맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

차동 형태를 이용한 ＬＣ 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

  • 기술번호 : KST2015111884
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기에 관한 것으로서, fo의 주파수를 가지는 발진 신호를 직접 만들지 않고 주파수가 fo/2 이고 위상차가 180°인 신호를 발생시키는 차동 형태의 LC 공진 전압 제어 발진기의 두 출력 신호를 이용하여 푸쉬-푸쉬 방식으로 낮은 위상 잡음(phase noise)을 가지는 fo의 주파수를 발생시킬 수 있는 이점이 있다. 차동형태, LC공진, 전압제어, 푸쉬-푸쉬, 발진기, 소형화, 공진도, 위상잡음
Int. CL H03B 5/08 (2006.01)
CPC H03B 5/1215(2013.01) H03B 5/1215(2013.01) H03B 5/1215(2013.01) H03B 5/1215(2013.01)
출원번호/일자 1020010033768 (2001.06.15)
출원인 한국과학기술원, (주) 텔트론
등록번호/일자 10-0422505-0000 (2004.03.02)
공개번호/일자 10-2002-0095618 (2002.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20040312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.06.15)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 (주) 텔트론 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤상웅 대한민국 서울특별시서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주) 텔트론 대한민국 대전시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2001-0143179-44
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2001-5171206-29
3 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 2001.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2001-5171207-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2002-0062179-04
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0009203-76
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0135317-32
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2003-5114330-82
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0255655-94
10 의견서
Written Opinion		 2003.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2003-0296969-19
11 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0510264-52
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5121692-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-0077777-52
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5093954-41
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

음성저항을 구현하기 위한 차동앰프와,

상기 차동앰프 각각의 차동 출력단자에 대칭되게 인덕터와 콘덴서를 접속하여 이루어진 LC 공진부와,

상기 차동앰프 각각의 차동 출력단자에 대칭되게 접속되어 출력값을 입력받아 하모닉 성분을 공통 출력단으로 출력하기 위한 출력버퍼부와,

상기 차동앰프와 상기 출력버퍼부로 공급되는 전류를 제어전압에 따라 가변제어하여 공급하기 위한 전류공급부

로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

2 2

제 1항에 있어서, 상기 차동앰프와 상기 LC 공진부와 상기 출력버퍼부와 상기 전류공급원을 구성하는 대칭되는 소자들은 서로 동일한 소자에 의해 대칭되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

3 3

음성저항을 구현하기 위해 제 1 MOSFET의 드레인이 제 2 MOSFET의 게이트로 궤환되고 2 MOSFET의 드레인이 제 1 MOSFET의 게이트로 궤환되어 구성된 차동앰프와;

상기 차동앰프의 제 1 MOSFET의 출력단과 전원단 사이에 매개된 제 1 인덕터와, 상기 차동앰프의 제 2 MOSFET의 출력단과 전원단 사이에 매개된 제 2 인덕터와, 상기 제 1 MOSFET의 출력단과 상기 제 2 MOSFET의 출력단 사이에 커패시턴스 제어단을 중심으로 양측에 대칭되도록 형성된 제 1 내지 제 2 가변커패시터로 구성되는 LC 공진부와;

상기 제 1 MOSFET의 출력단과 게이트가 연결되고 전원단과 드레인이 연결되며 소오스가 전류공급부와 연결된 제 3 MOSFET와, 상기 제 3 MOSFET의 소오스와 공통 출력단 사이에 매개된 제 1 커패시터와, 상기 제 2 MOSFET의 출력단과 게이트가 연결되고 전원단과 드레인이 연결되며 소오스가 전류공급부와 연결된 제 4 MOSFET와, 상기 제 4 MOSFET의 소오스와 공통 출력단 사이에 매개된 제 2 커패시터로 구성된 출력버퍼부와;

상기 차동앰프와 상기 출력버퍼부로 공급되는 전류를 제어전압에 따라 가변제어하여 공급하기 위한 전류공급부가,

전류제어단에 게이트가 연결되고 소오스가 접지단과 연결되며 드레인이 상기 제 3 MOSFET의 소오스와 연결된 제 5 MOSFET와, 상기 전류제어단에 게이트가 연결되고 소오스가 상기 접지단과 연결되며 드레인이 상기 차동앰프의 제 1 내지 제 2 MOSFET의 소오스와 연결된 제 6 MOSFET와, 상기 전류제어단에 게이트가 연결되고 소오스가 상기 접지단과 연결되며 드레인이 제 4 MOSFET의 소오스와 연결된 제 7 MOSFET로 구성된 전류공급부;

