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스텐트의 표면 개질 방법

  • 기술번호 : KST2015123055
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스텐트의 표면 개질 방법에 관한 것이다. 일 구체예에 따른 스텐트의 표면 개질 방법을 사용하면, 생분해성 고분자가 코팅된 스텐트의 표면을 더욱 평활하게 개질시킬 수 있다.
Int. CL A61L 27/04 (2006.01) A61L 27/34 (2006.01) B05B 17/06 (2006.01) A61F 2/82 (2006.01)
CPC A61F 2/82(2013.01) A61F 2/82(2013.01) A61F 2/82(2013.01) A61F 2/82(2013.01) A61F 2/82(2013.01) A61F 2/82(2013.01) A61F 2/82(2013.01)
출원번호/일자 1020110034761 (2011.04.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1253284-0000 (2013.04.04)
공개번호/일자 10-2012-0117169 (2012.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.14)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한동근 대한민국 서울특별시 노원구
2 박귀덕 대한민국 서울특별시 노원구
3 강종희 대한민국 경기도 남양주시 호평로 ***, 중
4 최지연 대한민국 서울특별시 송파구
5 장부남 대한민국 충청남도 공주시 정안면 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0275472-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0017185-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0525508-59
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0906016-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0906015-97
7 등록결정서
Decision to grant
2013.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0191874-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스텐트의 표면에 제1 생분해성 고분자 및 약물의 혼합액을 초음파 분사하여 코팅층을 형성시키는 단계;상기 코팅층이 형성된 스텐트와 클로로포름 용매를 접촉시키는 단계; 및 25℃ 내지 80℃의 온도 조건에서 상기 용매를 증발시키는 단계를 포함하는 스텐트의 표면 개질 방법
2 2
스텐트의 표면에 제1 생분해성 고분자 및 약물의 혼합액을 초음파 분사하여 코팅층을 형성시키는 단계; 및상기 코팅층이 형성된 스텐트의 표면에 제2 생분해성 고분자 및 용매를 포함하는 용액을 분사하는 단계를 포함하는 스텐트의 표면 개질 방법
3 3
스텐트의 표면에 제1 생분해성 고분자 및 약물의 혼합액을 초음파 분사하여 코팅층을 형성시키는 단계;상기 코팅층이 형성된 스텐트를 20℃ 내지 150℃의 온도 조건으로 가열하는 단계를 포함하는 스텐트의 표면 개질 방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스텐트는 스테인리스 스틸, 코발트-크롬, 백금-크롬, 탄탈륨, 티타늄, 니티놀, 금, 백금, 은 및 그의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 재질인 것인 방법
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 생분해성 고분자는 폴리글리콜산, 폴리-L-락트산, 폴리-D-락트산, 폴리-D,L-락트산, 폴리-e-카프로락톤, 폴리락트산-글리콜산 공중합체(PLGA), 폴리-L-락트산-e-카프로락톤 공중합체(PLCL), 폴리에틸렌글리콜, 폴리아미노산, 폴리안하이드라이드, 폴리오르쏘에스테르, 폴리디옥사논, 폴리포스파겐, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것인 방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 생분해성 고분자는 2,000 내지 200,000의 분자량을 갖는 것인 방법
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 생분해성 고분자는 0
8 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 약물은 치옥트산, 시롤리무스, 파클리탁셀, 리오프로, 덱사메타손, 타크로리무스, 미코페놀릴산, 에스트라디올 및 질소 산화물(nitric oxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법
9 9
제2항에 있어서, 상기 용매는 아세톤, 클로로포름, 에틸 아세테이트, 톨루엔, 벤젠, 메틸렌클로라이드, 테트라히드로퓨란, 다이옥산, 아세트 니트릴 및 자일렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법
10 10
스텐트의 표면에 제1 생분해성 고분자 및 약물의 혼합액을 초음파 분사하여 코팅층을 형성시키는 단계;상기 코팅층이 형성된 스텐트와 테트라히드로퓨란 용매를 접촉시키는 단계; 및 25℃ 내지 80℃의 온도 조건에서 상기 용매를 1초 내지 200초 동안 증발시키는 단계를 포함하는 스텐트의 표면 개질 방법
11 11
스텐트의 표면에 제1 생분해성 고분자 및 약물의 혼합액을 초음파 분사하여 코팅층을 형성시키는 단계;상기 코팅층이 형성된 스텐트와 아세톤, 에틸 아세테이트, 톨루엔, 벤젠, 메틸렌클로라이드, 다이옥산, 아세트 니트릴 및 자일렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 용매를 접촉시키는 단계; 및 25℃ 내지 80℃의 온도 조건에서 상기 용매를 증발시키는 단계를 포함하는 스텐트의 표면 개질 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.