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하기 화학식 1의 설포베타인 PEG 유도체로 표면 개질되어 혈액적합성이 향상된 금속재료:<화학식 1>X-R1-PEG-R1-Y상기에서, R1은 0 내지 20개의 알킬기 또는 알릴기를 포함하는 우레탄(urethane), 유레아(urea), 아마이드(amide), 에스테르(ester), 에테르(ether) 또는 언하이드라이드(anhydride)로 연결된 하나 이상의 작용기이고;X는 -NCO 또는 -CHO이고; Y는 양쪽이온성 유도체로 설포베타인(sulfobetaine, -N+-R2-SO3-)(상기에서, R2는 알킬기 또는 아릴기이다)이다
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 설포베타인 PEG 유도체가 1) PEG의 양 말단에 금속재료 표면의 하이드록시기와 결합가능한 작용기를 도입하는 단계;2) 양 말단에 작용기가 도입된 PEG의 한쪽 말단을 아민화하는 단계; 및3) PEG의 아민화된 말단에 설포베타인을 도입하는 단계에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제2항에 있어서, PEG가 200 내지 10,000의 분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제2항에 있어서, 상기 단계 1)의 반응이 PEG에 다이아이소시아네이트를 첨가하고 질소 분위기 하에서 30 내지 50℃로 30 내지 60분간 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제4항에 있어서, 상기 다이아이소시아네이트가 헥사메틸렌 다이아이소시아네이트(HDI), 톨루엔 다이아이소시아네이트(TDI), 다이페닐메탄 다이아이소시아네이트(MDI) 또는 아이소포론 다이아이소시아네이트(IPDI)인 것을 특징으로 하는 금속재료
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제4항에 있어서, 상기 다이아이소시아네이트 대신에 글루타르알데하이드(glutaraldehyde, OHC-(CH2)3-CHO)가 사용되는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제4항에 있어서, 상기 반응이 촉매의 존재 하에 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제7항에 있어서, 상기 촉매가 다이뷰틸틴 다이라우레이트(dibutyltin dilaurate) 또는 제1 주석 옥토에이트(stannous octoate)인 것을 특징으로 하는 금속재료
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제2항에 있어서, 상기 단계 2)의 반응이 단계 1)에서 양 말단에 작용기가 도입된 PEG에 다이메틸아미노 화합물을 첨가하고 질소 분위기 하에서 30 내지 50℃로 1 내지 3시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제9항에 있어서, 상기에서 다이메틸아미노 화합물이 하이드록시기, 카복시기 또는 아민기를 함유한 2-다이메틸아미노에탄올(2-dimethylaminoethanol), 3-다이메틸아미노-1-프로판올(3-dimethylamino-1-propanol), 4-다이메틸아미노-1-뷰탄올(4-dimethylamino-1-butanol), 4-다이메틸아미노 뷰티르산(4-dimethylamino butyric acid) 및 3-다이메틸아미노-1-프로필아민(3-dimethylamino-1-propylamine)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제2항에 있어서, 상기 단계 3)의 반응이 단계 2)에서 한쪽 말단이 아민화된 PEG에 설톤 화합물을 첨가하고 질소 분위기 하에서 30 내지 50℃로 20 내지 30시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속재료
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제11항에 있어서, 상기 설톤 화합물이 1,3-프로판 설톤(1,3-propane sultone) 또는 1,4-뷰탄 설톤(1,4-butane sultone)인 것을 특징으로 하는 금속재료
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제2항에 있어서, 상기 설포베타인 PEG 유도체가 하기 화학식 2의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 금속재료: <화학식 2>OCN-(CH2)6-NHCOO-(CH2CH2O)n-OCNH-(CH2)6-NHCOO-(CH2)2-N+(CH3)2-(CH2)3-SO3-
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1) 금속재료의 표면을 산화 처리하여 표면에 하이드록시기(-OH)를 도입하는 단계; 및2) 상기 금속재료 표면의 하이드록시기에 설포베타인 PEG 유도체를 화학적으로 결합시키는 단계를 포함하는, 제1항의 설포베타인 PEG 유도체로 표면 개질된 금속재료의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 단계 1)에서 산화 처리가 금속 시편을 20 내지 40% 암모니아수, 20 내지 40% 과산화수소 및 증류수가 0
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제14항에 있어서, 상기 단계 1)에서 산화 처리가 플라즈마 처리장치를 사용하여 100 내지 300 W의 전압으로 3 내지 10분간 산소가스를 금속 시편의 표면에 침투, 확산시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 단계 2)의 반응이 촉매의 존재 하에서 30 내지 50℃에서 20 내지 30시간 동안 교반하면서 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 촉매가 제1 주석 옥토에이트(stannous octoate) 또는 다이뷰틸틴 다이라우레이트(dibutyltin dilaurate)인 것을 특징으로 하는 제조방법
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