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적어도 하나 이상의 실리콘 질화물(silicon nitride) 디스크 플레이트; 및 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트의 내부에 형성되는 실리콘 나노클러스터(silicon nanocluster)를 포함하고, 상기 실리콘 나노클러스터의 흡수 단면을 통해 상부의 펌프 빔 조사만으로 광발광(Photoluminescence, PL)을 방출하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노클러스터는, SRSN(Silicon-Rich Silicon Nitride) 물질을 반도체 공정을 통해 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트에 증착한 뒤, 가열하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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제1항에 있어서, 복수개의 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트가 서로 소정간격 이격되게 배치되어 형성되는 나노 슬롯을 더 포함하는, 광학 활성 공진기
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제3항에 있어서, 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트는, 두 개의 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트가 나노스케일 거리에 평행하게 배치되어 상기 나노 슬롯을 형성하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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제3항에 있어서, 상기 나노 슬롯은, 광학 활성 공진기 내부의 공진모드를 집속시키는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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제3항에 있어서, 상기 나노 슬롯은, 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트보다 굴절률이 낮은 감지하고자 하는 물질을 포함한 매체로 채워져 있는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노클러스터의 흡수 단면을 통해 레이저 광원의 상부의 펌프 빔 조사만으로 광발광(PL)을 방출하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노클러스터의 흡수 단면을 통해 단일 LED의 상부의 펌프 빔 조사만으로 광발광(PL)을 방출하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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제1항에 있어서, 상기 광학 활성 공진기는, 미세유체 채널(microfluidic channel)과 결합하여 라벨이 없는 온-칩 센서를 제공하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기
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복수개의 실리콘 질화물(silicon nitride) 디스크 플레이트의 내부에 실리콘 나노클러스터(silicon nanocluster)를 형성하는 단계; 및 복수개의 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트가 서로 소정간격 이격되게 배치되어 나노 슬롯을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 나노클러스터의 흡수 단면을 통해 상부의 펌프 빔 조사만으로 광발광(Photoluminescence, PL)을 방출하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 복수개의 실리콘 질화물 디스크 플레이트의 내부에 실리콘 나노클러스터를 형성하는 단계는, SRSN(Silicon-Rich Silicon Nitride) 물질을 반도체 공정을 통해 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트에 증착한 뒤, 가열하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 나노 슬롯은, 광학 활성 공진기 내부의 공진모드를 집속시키는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 나노 슬롯은, 상기 실리콘 질화물 디스크 플레이트보다 굴절률이 낮은 감지하고자 하는 물질을 포함한 매체로 채워져 있는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 실리콘 나노클러스터의 흡수 단면을 통해 단일 LED의 상부의 펌프 빔 조사만으로 광발광(PL)을 방출하는 것을 특징으로 하는, 광학 활성 공진기 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 광학 활성 공진기가 미세유체 채널(microfluidic channel)과 결합하여 라벨이 없는 온-칩 센서를 제공하는 단계를 더 포함하는, 광학 활성 공진기 제조 방법
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