1 |
1
도전성 물질을 포함하는 나노와이어; 및
상기 나노와이어의 표면에 형성되는 것으로, 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트(nano dots);를 구비하는 나노와이어와 나노도트의 복합체
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 나노와이어 및 나노도트는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 나노와이어와 나노도트의 복합체
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 나노와이어는 p형 또는 n형으로 도핑되는 나노와이어와 나노도트의 복합체
|
4 |
4
나노 사이즈의 직경을 가지는 채널(channel)이 형성된 템플릿(template)을 준비하는 단계;
상기 채널 내에 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트를 주입하는 단계;
상기 채널의 내벽을 화학적 표면처리하여 상기 나노도트들을 상기 채널의 내벽에 부착시키는 단계; 및
상기 채널 내에서 나노와이어를 성장시킴으로써 상기 나노와이어의 표면에 상기 나노도트들을 형성하는 단계;을 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,
상기 채널이 형성된 템플릿을 준비한 다음, 상기 채널 내에 나노와이어의 성장을 위한 촉매 금속을 주입하는 단계를 더 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
6 |
6
제 4 항에 있어서,
상기 나노도트들 및 나노와이어는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
7 |
7
제 4 항에 있어서,
상기 나노와이어는 p형 또는 n형으로 도핑되는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
8 |
8
제 4 항에 있어서,
상기 나노와이어는 화학기상증착법(CVD; chemical vapor deposition)에 의해 성장되는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
9 |
9
기판 상에 나노 사이즈의 직경을 가지는 채널이 관통되어 형성된 템플릿을 마련하는 단계;
상기 채널 내에 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트를 주입하는 단계;
상기 채널의 내벽을 화학적 표면처리하여 상기 나노도트들을 상기 채널의 내벽에 부착시키는 단계; 및
상기 채널 내의 기판으로부터 나노와이어를 성장시킴으로써 상기 나노와이어의 표면에 상기 나노도트들을 형성하는 단계;을 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
10 |
10
제 9 항에 있어서,
상기 기판은 도전성 기판인 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
11 |
11
제 9 항에 있어서,
상기 채널이 형성된 템플릿을 상기 기판 상에 마련한 다음, 상기 채널 내에 상기 나노와이어의 성장을 위한 촉매 금속을 주입하는 단계를 더 포함하는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
12 |
12
제 9 항에 있어서,
상기 나노도트들 및 나노와이어는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
13 |
13
제 9 항에 있어서,
상기 나노와이어는 p형 또는 n형으로 도핑되는 나노와이어와 나노도트의 복합체 제조방법
|
14 |
14
도전성 물질을 포함하는 복수의 나노와이어;
상기 나노와이어들 각각의 표면에 형성되는 것으로, 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트(nano dots); 및
상기 나노도트들을 덮도록 상기 나노와이어들 각각을 둘러싸는 것으로, 도전성 물질을 포함하는 복수의 셸(shell);을 구비하는 광소자(optical device)
|
15 |
15
제 14 항에 있어서,
상기 나노와이어들과 전기적으로 연결된 제1 전극과 상기 셸들과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 광소자
|
16 |
16
제 14 항에 있어서,
상기 나노도트들 및 나노와이어는 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체 또는 질화물 반도체로 이루어진 광소자
|
17 |
17
제 16 항에 있어서,
상기 셸은 IV족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물반도체, 질화물 반도체 또는 전도성 고분자로 이루어진 광소자
|
18 |
18
제 14 항에 있어서,
상기 나노와이어는 p형으로 도핑되고, 상기 셸은 n형으로 도핑되는 광소자
|
19 |
19
제 14 항에 있어서,
상기 나노와이어는 n형으로 도핑되고, 상기 셸은 p형으로 도핑되는 광소자
|
20 |
20
도전성 물질을 포함하는 복수의 나노와이어;
상기 나노와이어들 각각의 표면에 형성되는 것으로, 발광 물질을 포함하는 다수의 나노도트(nano dots); 및
상기 나노도트들을 덮도록 상기 나노와이어들을 둘러싸는 것으로, 도전성 물질을 포함하는 셸 매트릭스(shell matrix);를 구비하는 광소자(optical device)
|
21 |
21
제 20 항에 있어서,
상기 나노와이어들과 전기적으로 연결된 제1 전극과 상기 셸 매트릭스와 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 광소자
|