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폴리다이아세틸렌 센서칩 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133979
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 환경의 변화를 인식하여 형광을 발색시킬 수 있는 다이아세틸렌의 중합체가 고체기판위에 고정된 폴리다이아세틸렌 센서칩 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 폴리다이아세틸렌 센서칩의 제조방법은 (ⅰ) 다이아세틸렌 단량체를 유기용매에 용해시키고, 이를 수용액에 혼합한 다음, 초음파 처리하여 분산된 다이아세틸렌 수용액을 수득하는 공정; 및, (ⅱ) 전기 분산된 다이아세틸렌 수용액을 자외선에 노광하여 폴리다이아세틸렌을 수득하고, 이를 마이크로어레이 제조장치에 적용하여 고체기판 위에 고정시키나, 또는 전기 분산된 다이아세틸렌 용액을 마이크로어레이 제조장치에 적용하여 고체기판 위에 고정시키고, 동일한 조건으로 자외선에 노광하여 폴리다이아세틸렌을 수득하는 공정을 포함한다. 본 발명의 폴리다이아세틸렌 센서칩은 온도, 탄수화물, 단백질 및 DNA인식과 같은 환경의 변화를 감지할 수 있으므로, 다양한 바이오 칩의 제작에 널리 활용될 수 있을 것이다. 다이아세틸렌 단량체, 폴리다이아세틸렌, 센서칩
Int. CL G01N 35/00 (2006.01.01) G01N 21/64 (2006.01.01) G01N 31/10 (2006.01.01)
CPC G01N 35/00(2013.01) G01N 35/00(2013.01) G01N 35/00(2013.01) G01N 35/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060049045 (2006.05.30)
출원인 한양대학교 산학협력단, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0953182-0000 (2010.04.08)
공개번호/일자 10-2007-0115118 (2007.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20100415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종만 대한민국 서울 강동구
2 이영복 대한민국 경기 부천시 원미구
3 이지석 대한민국 서울 서초구
4 안동준 대한민국 서울 동작구
5 양두호 대한민국 서울 성북구
6 이길선 대한민국 경기 고양시 일산구
7 이철희 대한민국 서울 강동구
8 이충완 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 안동준 서울특별시 서초구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0386126-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0176171-05
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0176447-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0070324-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0350946-91
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0655757-31
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0655758-87
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0048266-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(ⅰ) 하기 일반식 (I)의 구조를 가지는 다이아세틸렌 단량체를, 유기용매에 용해시키고 이를 물에 혼합하거나 또는 물에 직접 혼합한 다음, 초음파 처리하여 분산된 다이아세틸렌 수용액을 수득하는 공정; 및, (ⅱ) 상기 분산된 다이아세틸렌 수용액에 220 내지 300nm의 자외선을 1 내지 3분간 조사하여 폴리다이아세틸렌을 수득하고, 마이크로어레이 제조장치를 이용하여 고체기판 위에 고정시키거나, 또는 상기 분산된 다이아세틸렌 용액을 마이크로어레이 제조장치를 이용하여 고체기판 위에 고정시키고, 상기 고체기판에 220 내지 300nm의 자외선을 1 내지 3분간 조사하여 폴리다이아세틸렌을 수득하는 공정을 포함하는, 폴리다이아세틸렌 어레이 센서칩의 제조방법: A-(L1)d-(CH2)e-C≡C-C≡C-(CH2)f-(L2)g-B (I) 상기 식에서, d + g는 0 내지 2이고; e + f는 2 내지 50의 정수이며; e 및 f는 1보다 큰 정수이고; A 및 B는 -CH3, -NH2, -COOH, -OH, 말레이미드기, 바이오틴, N-히드록시숙신이미드, 벤조산 또는 활성화된 에스테르이며; 및, L1 및 L2는 서로 동일하거나 또는 동일하지 않고, 탄소수가 2 이상인 알킬기, 하나 이상의 에틸렌 옥시드, 아민기, 아미드기, 에스테 르기 또는 카르보닐기이다
2 2
제 1항에 있어서, 유기용매는 DMF(dimethylformamide), DMSO(dimethylsuloxide), 클로로포름, 디클로로메탄, 헥산, THF(tetrahydrofuran), 아세톤 또는 알코올인 것을 특징으로 하는 폴리다이아세틸렌 어레이 센서칩의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 자외선의 노광은 220 내지 300nm의 자외선을 1 내지 3분간 조사하여 수행하는 것을 특징으로 하는 폴리다이아세틸렌 어레이 센서칩의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 고체기판은 아민, 알데히드, 카르복실산, 활성화된 에스테르, 말레이미드 또는 탄수화물로 표면이 개질된 유리, 금속 또는 플라스틱 재질의 기판인 것을 특징으로 하는 폴리다이아세틸렌 어레이 센서칩의 제조방법
5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.