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나노와이어와 나노도트의 복합체 및 이를 구비하는 광소자

  • 기술번호 : KST2015143155
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노와이어와 나노도트의 복합체 및 이를 구비하는 광소자가 개시된다. 개시된 복합체에서는 나노와이어의 표면에 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트가 형성된다.
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01)
출원번호/일자 1020090025005 (2009.03.24)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0106806 (2010.10.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.25)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은경 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 최병룡 대한민국 서울특별시 서초구
3 황동목 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 김병성 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0177348-92
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document
2009.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-5011887-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0184777-92
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0095961-85
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0264466-33
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0428602-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전성 물질을 포함하는 나노와이어; 및 상기 나노와이어의 표면에 형성되는 것으로, 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트(nano dots);를 구비하는 나노와이어와 나노도트의 복합체
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노와이어 및 나노도트는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 나노와이어와 나노도트의 복합체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노와이어는 p형 또는 n형으로 도핑되는 나노와이어와 나노도트의 복합체
4 4
나노 사이즈의 직경을 가지는 채널(channel)이 형성된 템플릿(template)을 준비하는 단계; 상기 채널 내에 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트를 주입하는 단계; 상기 채널의 내벽을 화학적 표면처리하여 상기 나노도트들을 상기 채널의 내벽에 부착시키는 단계; 및 상기 채널 내에서 나노와이어를 성장시킴으로써 상기 나노와이어의 표면에 상기 나노도트들을 형성하는 단계;을 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 채널이 형성된 템플릿을 준비한 다음, 상기 채널 내에 나노와이어의 성장을 위한 촉매 금속을 주입하는 단계를 더 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 나노도트들 및 나노와이어는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 나노와이어는 p형 또는 n형으로 도핑되는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 나노와이어는 화학기상증착법(CVD; chemical vapor deposition)에 의해 성장되는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
9 9
기판 상에 나노 사이즈의 직경을 가지는 채널이 관통되어 형성된 템플릿을 마련하는 단계; 상기 채널 내에 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트를 주입하는 단계; 상기 채널의 내벽을 화학적 표면처리하여 상기 나노도트들을 상기 채널의 내벽에 부착시키는 단계; 및 상기 채널 내의 기판으로부터 나노와이어를 성장시킴으로써 상기 나노와이어의 표면에 상기 나노도트들을 형성하는 단계;을 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 기판은 도전성 기판인 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 채널이 형성된 템플릿을 상기 기판 상에 마련한 다음, 상기 채널 내에 상기 나노와이어의 성장을 위한 촉매 금속을 주입하는 단계를 더 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 나노도트들 및 나노와이어는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 나노와이어는 p형 또는 n형으로 도핑되는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
14 14
도전성 물질을 포함하는 복수의 나노와이어; 상기 나노와이어들 각각의 표면에 형성되는 것으로, 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트(nano dots); 및 상기 나노도트들을 덮도록 상기 나노와이어들 각각을 둘러싸는 것으로, 도전성 물질을 포함하는 복수의 셸(shell);을 구비하는 광소자(optical device)
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 나노와이어들과 전기적으로 연결된 제1 전극과 상기 셸들과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 광소자
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 나노도트들 및 나노와이어는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 광소자
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 셸은 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체, 질화물 반도체 또는 전도성 고분자로 이루어진 광소자
18 18
제 14 항에 있어서, 상기 나노와이어는 p형으로 도핑되고, 상기 셸은 n형으로 도핑되는 광소자
19 19
제 14 항에 있어서, 상기 나노와이어는 n형으로 도핑되고, 상기 셸은 p형으로 도핑되는 광소자
20 20
도전성 물질을 포함하는 복수의 나노와이어; 상기 나노와이어들 각각의 표면에 형성되는 것으로, 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트(nano dots); 및 상기 나노도트들을 덮도록 상기 나노와이어들을 둘러싸는 것으로, 도전성 물질을 포함하는 셸 매트릭스(shell matrix);를 구비하는 광소자(optical device)
21 21
제 20 항에 있어서, 상기 나노와이어들과 전기적으로 연결된 제1 전극과 상기 셸 매트릭스와 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.