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양이온교환기를 가지는 (C10~C30)이소프탈계 단량체 5~20 중량%, (C2~C10) 디올계 단량체 40~60 중량%, (C2~C12) 방향족 산계 단량체 10~20 중량% 및 산무수물 단량체 15~20 중량%를 포함하는 양이온교환막 제조용 공중합체
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제 2항에 있어서,상기 양이온교환기를 가지는 (C10~C30)이소프탈계 단량체는 디메틸이소프탈레이트, 디페닐이소프탈레이트, 디메틸4,6-비스(벤질옥시)이소프탈레이트 및 디부틸이소프탈레이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 양이온교환막 제조용 공중합체
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제 2항에 있어서,상기 (C2~C10)디올계 단량체는 1,6-헥산디올, 1,4-디시안-2,5-디올, 프로판-1,2-디올, 1,2-펜탄 디올 및 4,5-디브로모벤젠-1,2-디올에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 양이온교환막 제조용 공중합체
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제 2항에 있어서,상기 (C2~C12)방향족 산계 단량체는 이소프탈산, 벤조산, 살리실산, 카페익산 및 아세틸살리실산에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 양이온교환막 제조용 공중합체
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제 2항에 있어서,상기 산무수물 단량체는 무수말레인산 또는 무수 프탈산인 양이온교환막 제조용 공중합체
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a) 양이온교환기를 가지는 (C10~C30)이소프탈계 단량체; (C2~C10)디올계 단량체; (C2~C12)방향족 산계 단량체; 산무수물 단량체 및 반응개시제를 포함하는 중합용 용액을 교반하여 공중합체를 제조하는 단계;b) 상기 공중합체 및 가교제, 광개시제를 포함하는 반응용액을 이용하여 용매 캐스팅(solvent casting)법에 의해 막을 형성하는 단계;c) 상기 막을 광개시제를 이용하여 광가교방법으로 가교된 양이온교환막을 제조하는 단계;를 포함하는 양이온교환막의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 b) 단계의 용매 캐스팅(solvent casting)법에 의한 막 형성 시 막의 두께는 80~150 ㎛인 이온교환막의 제조방법
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제 2항 내지 제 6항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 양이온교환막 제조용 공중합체를 가교제로 가교하여 제조되는 양이온교환막
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