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제1 기판, 상기 제1 기판 상에 존재하며, 내부광을 투과시키는 투명전극과 외부광을 반사시키는 반사전극으로 이루어진 화소전극, 상기 반사전극 및 투명전극 중 적어도 어느 하나의 상부에 존재하는 위상차층을 포함하는 반투과형 표시장치
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제 1 항에 있어서, 상기 위상차층은 입사되는 선형 편광을 원 편광 또는 타원 편광으로 위상 변화시키는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 1 항에 있어서, 상기 위상차층은 입사되는 광의 일축 성분을 타축 성분에 비해 1/10 파장에서부터 1/2 파장사이에서 선택된 어느 하나의 파장만큼 위상 변화시키는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 3 항에 있어서, 상기 위상차층은 입사되는 광의 일축 성분을 타축 성분에 비해 1/4 파장만큼 위상 변화시키는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 1 항에 있어서, 상기 위상차층은 반사전극 상에 존재하는 제1 위상차층과 투명 전극 상에 존재하는 제2 위상차층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 1 항에 있어서, 상기 위상차층이 상기 반사전극 및 투명전극 중 어느 하나의 상부에 존재하는 경우, 상기 위상차층에 의한 단차를 제거하기 위한 절연막을 더 포함하는 반투과형 표시장치
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제 1 항에 있어서, 상기 위상차층과 상기 화소전극 사이에 유도층을 더 포함하는 반투과형 표시장치
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제1 기판 및 상기 제1 기판 상에 존재하며 내부광을 투과시키는 투명전극과 외부광을 반사시키는 반사전극으로 이루어진 화소전극을 포함하는 제1 패널, 상기 제1 기판과 마주보며 일정한 간격으로 이격되어 위치하는 제2 기판 및 상기 제2 기판 상에 존재하는 공통전극을 포함하는 제2 패널, 상기 화소전극과 공통전극 사이에 개재되는 가변 위상차층, 상기 반사전극 및 투명전극 중 적어도 어느 하나의 상부에 존재하는 하측 위상차층을 포함하는 반투과형 표시장치
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제 8 항에 있어서, 상기 가변 위상차층은 액정층이며, 상기 액정층은 선형 편광을 45°에서부터 90° 사이에서 선택되는 어느 하나의 각도만큼 회전시키는 트위스트 네마틱 모드(TN Mode)인 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 9 항에 있어서, 상기 하측 위상차층은 상기 반사 전극 상부에 존재하는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 8 항에 있어서, 상기 가변 위상차층은 액정층이며, 상기 액정층은 입사되는 광의 일축 성분을 타축 성분에 비해 1/4 파장만큼 위상 변화시키는 수직 배향 모드(VA Mode)인 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 11 항에 있어서, 상기 하측 위상차층은 상기 투명전극 상부에 존재하고, 상기 제2 패널은 상측 위상차층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 12 항에 있어서, 상기 상측 위상차층과 상기 제2 패널 사이에 유도층을 더 포함하는 반투과형 표시장치
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제 12 항에 있어서, 상기 상측 위상차층은 상기 공통 전극 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 12 항에 있어서, 상기 상측 위상차층은 상기 공통전극이 형성된 영역 반대편 제2 기판 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 12 항에 있어서, 상기 상측 위상차층은 입사되는 선형 편광을 원 편광 또는 타원 편광으로 위상 변화시키는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 12 항에 있어서, 상기 상측 위상차층은 입사되는 광의 일축 성분을 타축 성분에 비해 1/10 파장에서부터 1/2 파장사이에서 선택된 어느 하나의 파장만큼 위상 변화시키는 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 17 항에 있어서, 상기 하측 위상차층의 위상변화축과 상기 상측 위상차층의 위상변화축이 동일한 방향인 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제 18 항에 있어서, 상기 하측 위상차층 및 상측 위상차층의 위상변화축 방향은 상기 가변 위상차층의 위상변화축 방향과 90° 관계인 것을 특징으로 하는 반투과형 표시장치
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제1 기판 상에 내부광을 투과시키는 투명전극과 외부광을 반사시키는 반사전극으로 이루어진 화소전극을 형성하는 단계, 상기 반사전극 및 투명전극 중 적어도 어느 하나의 상부에 위상차층을 형성하는 단계를 포함하는 반투과형 표시장치 형성 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 위상차층을 형성하는 단계는, 화소전극 상에 유도층을 형성하는 단계; 상기 반사전극 상부에 형성된 유도층 또는 상기 투과전극 상부에 형성된 유도층의 표면 특성을 변화시키는 단계; 상기 유도층 상에 광학적 이방성 물질을 형성하는 단계; 및 상기 유도층의 표면 특성에 따라 상기 광학적 이방성 물질을 정렬시키면서 경화시키는 단계를 포함하는 반투과형 표시장치 형성방법
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제 21 항에 있어서, 상기 반사전극 상부에 형성된 유도층 또는 상기 투과전극 상부에 형성된 유도층의 표면 특성을 변화시키는 단계는, 상기 유도층 상부에 마스크를 위치시키는 단계; 및 상기 마스크를 통하여 표면 특성을 변화시키고자 하는 유도층 표면에 파장이 400nm 이하인 전자기파를 조사하는 단계를 포함하는 반투과형 표시장치 형성방법
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제 21 항에 있어서, 상기 반사전극 상부에 형성된 유도층 또는 상기 투과전극 상부에 형성된 유도층의 표면 특성을 변화시키는 단계는, 상기 유도층 상부에 마스크를 위치시키는 단계; 및 상기 마스크를 통하여 표면 특성을 변화시키고자 하는 유도층 표면에 가속된 입자 또는 이온을 충돌시키는 단계를 포함하는 반투과형 표시장치 형성방법
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제 21 항에 있어서, 상기 반사전극 상부에 형성된 유도층 또는 상기 투과전극 상부에 형성된 유도층의 표면 특성을 변화시키는 단계는, 상기 유도층 상부에 마스크를 위치시키는 단계; 및 상기 마스크를 통하여 표면 특성을 변화시키고자 하는 유도층 표면에 가속된 입자 또는 이온을 충돌시키는 단계를 포함하는 반투과형 표시장치 형성방법
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