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희생층 상에 위치하는 그래핀을 준비하는 단계;상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;상기 희생층을 식각시키는 단계;상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 표면장력이 22 mN/m 내지 50 mN/m 범위인 용액에 부유시키는 단계;상기 용액에 부유된 그래핀을 소수성 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계;상기 금속 지지층을 제거하는 단계; 및상기 도장 표면에 위치하는 그래핀을 대상 기판으로 전사시키는 단계;를 포함하는 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기 도장 표면에 위치하는 그래핀을 대상 기판으로 전사시키는 단계;에서, 상기 대상 기판은 표면에 유기층이 위치하는 대상 기판인 것인 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계; 이후, 상기 금속 지지층에 패턴을 형성시키는 단계; 및 상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것인 그래핀의 전사 방법
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제4항에 있어서, 상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;는, 반응성 이온 에칭(RIE, reactive ion etching)을 이용하는 것인 그래핀의 전사 방법
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제4항에 있어서, 상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;이 후, 상기 패턴이 형성된 금속 지지층 상에 추가적인 금속 지지층을 더 증착시키는 단계;를 더 포함하는 것인 그래핀의 전사 방법
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제6항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 금속 지지층 상에 추가적인 금속 지지층을 더 증착시키는 단계;에서, 추가적인 금속 지지층은 30 내지 300 nm 두께인 것인 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;는, 열 증착 방법을 이용하며, 증착 속도는 0
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;에서, 상기 금속 지지층은 1 내지 200 nm 두께인 것인 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층은 금속 포일인 것인 그래핀의 전사 방법
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제10항에 있어서, 상기 희생층을 식각시키는 단계;는, 과산화황산암모늄 (ammonium persulfate), 염화철 (iron chloride), 질산철 (iron nitrate), 또는 이들의 조합의 용액을 이용하는 것인 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계;에서, 상기 용액은 물과 알코올계 용매의 혼합 용매인 것인 그래핀의 전사 방법
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제13항에 있어서, 상기 물에 대한 알코올계 용매의 부피 비율은 1 내지 9인 것인 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계;에서, 상기 도장은 폴리우레탄계, 불화 엘라스토머계, 또는 이들의 조합인 것인 그래핀의 전사 방법
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제15항에 있어서, 상기 도장은 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리우레탄아크릴레이트 (Poly(urethaneacrylate)), 또는 퍼플루오로폴리에테르 (Perfluoropolyether) 인 것인 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 지지층은 금(Au) 지지층인 것인 그래핀의 전사 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층은 구리 포일, 또는 니켈 포일인 것인 그래핀의 전사 방법
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