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제1 기판;상기 제1 기판과 마주하며 그리고 표면 구조물을 포함하며, 상기 표면 구조물은 상기 제1 기판과 대향하는 면에 열 처리되어 형성된 제2 기판; 및상기 제1 및 제2 기판들 사이에 구비되며 복수개의 액정들을 갖는 액정층을 포함하며,상기 표면 구조물은 열 인가 시간에 따라서 다른 크기를 갖는 액정표시패널
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제 1 항에 있어서,상기 제1 기판은 제1 베이스 기판; 및 상기 제1 베이스 기판상에 형성된 복수개의 화소 전극들을 포함하며상기 제2 기판은제2 베이스 기판; 및상기 제2 베이스 기판상에 형성된 공통전극을 더 포함하고, 상기 표면 구조물은 상기 공통전극상에 형성되는 액정표시패널
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제 2 항에 있어서,상기 표면 구조물은 열 처리된 입자들을 포함하며 상기 열 처리된 입자들은 상기 공통전극상에 부착되는 액정표시패널
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제 3 항에 있어서,상기 열 처리된 입자들은 빛 투과성 물질로 구성되는 액정표시패널
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제 3 항에 있어서,상기 열처리된 입자들은 폴리 스필렌, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 중 어느 하나인 액정표시패널
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제 3 항에 있어서,상기 열처리된 입자들은 나노미터 단위인 액정표시패널
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제 3 항에 있어서,상기 열의 인가시간이 길어질수록 상기 열 처리된 입자들의 높이는 낮아지는 액정표시패널
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제 7 항에 있어서상기 열의 인가시간이 길어질수록 상기 공통전극상에 부착되는 상기 열 처리된 입자들의 면적은 넓어지는 액정표시패널
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제 1 항에 있어서상기 열은 200℃인 액정표시패널
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제 1 항에 있어서,상기 액정표시패널은 VA모드 또는 TN모드 중 어느 하나로 구동되는 액정표시패널
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기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 공통전극을 형성하는 단계;상기 공통전극상에 복수개의 입자들을 배치하는 단계; 및상기 복수개의 입자들에 열을 인가하는 단계를 포함하며상기 복수개의 입자들은 상기 열의 인가에 의해 상기 공통전극상에 부착되며, 상기 복수개의 입자들은 상기 열의 인가 시간에 따라서 다른 크기를 갖는 배향기판 제조방법
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제 11 항에 있어서상기 공통전극상에 상기 복수개의 입자들을 배치하는 단계는 상기 공통전극상에 상기 복수개의 입자들이 섞인 용매를 배치하는 단계; 및상기 용매를 스핀시키는 단계를 포함하는 배향기판 제조방법
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제 11 항에 있어서상기 공통전극상에 상기 복수개의 입자들을 배치하는 단계는 상기 공통전극상에 상기 복수개의 입자들이 섞인 용매를 배치하는 단계;상기 공통전극상에 기울어지게 코팅용 기판을 배치하는 단계; 및상기 코팅용 기판을 이동시키며 상기 용매를 상기 공통전극상에 분산시키는 단계를 포함하는 배향기판 제조방법
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제 11 항에 있어서상기 열 처리된 입자들은 빛 투과성 물질로 구성되는 액정표시패널
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제 11 항에 있어서,상기 복수의 입자들은 폴리 스필렌, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 중 어느 하나인 배향기판 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 복수개의 입자들은 나노미터 단위인 배향기판 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 열의 인가시간이 길어질수록 상기 복수개의 입자들의 높이는 낮아지는 배향기판 제조방법
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제 17 항에 있어서상기 열의 인가시간이 길어질수록 상기 복수개의 입자들이 상기 기판에 부착되는 면적은 넓어지는 배향기판 제조방법
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제 11 항에 있어서상기 열은 200℃인 배향기판 제조방법
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