 상에서 레이저 미조사 영역을 제거하는 단계;를 포함하는,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 전도성 고분자를 포함하는 용액은 나노 물질을 포함하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 상 분리를 유도하는 단계는,50 mW 내지 300 mW의 연속파 레이저(Continuous-wave laser) 또는 펄스 레이저를 조사하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 상 분리를 유도하는 단계는,100 mm/s 내지 500 mm/s의 속도로 200 nm 내지 10 ㎛ 파장의 상기 레이저를 조사하는 것인,레이저를 이용하여 처리된 전도성 고분자 소재의 제조방법
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