탄성에 의한 변위가 가능한 적어도 하나 이상의 탄성부재와;

상기 탄성부재에 연결된 질량체와;

상기 질량체의 측면에 자신의 전계방출 탐침을 근접 위치시킨 적어도 하나 이상의 측면 전계방출 소자와;

상기 질량체와 측면 전계방출 소자 사이에 전압을 인가하는 수단과;

가속도에 의한 상기 질량체의 변위에 따른 상기 질량체와 상기 전계방출 탐침간의 간격 변화에 기인하는 터널링 전류의 변화량을 측정하는 수단을 구비하는 2-축 가속도 센서

기판과;

상기 기판 상에 형성된 적어도 하나 이상의 지지대층과;

상기 지지대층의 각각에 연결되어 현수된 스프링체와;

상기 스프링체의 전부에 연결되어 현수된 질량체와;

상기 질량체의 측면에 자신의 전계방출 탐침을 근접 위치시키도록 상기 기판 상에 형성된 적어도 하나 이상의 측면 전계방출 소자들과;

상기 질량체와 측면 전계방출 소자 사이에 전압을 인가하는 수단과;

가속도에 의한 상기 질량체의 변위에 따른 상기 질량체와 상기 전계방출 탐침간의 간격 변화에 기인하는 터널링 전류의 변화량을 측정하는 수단을 구비하는 2-축 가속도 센서

제2항에 있어서, 상기 질량체, 스프링체 및 전계방출 탐침이 비정질 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2-축 가속도 센서

제2항에 있어서, 상기 질량체, 스프링체 및 전계방출 탐침이 다결정 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2-축 가속도 센서

제4항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 전계방출 탐침의 단부에 증착된 금속막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2-축 가속도 센서

제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 실리콘 전계방출 탐침의 단부가 금속 실리사이드로 형성된 것을 특징으로 하는 2-축 가속도 센서

실리콘 기판 상에 제1 PSG층을 형성하는 단계와;

상기 제1 PSG층이 형성된 결과물 상에 상기 제1 PSG층에 대해 식각 선택비가 높은 제1 물질층을 형성하는 단계와;

질량체 및 그에 연결되는 스프링체, 지지대가 형성될 부분만을 남기는 제1 마스크를 이용하여 상기 제1 물질층을 부분적으로 식각 제거하는 단계와;

상기 제1 물질층이 부분적으로 식각 제거된 결과물 상에, 상기 제1 물질층에 대해 선택적인 화학 기계적 연마성질을 가짐으로써 탐침 간극의 형성을 위해 제거될 수 있는 제2 물질층을 형성하는 단계와;

상기 제2 물질층 상에 상기 제1 물질층과 동일한 재질의 제3 물질층을 형성하는 단계와;

상기 제1 물질층의 상단높이까지 상기 제3 물질층을 제거하는 화학기계적 연마를 행하여, 상기 제1 및 제3 물질층을 노출시키는 단계와;

상기 제1 및 제3 물질층의 도전성을 갖도록 도핑하는 단계와;

질량체 및 그에 연결되는 스프링체, 상기 질량체의 측면에 근접 위치하는 전계방출 탐침 및 이에 연결되는 전계방출소자를 형성하기 위한 제2 마스크를 사용하여 상기 제1 및 제3 물질층을 이방성 식각하는 단계와;

상기 질량체 및 스프링체 하부의 제1 PSG층 및 상기 제 2 물질층을 등방성 화학식각에 의해 제거하여 상기 질량체 및 스프링체를 공중에 현수시키는 단계와;

상기 전계방출소자 및 질량체에 전압을 인가하기 위한 금속배선을 형성하는 단계를 구비하는 2-축 가속도 센서 제조방법

제7항에 있어서, 상기 제1 및 제3 물질층이 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘막이며, 상기 제2 물질층이 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 2-축 가속도 센서 제조방법

제8항에 있어서, 상기 제1 및 제3 물질층의 도전성을 갖도록 도핑하는 단계는:

다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘막으로 이루어진 상기 제1 및 제3 물질층 상에 제2 PSG층을 형성하는 단계와;

상기 제2 PSG층이 형성된 결과물을 열처리하여 상기 제1 및 제3 물질층 내에 인을 도핑하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 2-축 가속도 센서 제조방법

제7항에 있어서, 상기 제2 마스크의 질량체 해당 부위에 다수의 개구를 마련하여 상기 질량체가 다수의 식각구멍을 가지게 함으로써 상기 질량체 하부의 제1 PSG층 제거를 용이하게 하는 것을 특징으로 하는 2-축 가속도 센서 제조방법