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초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 수직 배열 방법

  • 기술번호 : KST2015142089
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 기판 위 수직 배열 방법에 관한 것으로서, 화학적 기능기로 개질된 탄소나노튜브를 자기조립막이 형성된 기판 위에 전기영동법을 이용하여 강한 화학적 결합을 이루도록 침적시킨 뒤, 상기 기판에 초음파를 가해주는 초음파 처리 공정을 추가로 실시함으로써, 기판 위에 탄소나노튜브를 효과적으로 수직 배열할 수 있는 탄소나노튜브의 수직 배열 방법에 관한 것이다.탄소나노튜브, 기판, 수직, 배열, 전기영동, 초음파 처리, 화학적 결합, FED
Int. CL H01B 1/20 (2006.01.01) C01B 31/02 (2006.01.01)
CPC B82B 3/0066(2013.01) B82B 3/0066(2013.01) B82B 3/0066(2013.01) B82B 3/0066(2013.01) B82B 3/0066(2013.01) B82B 3/0066(2013.01)
출원번호/일자 1020050097889 (2005.10.18)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0645308-0000 (2006.11.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해원 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김성경 대한민국 경남 마산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0586921-88
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0605153-02
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)합성된 탄소나노튜브를 정제 및 커팅하는 단계와;(b)커팅된 탄소나노튜브를 화학적으로 개질하여 -COCl 기능기로 개질된 탄소나노튜브(CNTs-COCl)를 얻는 단계와;(c)아민기(-NH2)를 말단기로 하는 자기조립막이 형성된 캐소드의 금 기판과 반대측 애노드의 ITO를 두 전극으로 하는 전기영동을 실시하되, 전기영동 용액으로는 상기 화학적 기능기로 개질된 탄소나노튜브를 디메틸 포름아미드에 용해시킨 탄소나노튜브 용액을 사용하여, 전기영동 셀 내의 상기 탄소나노튜브 용액에 DC 전계를 인가해줌으로써 상기 금 기판 위에 탄소나노튜브를 침적시키는 단계와;(d)상기 탄소나노튜브가 침적된 금 기판을 디메틸 포름아미드이 채워진 용기 속에 넣은 뒤 초음파 처리기 내에서 초음파 처리하여 금 기판 위에 탄소나노튜브를 수직 배열시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 수직 배열 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 (c)단계에서, 상기 전기영동 용액으로서 디메틸 포름아미드 1㎖에 대하여 탄소나노튜브 0
3 3
청구항 1에 있어서,상기 (c)단계에서, 상기 두 전극 사이에 100 ~ 180V의 DC 전압을 5 ~ 15분 동안 걸어주어 전기영동을 실시하는 것을 특징으로 하는 초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 수직 배열 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (d)단계에서, 상기 디메틸 포름아미드 내 금 기판에 40kHz 주파수의 초음파를 1 ~ 2분 동안 가하여 초음파 처리하는 것을 특징으로 하는 초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 수직 배열 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.