로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

4 4

제 3항에 있어서, 상기 제 3 내지 제 4 MOSFET의 동작점은 비선형 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

5 5

제 3항에 있어서, 제 1 내지 제 7 MOSFET 각각의 한쪽 노드와 공통 출력단이 되는 제 1 커패시터와 제 2 커패시터 각각의 한쪽 노드는 레이 아웃 상에서 최대한 근접하게 연결되는 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

6 6

제 3항에 있어서, 상기 제 1 MOSFET와 제 2 MOSFET, 제 3 MOSFET와 제 4 MOSFET, 제 1 가변커패시터와 제 2 가변커패시터, 제 1 인덕터와 제 2 인덕터, 제 1 커패시터와 제 2 커패시터는 서로 동일한 소자로 구성된 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

7 7

음성저항을 구현하기 위해 제 1 MESFET의 드레인이 제 11 커패시터를 매개하여 제 2 MESFET의 게이트로 궤환되고, 상기 2 MESFET의 드레인이 제 12 커패시터를 매개하여 상기 제 1 MESFET의 게이트로 궤환되며, 상기 제 1 MESFET의 게이트와 상기 제 2 MESFET의 게이트 사이에는 제 1 바이어스 전압단을 중심으로 양측에 대칭되도록 형성된 제 11 저항과 제 12 저항으로 구성된 차동앰프와;

상기 차동앰프의 제 1 MESFET의 출력단과 전원단 사이에 매개된 제 11 인덕터와, 상기 차동앰프의 제 2 MESFET의 출력단과 전원단 사이에 매개된 제 12 인덕터와, 상기 제 1 MESFET의 출력단과 상기 제 2 MESFET의 출력단 사이에 커패시턴스 제어단을 중심으로 양측에 대칭되도록 형성된 제 11 내지 제 12 가변커패시터로 구성된 LC 공진부와;

상기 제 1 MESFET의 출력단과 제 13 커패시터를 매개하여 게이트와 연결되고 전원단과 드레인이 연결되며 소오스가 전류공급부와 연결된 제 3 MESFET와, 상기 제 3 MESFET의 소오스와 공통 출력단 사이에 매개된 제 15 커패시터와, 제 2 MESFET의 출력단과 제 14 커패시터를 매개하여 게이트와 연결되고 전원단과 드레인이 연결되며 소오스가 전류공급부와 연결된 제 4 MESFET와, 상기 제 4 MESFET의 소오스와 공통 출력단 사이에 매개된 제 16 커패시터와, 제 13 커패시터의 일측과 상기 제 3 MESFET의 게이트 사이에 연결되어 제 2 바이어스 전압단과 매개된 제 13 저항과, 상기 제 14 커패시터의 일측단과 상기 제 4 MESFET의 게이트 사이에 연결되어 제 3 바이어스 전압단과 매개된 제 14 저항으로 구성된 출력버퍼부와;

전류제어단에 게이트가 연결되고 소오스가 접지단과 연결되며 드레인이 상기 제 3 MESFET의 소오스와 연결된 제 5 MESFET와, 상기 전류제어단에 게이트가 연결되고 소오스가 접지단과 연결되며 드레인이 상기 차동앰프의 제 1 내지 제 2 MESFET의 소오스와 연결된 제 6 MESFET와, 상기 전류제어단에 게이트가 연결되고 소오스가 접지단과 연결되며 드레인이 상기 제 4 MESFET의 소오스와 연결된 제 7 MESFET로 구성된 전류공급부;

로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

8 8

제 7항에 있어서, 상기 제 3 내지 제 4 MESFET의 동작점은 비선형 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

9 9

제 7항에 있어서, 상기 제 1 MESFET와 제 2 MESFET, 제 3 MESFET와 제 4 MESFET, 제 11 가변커패시터와 제 12 가변커패시터, 제 11 인덕터와 제 12 인덕터, 제 11 커패시터와 제 12 커패시터, 제 13 커패시터와 제 14 커패시터, 제 15 커패시터와 제 16 커패시터는 서로 동일한 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

10 10

제 7항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 7 MESFET 각각의 한쪽 노드와 공통 출력단이 되는 제 15 커패시터와 제 16 커패시터 각각의 한쪽 노드는 레이 아웃 상에서 최대한 근접하게 연결되는 것을 특징으로 하는 차동 형태를 이용한 LC 공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.