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코어부와 상기 코어부를 둘러싸고 있는 껍질부를 포함하는 나노구조물; 및상기 껍질부에 형성된 복수 개의 나노도트;를 포함하는 복합 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 코어부는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택된 하나를 포함하는 복합 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 나노도트는 상기 코어부와 상기 껍질부의 계면, 상기 껍질부의 내부 및 상기 껍질부의 표면 중에서 적어도 하나에 마련된 복합 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 코어부는 Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물 반도체 및 질화물 반도체 중에서 적어도 하나를 포함하거나, Ⅳ족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소를 포함하는 복합 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 껍질부는 Ⅳ족 반도체, Ⅳ족 원소를 포함한 화합물, 산화물 또는 질화물을 포함하는 복합 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 나노도트는 Ⅳ족 반도체를 포함하는 복합 구조체
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제 6 항에 있어서,상기 나노도트는 Ge 또는 SiGe을 포함하는 복합 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 코어부, 상기 껍질부 및 상기 나노도트 중에서 적어도 하나는 도전성 불순물로 도핑된 복합 구조체
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제1 및 제2전극;상기 제1 및 제2전극 사이에 마련되고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸고 있는 껍질부를 포함하는 나노구조물과 상기 껍질부에 구비된 복수 개의 나노도트를 포함하는 복합 구조체; 및상기 제2전극 상에 마련되고, 상기 복합 구조체의 일단부를 둘러싸고 있는 반도체층;을 포함하는 광학 소자
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제1 및 제2전극;상기 제1 및 제2전극 사이에 마련되고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸고 있는 껍질부를 포함하는 나노구조물과 상기 껍질부에 구비된 복수 개의 나노도트를 포함하는 복합 구조체;를 포함하는 열전 소자
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소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극 사이에 마련되고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸고 있는 껍질부를 포함하는 나노구조물과 상기 껍질부에 구비된 복수 개의 나노도트를 포함하는 복합 구조체; 및상기 복합 구조체와 이격되어 마련된 게이트 전극;을 포함하는 메모리 소자
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나노구조물을 형성하는 단계; 및상기 나노구조물에 복수 개의 나노도트를 형성하는 단계;를 포함하는 복합 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 나노구조물을 형성하는 단계는 코어부를 형성하는 단계와 상기 코어부를 둘러싸도록 껍질부를 형성하는 단계를 포함하는 복합 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 나노도트를 형성하는 단계는 상기 나노구조물을 열처리하는 단계를 포함하는 복합 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 나노도트는 Ge 또는 SiGe을 포함하는 복합 구조체 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 코어부는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택된 하나를 포함하는 복합 구조체 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 나노도트는 상기 코어부와 상기 껍질부의 계면, 상기 껍질부의 내부 및 상기 껍질부의 표면 중에서 적어도 하나에 형성되는 복합 구조체 제조 방법
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