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원형 대칭 구조를 갖는 미소 공진기와; 상기 미소 공진기의 외부에 위치하되, 상기 미소 공진기의 굴절률보다 더 낮은 굴절률을 가지는 이득매질과; 상기 이득매질에 여기에너지를 인가하여 상기 이득매질을 흥분시키는 에너지 인가수단; 을 구비함으로써 상기 공진기 모드의 표면감쇠파와의 결합을 통한 이득으로부터 발진되는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제1항에 있어서, 상기 미소 공진기가 실린더형, 디스크형, 구형, 또는 타원체형인 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제1항에 있어서, 상기 이득매질이 형광분자 또는 형광원자인 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제3항에 있어서, 상기 에너지 인가수단이 상기 이득매질에 대한 광에너지 인가수단임을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제1항에 있어서, 상기 이득매질이 양자점인 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제5항에 있어서, 상기 에너지 인가수단이 상기 이득매질에 대한 전압 또는 광에너지 인가수단임을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제1항에 있어서, 상기 이득매질이 반도체 p-n 접합 또는 반도체 양자우물인 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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8
제7항에 있어서, 상기 에너지 인가수단이 상기 이득매질에 대한 전류 인가수단임을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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9
제1항에 있어서, 상기 미소공진기가 실리카 용융과정을 거쳐 만들어진 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제1항에 있어서, 상기 미소공진기의 원형 대칭부분의 단면직경이 10∼200 마이크론 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제1항에 있어서, 상기 미소공진기의 Q값이 109∼1010 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제1항에 있어서, 상기 미소공진기로부터 나오는 빛의 발진파장이 아래 식에 표시된
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제12항에 있어서, 상기 이득매질과 그 외부 영역의 경계면이 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제12항에 있어서, 원형 미소공진기의 표면 거칠기가 주기적으로 조절되어 격자역할을 함으로써 단일 주파수로 발진하는 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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제3항, 제5항 및 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 미소공진기 외부에 단일 원자, 분자 또는 양자점을 위치시켜 양자적 성질을 갖는 것을 특징으로 하는 표면감쇠파 미소공진기 레이저
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